2021 International Conference on Solid State Devices and Materials

2021年9月6日〜 2021年9月9日

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[H-5-04] Effect of hBN in Inducing Valleytronics Properties in hBN/Bilayer Graphene Commensurate Heterostructure

〇Afsal Kareekunnan¹、Hiroshi Mizuta^1,2、Manoharan Muruganathan¹ (1.JAIST、2.Hitachi Camb. Lab.)

2021 International Conference on Solid State Devices and Materials |2021年9月8日(水) 14:44 〜 14:51 |PDF ダウンロード

[H-5-05] Effects of hBN thicknesses on light outcoupling from hBN-encapsulated TMDC monolayers

〇YUMA ODAGIRI¹、Syunya Hayashida¹、Kenji Watanabe²、Takashi Taniguchi²、Yusuke Hoshi¹ (1.Tokyo City Univ.、2.NIMS)

2021 International Conference on Solid State Devices and Materials |2021年9月8日(水) 14:51 〜 14:58 |PDF ダウンロード

[H-5-06] Length Dependence of Phonon-Drag Component of Seebeck Coefficient in Si Calculated by Monte Carlo Simulation

〇Yuhei Suzuki¹、Yuma Fujita¹、Yoshinari Kamakura¹ (1.Osaka Inst. of Tech.)

2021 International Conference on Solid State Devices and Materials |2021年9月8日(水) 14:58 〜 15:05 |PDF ダウンロード

[H-5-07] Electrochemical Probing for Initiating Hydrogen Evolution on MoS₂ Nanosheets

〇Akichika Kumatani^1,2、Hiroto Ogawa¹、Yu Kobayashi²、Atsuki Sato¹、Yasufumi Takahashi⁴、Yasumitsu Miyata³、Hitoshi Shiku¹、Yutaka Wakayama² (1.Tohoku Univ.、2.NIMS、3.Tokyo Metro. Univ.、4.Kanazawa Univ.)

2021 International Conference on Solid State Devices and Materials |2021年9月8日(水) 15:05 〜 15:12 |PDF ダウンロード

[H-6-01 (Invited)] Hybrid III-V/Si photonic device integration based on template-assisted selective epitaxy

Markus Scherrer¹、Preksha Tiwari¹、Pengyan Wen¹、Noelia Vico Trivino¹、Svenja Mauthe¹、Marilyne Sousa¹、Heinz Schmid¹、〇Kirsten Moselund¹ (1.IBM Research Europe - Zurich)

2021 International Conference on Solid State Devices and Materials |2021年9月8日(水) 15:45 〜 16:15 |PDF ダウンロード

[H-6-02] InP Nanowire Light-Emitting Diodes: Different Junction Geometry and Their Diode Properties

〇Shun Kimura^1,2、Yu Katsumi^1,2、Hironori Gamo^1,2、Junichi Motohisa^1,2、Katsuhiro Tomioka^1,2 (1.Univ. of Hokkaido、2.Graduate School of Info. Sci. and Tech. and Res. Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE))

2021 International Conference on Solid State Devices and Materials |2021年9月8日(水) 16:15 〜 16:22 |PDF ダウンロード

[H-6-03] Charge neutrality point disparity based identification of ethanol gas molecules in activated carbon functionalized graphene

〇Sankar Ganesh Ramaraj¹、MANOHARAN MURUGANATHAN¹、OSAZUWA G AGBONLAHOR¹、HISASHI MAKI^1,2、MASASHI HATTORI²、HIROSHI MIZUTA¹ (1.Japan Adv. Inst. of Sci. and Tech.、2.TAIYO YUDEN CO., LTD. R&D center)

2021 International Conference on Solid State Devices and Materials |2021年9月8日(水) 16:22 〜 16:29 |PDF ダウンロード

[H-6-04] 50 ns Ultrafast P/E Operation in 2D Heterostructured Non-Volatile Memory Device

〇Taro Sasaki¹、Keiji Ueno²、Takashi Taniguchi³、Kenji Watanabe³、Tomonori Nishimura¹、Kosuke Nagashio¹ (1.Univ. of Tokyo、2.Saitama Univ.、3.NIMS)

2021 International Conference on Solid State Devices and Materials |2021年9月8日(水) 16:29 〜 16:36 |PDF ダウンロード

[H-6-05] Experimental Demonstration of High-Gain CMOS Inverter at Low V_dd Down to 0.5 V Consisting of WSe₂ n/p FETs

〇Takamasa Kawanago¹、Takahiro Matsuzaki¹、Ryosuke Kajikawa¹、Iriya Muneta¹、Takuya Hoshii¹、Kuniyuki Kakushima¹、Kazuo Tsutsui¹、Hitoshi Wakabayashi¹ (1.Tokyo Tech.)

2021 International Conference on Solid State Devices and Materials |2021年9月8日(水) 16:36 〜 16:43 |PDF ダウンロード

[H-6-06] Universal Method on Charge Carrier Mobility and Series Resistance Extraction in Two-Dimensional Field-Effect Transistors

〇Yu-Chieh Chien¹、Xuewei Feng¹、Kai-Chun Chang²、Wee Chong Tan¹、Sifan Li¹、Li Chen¹、Li Huang¹、Kah-Wee Ang¹ (1.National Univ. of Singapore、2.National Sun Yat-Sen Univ.)

2021 International Conference on Solid State Devices and Materials |2021年9月8日(水) 16:43 〜 16:50 |PDF ダウンロード

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