2021 International Conference on Solid State Devices and Materials

2021年9月6日〜 2021年9月9日

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[D-6-06] Mobility Reduction by Carbon Cluster Defects in SiC MOSFETS

〇John Robertson¹、Zhaofu Zhang¹、Yuzheng Guo² (1.Cambridge Univ.、2.Swansea Univ.)

2021 International Conference on Solid State Devices and Materials |2021年9月8日(水) 16:43 〜 16:50 |PDF ダウンロード

[D-7-01 (Invited)] GaN-on-Si Power Device Platform: Epitaxy, Device, Reliability and Application

〇Roy King-Yuen Wong¹ (1.Innoscience Tech.)

2021 International Conference on Solid State Devices and Materials |2021年9月9日(木) 09:00 〜 09:30 |PDF ダウンロード

[D-7-02] A Novel ± 1.2 kV Bidirectional Blocking Si-GaN Monolithic Integrated Cascode FET

〇Guofang Yang¹、Jiaqi Zhang¹、Dazheng Chen¹、Jincheng Zhang¹、Chunfu Zhang¹、Yue Hao¹ (1.Xidian University, School of Microelectronics)

2021 International Conference on Solid State Devices and Materials |2021年9月9日(木) 09:30 〜 09:37 |PDF ダウンロード

[D-7-03] Two-step mesa p-GaN gated anode diode for low-power rectification applications

〇Yuwei Zhang¹、Naotaka Iwata¹ (1.Toyota Tech. Inst.)

2021 International Conference on Solid State Devices and Materials |2021年9月9日(木) 09:37 〜 09:44 |PDF ダウンロード

[D-7-04] Fixed Charge Generation in SiO₂/GaN MOS Structures by Forming Gas Annealing and its Suppression by Controlling Ga-oxide Interlayer Growth

〇Hidetoshi Mizobata¹、Mikito Nozaki¹、Takuma Kobayashi¹、Takuji Hosoi¹、Takayoshi Shimura¹、Heiji Watanabe¹ (1.Osaka Univ.)

2021 International Conference on Solid State Devices and Materials |2021年9月9日(木) 09:44 〜 09:51 |PDF ダウンロード

[D-7-05] Comparative study of breakdown and interface properties of gate insulator on N-polar and Ga-polar GaN MIS capacitor

〇Takahiro Gotow¹、Tatsushi Suka¹、Yasuyuki Miyamoto¹ (1.Tokyo Institute of Technology)

2021 International Conference on Solid State Devices and Materials |2021年9月9日(木) 09:51 〜 09:58 |PDF ダウンロード

[D-7-06] SiO₂/n-GaN MOS structures with low interface state density formed by plasma-enhanced atomic layer deposition method

〇Keito Aoshima¹、Noriyuki Taoka¹、Masahiro Horita^1,2、Jun Suda^1,2 (1.Nagoya Univ.、2.IMaSS, Nagoya Univ.)

2021 International Conference on Solid State Devices and Materials |2021年9月9日(木) 09:58 〜 10:05 |PDF ダウンロード

[D-7-07] Corner Shape Control of GaN Trench Structure Formed by Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etching

〇Shinji Yamada¹、Takashi Ishida¹、Toshiyuki Nakamura²、Ryuichiro Kamimura²、Jun Suda¹、Tetsu Kachi¹ (1.Nagoya Univ.、2.ULVAC, Inc.)

2021 International Conference on Solid State Devices and Materials |2021年9月9日(木) 10:05 〜 10:12 |PDF ダウンロード

[D-7-08] High-breakdown-voltage Al_0.36Ga_0.64N-channel HFETs with a dual AlN/AlGaInN barrier layer and selective-area regrowth ohmic contacts

〇Akiyoshi Inoue¹、Sakura Tanaka¹、Takashi Egawa¹、Makoto Miyoshi¹ (1.Nagoya Inst. Tech. )

2021 International Conference on Solid State Devices and Materials |2021年9月9日(木) 10:12 〜 10:19 |PDF ダウンロード

[E-2-01 (Invited)] Programmable Silicon Photonics

〇Wim Bogaerts^1,2、Lukas Van Iseghem^1,2、Mi Wang^1,2、Hong Deng^1,2、Iman Zand^1,2、Xiangfeng Chen^1,2、K.P. Nagarjun^1,2、Umar Khan^1,2 (1.Ghent University - IMEC、2.Center for Nano-and Biophotonics (NB - Photonics))

2021 International Conference on Solid State Devices and Materials |2021年9月7日(火) 15:45 〜 16:15 |PDF ダウンロード

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