2021 International Conference on Solid State Devices and Materials

2021年9月6日〜 2021年9月9日

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[B-2-05] Analysis of V_T Gain and Related Lateral Migration Using Program-Erase-Program Pattern in 3-D NAND Flash Memory

〇Jounghun Park¹、Gilsang Yoon¹、Donghyun Go¹、Donghwi Kim¹、Jungsik Kim²、Jeong-Soo Lee¹ (1.Pohang Univ. of Sci. and Tech.、2.Gyeongsang National Univ.)

2021 International Conference on Solid State Devices and Materials |2021年9月7日(火) 16:36 〜 16:43 |PDF ダウンロード

[B-2-06] Investigation of Random Telegraph Noise Characteristics of Hf-based MONOS Nonvolatile Memory Devices with HfO₂ and HfON Tunneling Layer

〇Jooyoung Pyo¹、Akio Ihara¹、Shun-ichiro Ohmi¹ (1.Tokyo Inst. Tech.)

2021 International Conference on Solid State Devices and Materials |2021年9月7日(火) 16:43 〜 16:50 |PDF ダウンロード

[B-2-07] Thermally Stable ALD Dielectric Stack for IDM MOS Device

〇Shutaro Asanuma¹、Kyoko Sumita¹、Yusuke Miyaguchi²、Takeshi Masuda²、Kazumasa Horita²、Takehito Jimbo²、Kazuya Saito²、Noriyuki Miyata¹ (1.AIST、2.ULVAC, Inc.)

2021 International Conference on Solid State Devices and Materials |2021年9月7日(火) 16:50 〜 16:57 |PDF ダウンロード

[B-2-08] Enhanced Synaptic Behavior in Fully Transparent and Flexible Nanowire Channel a-IGZO Field-Effect Transistors with Chitosan Electrolytic Gate Dielectric

〇KI-WOONG PARK¹、Won-Ju Cho¹ (1.Univ. of Kwangwoon )

2021 International Conference on Solid State Devices and Materials |2021年9月7日(火) 16:57 〜 17:04 |PDF ダウンロード

[B-2-09] Binary-Synaptic Plasticity in Ambipolar Ni-Silicide Schottky Barrier Poly-Si Thin Film Transistors by Chitosan Electric Double Layer

〇Sung-Hun Kim¹、Won-Ju Cho¹ (1.Kwangwoon Univ.)

2021 International Conference on Solid State Devices and Materials |2021年9月7日(火) 17:04 〜 17:11 |PDF ダウンロード

[B-3-01] Enhanced Memory Window (8 V) in Interface Dipole Modulation with SiOx Switching Species

〇Giuk Kim¹、Taeho Kim¹、Sangho Lee¹、Taehyong Eom¹、Sanghun Jeon¹ (1.Korea Advanced Institute of Science and Technology)

2021 International Conference on Solid State Devices and Materials |2021年9月8日(水) 09:00 〜 09:07 |PDF ダウンロード

[B-3-02] Hard X-ray Photoemission Spectroscopy Study on Interface Dipole Modulation of HfO₂/SiO₂ MIM Device

〇Yoshiharu Kirihara¹、Ryota Tsujiguti¹、Reito Wada¹、Akira Yasui²、Noriyuki Miyata³、Hiroshi Nohira¹ (1.Tokyo City Univ.、2.JASRI、3.AIST)

2021 International Conference on Solid State Devices and Materials |2021年9月8日(水) 09:07 〜 09:14 |PDF ダウンロード

[B-3-03] Four-Terminal Polarization-Voltage Measurement Technique for Analyzing Polarization Characteristics of Ferroelectric FETs

〇Kasidit Toprasertpong¹、Mitsuru Takenaka¹、Shinichi Takagi¹ (1.Univ. of Tokyo )

2021 International Conference on Solid State Devices and Materials |2021年9月8日(水) 09:14 〜 09:21 |PDF ダウンロード

[B-3-04] Improvement in Computing Capabilities of FeFET-based Reservoir Computing by Using an Inverted Signal Scheme

〇Zeyu Wang¹、Eishin Nako¹、Kasidit Toprasertpong¹、Ryosho Nakane¹、Mitsuru Takenaka¹、Shinichi Takagi¹ (1.Univ. of Tokyo)

2021 International Conference on Solid State Devices and Materials |2021年9月8日(水) 09:21 〜 09:28 |PDF ダウンロード

[B-3-05 (Invited)] Toward ultimately-dense memory devices using ferroelectric HfO₂

〇Junhee Lee¹ (1.UNIST (Ulsan National Institute of Science & Tech.))

2021 International Conference on Solid State Devices and Materials |2021年9月8日(水) 09:28 〜 09:58 |PDF ダウンロード

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