一般セッション(ポスター講演)

[18p-P8-1~24] 12.9 有機トランジスタ

2013年9月18日(水) 13:30 〜 15:30 P8 (デイヴィス記念館 )

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:30 〜 15:30

[18p-P8-1] テトラセンを用いた有機トランジスタの作成と評価

^○松岡悠斗，上野智雄 (農工大工)

13:30 〜 15:30

[18p-P8-2] ジチオカルバミン酸配位高分子を用いた電界効果トランジスタの作製と物性評価

^○樋元健人¹，太地悠輔¹，大久保貴志^1,2，前川雅彦¹，黒田孝義¹ (近畿大理工¹，JSTさきがけ²)

13:30 〜 15:30

[18p-P8-3] 可溶性DNTT誘導体の合成と物性

^○澤本尚典^1,3，森崇充^1,2，姜明辰²，宮碕栄吾²，尾坂格^1,2，瀧宮和男^1,2 (理研 CEMS¹，広島大院工²，埼玉大院理工³)

13:30 〜 15:30

[18p-P8-4] ヘテロ構造をもつ(チオフェン/フェニレン)コオリゴマー薄膜の電界効果型トランジスタ特性

^○橋本和昌¹，柳久雄¹，佐々木史雄²，山雄健史³，堀田収³ (奈良先端大物質¹，産総研電子光技術²，京工繊大院工芸³)

13:30 〜 15:30

[18p-P8-5] ベンゾジチオフェンダイマー誘導体の真空蒸着薄膜を用いた有機薄膜トランジスタにおける基板加熱の効果

^○福村光平，月城将也，山下雄大，大須賀秀次，宇野和行，田中一郎 (和歌山大システム工)

13:30 〜 15:30

[18p-P8-6] 可溶性 DNTT 前駆体を用いたボトムコンタクト型有機トランジスタの高移動度化

^○阿部聡一郎¹，永瀬隆^1,2，木村友¹，小林隆史^1,2，濱口梓³，池田吉紀³，内藤裕義^1,2 (大阪府立大¹，大阪府立大分子エレクトロニックデバイス研²，帝人融合技研³)

13:30 〜 15:30

[18p-P8-7] 自己組織化単分子膜を用いた銅電極修飾による有機TFTの高性能化

^○佐藤翼¹，宇津野裕弥¹，福田憲二郎²，熊木大介²，時任静士² (山形大院理工¹，山形大ROEL²)

13:30 〜 15:30

[18p-P8-8] 自己組織化単分子膜を用いた塗布型銀電極の修飾による塗布型有機トランジスタの高性能化

^○吉村悠大^1.2，竹田泰典^1.2，佐藤翼^1.2，福田憲二郎^1,2，熊木大介^1,2，時任静士^1,2 (山形大院理工¹，山形大　ROEL²)

13:30 〜 15:30

[18p-P8-9] 水ゲートを用いた有機トランジスタの作製及び評価

^○山岸裕史¹，野田啓²，小林圭^1,3，山田啓文¹ (京大院工¹，慶大理工²，京大白眉セ³)

13:30 〜 15:30

[18p-P8-10] 紫外線により重合したポリシルセスキオキサンゲート絶縁膜の検討

^○芝尾秀人，中原佳夫，木村恵一，宇野和行，田中一郎 (和歌山大システム工)

13:30 〜 15:30

[18p-P8-11] 静電スプレー堆積法を用いてトップゲート絶縁膜を作製したペンタセン電界効果トランジスタ

^○小野島紀夫，高橋俊 (山梨大)

13:30 〜 15:30

[18p-P8-12] 静電スプレー堆積法で作製したTIPSペンタセン単結晶ドメインを用いたボトムコンタクト型OFET

^○（M1）齋藤弘樹，小野島紀夫 (山梨大)

13:30 〜 15:30

[18p-P8-13] プッシュコート法による可溶性n型有機半導体薄膜の作製とトランジスタ特性

^○大野道子^1,2，近松真之¹，井川光弘¹，田村雅史²，阿澄玲子¹ (産総研¹，東理大理工²)

13:30 〜 15:30

[18p-P8-14] ボトムコンタクト型アルキルDNTT薄膜トランジスタの安定性評価

^○北村雅季^1,2，荒川泰彦^2,3 (神戸大院工¹，東大ナノ量子機構²，東大生研³)

13:30 〜 15:30

[18p-P8-15] ウェットエッチにより作製したトップコンタクト金電極を有する短チャネル・高移動度有機トランジスタ

^○中山健吾¹，植村隆文²，宇野真由美³，加藤哲弥⁴，片山雅之⁴，三津井親彦²，岡本敏弘²，竹谷純一² (阪大工¹，東大新領域²，阪府産技研³，デンソー⁴)

13:30 〜 15:30

[18p-P8-16] 塗布型微細銀電極を有する短チャネルBC型有機TFTの作製と評価

^○（M2）竹田泰典^1,2，小林悠^1,2，Adib Faiz Adi Ezarudin Bin³，福田憲二郎^1,2，熊木大介^1,2，時任静士^1,2 (山形大院理工¹，山形大ROEL²，サトーホールディングス³)

13:30 〜 15:30

[18p-P8-17] 高分子鎖中のアミド基が有機電界効果トランジスタ型メモリーの性能へ及ぼす影響

^○酒井平祐¹，鄭恵貞¹，小笹健仁¹，徳久英雄¹，所和彦¹，高田徳幸¹，伊香賀太平²，中村一希²，小林範久²，植村聖¹ (産総研フレキシブル¹，千葉大院融合²)

13:30 〜 15:30

[18p-P8-18] 高移動度有機トランジスタを用いたCMOS回路

^○金岡祐介¹，宇野真由美¹，中山健吾²，松本孝典³，加藤哲弥⁴，片山雅之⁴，竹谷純一^1,2,5 (阪府産技研¹，阪大産研²，トッパン・フォームズ³，デンソー⁴，東大新領域⁵)

13:30 〜 15:30

[18p-P8-19] 新規パラメータ抽出手法を用いたOFETの分子ドーピング効果の検討

^○高垣俊介¹，野田啓²，山田啓文¹ (京大院工¹，慶大理工²)

13:30 〜 15:30

[18p-P8-20] 熱電界電子放出モデルによる有機トランジスタの数値的検討

^○野田啓¹，和田恭雄¹，鳥谷部達² (慶大理工¹，東洋大²)

13:30 〜 15:30

[18p-P8-21] 塗布型有機トランジスタのキャリア輸送機構：ホッピング輸送の影響に関する考察

^○岡田純¹，永瀬隆^1,2，小林隆^1,2，瀧宮和男³，池田征明⁴，内藤裕義^1,2 (大阪府立大¹，大阪府立大分子エレクトロニックデバイス研²，広島大³，日本化薬⁴)

13:30 〜 15:30

[18p-P8-22] p型メタルベース有機トランジスタの大電流化と高周波動作特性

^○（M1）武藤隼斗¹，浅野智博¹，城戸淳二^1,2，中山健一^1,2 (山形大院理工¹，山形大ROEL²)

13:30 〜 15:30

[18p-P8-23] 金属酸化物半導体層をもつ有機薄膜発光トランジスタ

山田経世，^○山雄健史，堀田収 (京工繊大院工芸)

13:30 〜 15:30

[18p-P8-24] P3HTを用いたイオン液体電気化学有機トランジスタの微細化

^○飯野祥平，但木大介，木村康男，庭野道夫 (東北大通研)

一般セッション(口頭講演)

[19a-C5-1~10] 12.9 有機トランジスタ

2013年9月19日(木) 09:00 〜 11:30 C5 (TC3 1F-115)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[19a-C5-1] 高移動度導電性高分子PBTTTのイオン液体ゲートトランジスタにおける可変領域ホッピング伝導

^○伊東裕¹，安藤良洋¹，渡辺峻一郎^1,2，黒田新一¹ (名大院工¹，ケンブリッジ大²)

09:15 〜 09:30

[19a-C5-2] チエノキノイド薄膜トランジスタのキャリア制御とトラップ状態解析

^○東野寿樹，森健彦 (東工大院理工)

09:30 〜 09:45

[19a-C5-3] オリゴアセンの結晶構造に対する理論予測

小畑繁昭^1,2，新津直幸²，三浦俊明²，^○下位幸弘² (豊橋技科大¹，産総研ナノシステム²)

09:45 〜 10:00

[19a-C5-4] 単層カーボンナノチューブ複合体を用いた高性能塗布型TFT

^○池田真衣子¹，清水浩二¹，村瀬清一郎¹，Geun Sang Cho²，Jin Jang³ (東レ¹，東レ尖端素材²，慶熙大³)

10:00 〜 10:15

[19a-C5-5] 真空蒸着で形成した長鎖アルキルを有するナフタレンジイミド誘導体薄膜のトランジスタ特性

^○岩崎一晃¹，市川結¹，小熊尚美²，平田直毅² (信州大¹，大日精化工業²)

10:15 〜 10:30

[19a-C5-6] アルキル置換屈曲N字型パイ共役系分子群の集合体構造ならびにキャリア輸送特性

^○岡本敏宏^1,2，三津井親彦¹，山岸正和¹，松下武司³，広瀬友里¹，中原勝正^1,2，添田淳史^1,2，佐藤寛泰⁴，山野昭人⁴，植村隆文¹，竹谷純一^1,2 (東大院新領域¹，阪大産研²，JNC石油化学³，リガク⁴)

10:30 〜 10:45

[19a-C5-7] Ph-BTBT-10多結晶薄膜の熱アニールによる移動度向上と結晶構造変化

^○飯野裕明，臼井孝之，半那純一 (東工大像情報)

10:45 〜 11:00

[19a-C5-8] オール塗布法で作製した高移動度有機TFTのチャネル長依存性

^○福田憲二郎^1,2，竹田泰典^1,2，水上誠^1,3，熊木大介^1,2，時任静士^1,2 (山形大¹，山形大ROEL²，山形大INOEL³)

11:00 〜 11:15

[19a-C5-9] 銀ナノワイヤをS/D電極に用いたペリレン系材料によるトップゲート構造n型有機電界効果トランジスタの特性評価

^○高寺雄二，平岡浩一，田中仁，松葉翔大，梶井博武，大森裕 (阪大院工)

11:15 〜 11:30

[19a-C5-10] カルド樹脂をゲート絶縁膜に用いた高安定な有機TFT

^○奥慎也^1,2，坂上知^1,2，熊木大介^1,3，水上誠^1,2，時任静士^1,3 (山形大院理工¹，山形大INOEL²，山形大ROEL³)

一般セッション(口頭講演)

[19p-C5-1~20] 12.9 有機トランジスタ

2013年9月19日(木) 13:00 〜 18:15 C5 (TC3 1F-115)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食　（11:30 〜 13:00）

13:00 〜 13:15

[19p-C5-1] 「応用物理学会論文奨励賞受賞記念講演」（15分）Novel Solution Process for High-Mobility C₆₀ Fullerene Field-Effect Transistors

^○康宇建 (東大)

13:15 〜 13:30

△ [19p-C5-2] 一重項ビラジカル分子Ph₂-IDPLを用いた両極性有機電界効果トランジスタの作製

^○（M2）古池晴信¹，近松真之²，阿澄玲子²，小川一道¹，久保孝史³，金井要¹ (東理大理工¹，産総研²，阪大院・理³)

13:30 〜 13:45

△ [19p-C5-3] Poly(9,9-dioctylfluorene-co-benzothiadiazole)を用いた有機発光トランジスタにおける電界効果移動度および発光特性の改善

^○田中仁，平岡浩一，池添郁也，梶井博武，大森裕 (阪大院工)

13:45 〜 14:00

△ [19p-C5-4] ジフェニルクリセン誘導体を用いた有機単結晶薄膜トランジスタ

^○前田采美¹，大槻裕之²，岡本一男²，功刀義人¹ (東海大院工¹，ウシオケミックス²)

14:00 〜 14:15

△ [19p-C5-5] 酸素プラズマ処理による有機トランジスタの閾値電圧精密制御

^○（M1）木村由斉¹，香月一真¹，北村雅季^1,2，荒川泰彦^2,3 (神戸大院工¹，東大ナノ量子機構²，東大生研³)

14:15 〜 14:30

△ [19p-C5-6] 埋め込み電極による塗布型有機電界効果トランジスタの低電圧駆動化

^○（M2）木村友¹，永瀬隆^1,2，小林隆史^1,2，瀧宮和男³，池田征明⁴，内藤裕義^1,2 (大阪府大院¹，大阪府大分子エレクトロニックデバイス研²，広島大院³，日本化薬⁴)

14:30 〜 14:45

△ [19p-C5-7] 印刷銀電極を有する有機TFTの曲げに対する特性劣化の解析

^○関根智仁，福田憲二郎，熊木大介，時任静士 (山形大ROEL)

14:45 〜 15:00

[19p-C5-8] 棒状液晶物質の電荷輸送―側鎖の極性効果

^○高屋敷由紀子，大野玲，飯野裕明，半那純一 (東工大　像情報　半那・飯野研)

15:00 〜 15:15

[19p-C5-9] イオンゲルを用いた RR-P3HT 薄膜トランジスタにおける蓄積電荷状態のESR研究

^○櫻井勇希¹，松本大佑¹，竹延大志²，岩佐義宏³，丸本一弘^1,4 (筑波大院数物¹，早大院先進²，東大院工³，JSTさきがけ⁴)

15:15 〜 15:30

[19p-C5-10] マイクロ波法による有機半導体-絶縁体界面の電荷輸送特性評価

^○宮階智代，本庄義人，崔旭鎮，櫻井庸明，佐伯昭紀，関修平 (阪大院工)

休憩　（15:30 〜 15:45）

15:45 〜 16:00

[19p-C5-11] ラマン分光法によるポリ(3-ヘキシルチオフェン)/イオン液体有機トランジスタのキャリア解析

^○山本潤，古川行夫 (早大院先進理工)

16:00 〜 16:15

[19p-C5-12] 有機トランジスタにおけるambipolar輸送特性の量子化学計算による検討

^○青山哲也¹，横田裕基^1,2，村中厚哉¹，石塚亜弥^1,2，田中利彦³，橋爪大輔¹，武藤豪志¹，高石和人¹，内山真伸¹，ジーン・チャールズリビエル⁴，松本真哉^1,2 (理研¹，横国大²，福島高専³，九大⁴)

16:15 〜 16:30

[19p-C5-13] ビスアゾメチン色素誘導体の配向制御とトランジスタ特性

^○横田裕基^1,2，Byung-Soon Kim¹，石塚亜弥¹，佐藤未英¹，Jean-Charles Ribierre³，田中利彦⁴，村中厚哉²，内山真伸²，松本真哉¹，青山哲也² (横国大¹，理研²，九大³，福島高専⁴)

16:30 〜 16:45

[19p-C5-14] ペンタセン薄膜トランジスタの電気的特性における測定環境依存性

^○（M2）土屋大岳，木村弘志，粟野祐二 (慶大院理工)

16:45 〜 17:00

[19p-C5-15] 電荷変調吸収スペクトルによるDA型ポリマーのバンドコヒーレンス解析

^○堤潤也¹，松岡悟志¹，井川光弘¹，尾坂格²，瀧宮和男²，長谷川達生¹ (産総研¹，理研²)

17:00 〜 17:15

[19p-C5-16] イオン液体上における大面積高配向性高分子有機半導体薄膜の作製とそのトランジスタ特性

^○（D）添田淳史^1,2，尾坂格³，瀧宮和男³，竹谷純一^1,2 (阪大産研¹，東大新領域²，理研³)

17:15 〜 17:30

[19p-C5-17] スクリーン印刷により電極形成した有機FETの作製

^○木本正臣¹，物部浩達²，清水洋² (奥野製薬工業¹，産総研関西²)

17:30 〜 17:45

[19p-C5-18] Yb界面層を有するペンタセンMOSダイオード特性の堆積温度依存性

^○湯澤康介¹，石原宏²，大見俊一郎¹ (東工大総理工¹，建国大²)

17:45 〜 18:00

[19p-C5-19] ラミネートプロセスによるフレキシブルC₈-BTBT TFTの作製と配向成長効果

^○酒井正俊¹，山崎陽太¹，山口祥平¹，林潤郎¹，岡本樹宜¹，國吉繁一¹，山内博¹，貞光雄一²，濱田雅裕²，工藤一浩¹ (千葉大院工¹，日本化薬²)

18:00 〜 18:15

[19p-C5-20] フロー・コーティング法で作製した高配向TIPS-ペンタセンFETアレイの素子特性のばらつき

^○坂本謙二，キリルブルガレビッチ，三木一司 (物材機構)

一般セッション(口頭講演)

[20a-C5-1~10] 12.9 有機トランジスタ

2013年9月20日(金) 09:00 〜 11:30 C5 (TC3 1F-115)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[20a-C5-1] 有機物のみで形成したセルフコンタクト型トランジスタ

^○田村純香，角屋智史，川本正，森健彦 (東工大院)

09:15 〜 09:30

[20a-C5-2] フォトリソグラフィ法を用いた短チャネルトップコンタクト型有機TFT への電荷注入層導入

^○熊木大介^1,2，佐藤翼¹，宇津野裕弥¹，福田憲二郎^1,2，水上誠^1,3 (山形大院理工¹，山形大 ROEL²，山形大 INOEL³)

09:30 〜 09:45

[20a-C5-3] 無電解めっき電極を有する高性能有機トランジスタ

^○伊東正浩¹，植村隆文²，宇野真由美³，添田淳史²，竹谷純一² (EEJA¹，東大新領域²，阪府産技研³)

09:45 〜 10:00

[20a-C5-4] 室温で印刷する有機トランジスタ

^○三成剛生¹，金原正幸²，坂本謙二¹，安田剛¹ (物材機構¹，岡山大²)

10:00 〜 10:15

[20a-C5-5] 透明紙基板上に作製した有機TFTアレイの特性評価

^○藤崎好英¹，古賀大尚²，中嶋宜樹¹，中田充¹，辻博史¹，能木雅也²，山本敏裕¹ (ＮＨＫ技研¹，阪大産研²)

10:15 〜 10:30

[20a-C5-6] ポリマー絶縁膜の塗れ性制御によりパターニングした塗布型半導体の配向制御

^○高橋大地¹，藤崎好英²，中嶋宜樹²，中田充²，辻博史²，山本敏裕² (東理大院¹，ＮＨＫ技研²)

10:30 〜 10:45

[20a-C5-7] 高速有機トランジスタを用いたダイオードの高速整流特性

^○宇野真由美¹，金岡祐介¹，車溥相¹，竹谷純一^1,2 (阪府産技研¹，東大新領域²)

10:45 〜 11:00

[20a-C5-8] 縦型メタルベース有機トランジスタを用いたAM変調送信機の試作

^○中山健一^1,2，浅野智博^1,2，武藤隼斗^1,2，城戸淳二^1,2 (山形大院理工¹，山形大ROEL²)

11:00 〜 11:15

[20a-C5-9] 光応答性単分子膜を利用した光ゲート型超伝導トランジスタの開発

^○須田理行^1,2，加藤礼三²，山本浩史^1,2 (分子研¹，理研²)

11:15 〜 11:30

[20a-C5-10] 高効率発光を目指した両極性有機単結晶トランジスタの構造改善

^○大山みづほ¹，今川雅貴¹，高橋亘¹，堀田収²，竹延大志¹ (早大先進¹，京都工繊大²)

セッション一覧

12．有機分子・バイオエレクトロニクス » 12.9 有機トランジスタ

[18p-P8-1~24] 12.9 有機トランジスタ

[19a-C5-1~10] 12.9 有機トランジスタ

[19p-C5-1~20] 12.9 有機トランジスタ

△ [19p-C5-2] 一重項ビラジカル分子Ph2-IDPLを用いた両極性有機電界効果トランジスタの作製

△ [19p-C5-3] Poly(9,9-dioctylfluorene-co-benzothiadiazole)を用いた有機発光トランジスタにおける電界効果移動度および発光特性の改善

△ [19p-C5-4] ジフェニルクリセン誘導体を用いた有機単結晶薄膜トランジスタ

△ [19p-C5-5] 酸素プラズマ処理による有機トランジスタの閾値電圧精密制御

△ [19p-C5-6] 埋め込み電極による塗布型有機電界効果トランジスタの低電圧駆動化

△ [19p-C5-7] 印刷銀電極を有する有機TFTの曲げに対する特性劣化の解析

[20a-C5-1~10] 12.9 有機トランジスタ

△ [19p-C5-2] 一重項ビラジカル分子Ph₂-IDPLを用いた両極性有機電界効果トランジスタの作製