^○Andrey Medvedev^1,2，Yuui Yokota¹，Masanori Kitahara¹，Masato Sato⁴，Kazushige Toota⁴，Kou Onodera⁴，Akira Yoshikawa^1,3 (Institute for Material Research, Tohoku University¹，JSC Fomos - Materials²，New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University³，TDK Co.Ltd⁴)

[29p-A9-9] 単結晶TmFe2O4-δの圧電性 (3:15 PM ～ 3:30 PM)

^○小西伸弥^1,2，田中勝久¹，有馬孝尚³ (京大院工¹，村田製作所²，東大新領域³)

[29p-A9-10] 超音波厚さ計を用いたKTN単結晶チップの弾性率測定 (3:30 PM ～ 3:45 PM)

^○川村宗範，今井欽之，宮津純，小林潤也 (NTTフォトニクス研)

[29p-A9-11] KTN結晶における光弾性効果の温度依存性評価 (3:45 PM ～ 4:00 PM)

^○宮津純，今井欽之，川村宗範，小林潤也 (ＮＴＴフォトニクス研)

[29p-A9-12] 高速KTN光偏向器の周波数特性 - 350 kHz, 100 mrad級KTN光偏向器の実現 - (4:00 PM ～ 4:15 PM)

^○坂本尊，豊田誠治，上野雅浩，小林潤也 (ＮＴＴフォトニクス研)

セッション一覧

09．応用物性 » 9.1 誘電材料・誘電体

[29a-PB1-1~5] 9.1 誘電材料・誘電体

[29a-PB1-1] Ni添加KTaO₃結晶における巨大誘電応答(Ⅲ) (9:30 AM ～ 11:30 AM)

[29a-PB1-2] Ｂｉ－Ｔｉ系非鉛圧電材料の開発と発電素子への応用 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

[29a-PB1-3] △粒子配向型(Sr_0.7Ca_0.3)₂Bi₄Ti₅O₁₈系セラミックスのハイパワー圧電特性 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

[29a-PB1-4] 高濃度KF置換による六方晶BaTiO₃の低温焼成 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

[29a-PB1-5] STOをバッファ層としたMOD-PZT薄膜の作製と評価 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

[29p-A9-1~12] 9.1 誘電材料・誘電体

[29p-A9-1] △イオン照射によるYAlO₃単結晶の結晶性低下と熱処理による回復 (1:00 PM ～ 1:15 PM)

[29p-A9-2] △YAlO₃の点欠陥(Ⅳ)～光照射による顕在化と消滅～ (1:15 PM ～ 1:30 PM)

[29p-A9-3] △YAlO₃中の点欠陥(V)～熱処理の影響～ (1:30 PM ～ 1:45 PM)

[29p-A9-4] △YAlO₃中の点欠陥(VI) ~LaAlO₃との比較~ (1:45 PM ～ 2:00 PM)

[29p-A9-5] PMN-PT単結晶の誘電特性に及ぼす加工の影響 (2:00 PM ～ 2:15 PM)

[29p-A9-6] BaTiO₃系、PLZTセラミックスの焦電特性と電気熱量効果 (2:15 PM ～ 2:30 PM)

[29p-A9-6.1] 休憩(15分)