一般セッション(口頭講演)

[14a-4F-1~11] 6.2 カーボン系薄膜

2015年9月14日(月) 09:00 〜 12:00 4F (438)

座長:比嘉晃(琉球大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

△ [14a-4F-1] 犠牲用氷砂糖基板へのDLC膜の形成と自立膜化

〇山野将史¹、宮本優¹、今井貴大¹、針谷達¹、須田善行¹、滝川浩史¹、神谷雅男²、瀧真³、長谷川祐史³、辻信広³、西内満美子⁴、榊泰直⁴、近藤公伯⁴ (1.豊橋技科大、2.伊藤光学工業、3.オンワード技研、4.原子力機構)

09:15 〜 09:30

△ [14a-4F-2] 水溶性犠牲層を用いた薄膜の単離

〇(M2)宮本優¹、山野将史¹、藤井裕真¹、針谷達¹、須田善行¹、滝川浩史¹、瀧真²、長谷川祐史²、辻信広²、西内満美子³、榊泰直³、近藤公伯³ (1.豊橋技科大、2.オンワード技研、3.原子力機構)

09:30 〜 09:45

[14a-4F-3] アモルファス水素化炭素膜の多層膜モデルを用いた解析

〇久保暢也¹、荒川悟¹、サラユットトゥンミー¹、周小龍¹、小松啓志¹、齋藤秀俊¹ (1.長岡技科大)

09:45 〜 10:00

△ [14a-4F-4] フィルタードアーク蒸着DLC膜の100℃近傍の成膜温度依存性

〇(M2)藤井裕真¹、今井貴大¹、宮本優¹、針谷達¹、須田善行¹、滝川浩史¹、田上英人²、神谷雅男³、瀧真⁴、長谷川祐史⁴、辻信広⁴、金子智⁵、安井治之⁶、國次真輔⁷、川口雅弘⁸、三浦健一⁹ (1.豊橋技科大、2.北九州高専、3.伊藤光学、4.オンワード技研、5.神奈川県産技セ、6.石川工試、7.岡山工技セ、8.東京都産技研、9.大阪府産技研)

10:00 〜 10:15

△ [14a-4F-5] フィルタードアーク蒸着によって形成したフッ素含有ダイヤモンドライクカーボン膜

〇今井貴大¹、藤井裕真¹、山野将史¹、針谷達¹、須田善行¹、滝川浩史¹、神谷雅男²、瀧真³、長谷川祐史³、辻信広³ (1.豊橋技科大、2.伊藤光学工業、3.オンワード技研)

10:15 〜 10:30

△ [14a-4F-6] フッ素化DLC 薄膜表面への軟X 線照射効果

〇高松大樹¹、新部正人¹、神田一浩¹ (1.兵庫県大工)

休憩（10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

[14a-4F-7] Caドーピングによるa-C:Hの伝導型制御

〇寺田優介¹、秋本克洋¹ (1.筑波大学)

11:00 〜 11:15

▲ [14a-4F-8] Feasibility Study on Corrosion of Diamond-Like Carbon Films by Soft X-ray Photoelectron Emission Microscopy

〇(D)Sarayut Tunmee¹, Pat Photongkam², XiaoLong Zhou¹, Satoru Arakawa¹, Haruhiko Ito¹, Kazuhiro Kanda³, Keiji Komatsu¹, Hidetoshi Saitoh¹ (1.Nagaoka Univ. Tech., 2.Synchrotron Light Research Inst., 3.LASTI, Univ. of Hyogo)

11:15 〜 11:30

[14a-4F-9] 酸素プラズマ処理によるDLCの表面改質の検討

〇河内佑太¹、小出拓也¹、山口亮弥¹、本間章彦¹、平栗健二¹、大越康晴¹ (1.電機大)

11:30 〜 11:45

△ [14a-4F-10] 亜鉛含有DLC膜における亜鉛徐放量の制御

〇(B)上遠野惇市¹、馬渕康史¹、藤岡宏樹²、大越康晴¹、佐藤慶介¹、平塚傑工³、坪井仁美³、中森秀樹³、益田秀樹⁴、本田宏志⁴、馬目佳信²、平栗健二¹ (1.東京電機大、2.慈恵医大、3.ナノテック、4.ニチオン)

11:45 〜 12:00

[14a-4F-11] カーボン系材料の光化学修飾法を利用したフッ素官能基化ポリマー材料の作製

〇中村挙子¹、大花継頼¹、土屋哲男¹ (1.産総研)

一般セッション(ポスター講演)

[14p-PA9-1~14] 6.2 カーボン系薄膜

2015年9月14日(月) 16:00 〜 18:00 PA9 (イベントホール)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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16:00 〜 18:00

△ [14p-PA9-1] EBICによるダイヤモンドSBDの電界集中効果の評価

〇(D)儀間弘樹^1,3、梅沢仁^2,3,4、Driche Khaled^3,4、加藤有香子²、杢野由明²、Donatini Fabrice^3,4、Gheereart Etienne^3,4、吉武剛¹ (1.九大院総理工、2.産総研、3.CNRS, Inst. NEEL、4.Univ. Grenoble Alpes, Inst. NEEL)

16:00 〜 18:00

△ [14p-PA9-2] 多結晶ダイヤモンドを用いたVDF/TrFEゲートFET構造の作製

〇(M1)古市浩幹¹、柄谷涼太¹、森陽介¹、中島宇史²、徳田規夫¹、川江健¹ (1.金沢大学、2.東京理科大学)

16:00 〜 18:00

[14p-PA9-3] ダイヤモンドパウダへの銀コーティング(3)

〇(M2C)井山年明¹、大島龍司¹、飯塚完司¹ (1.日工大)

16:00 〜 18:00

[14p-PA9-4] Arのマイクロ波放電フローにおける有機ケイ素化合物の解離励起反応―バイアス印加時における発光分光計測―

〇佐伯駿介¹ (1.長岡技大大学院)

16:00 〜 18:00

[14p-PA9-5] アモルファス窒化炭素薄膜を用いた光駆動ダイヤフラムの試作

〇原田人萌¹、青野祐美¹、北沢信章¹、渡邉芳久¹ (1.防大材料)

16:00 〜 18:00

[14p-PA9-6] アモルファス炭素系薄膜のヨウ素ドーピング

〇浦崎直暁¹、前新奏¹、山里将朗¹、比嘉晃¹ (1.琉球大工)

16:00 〜 18:00

[14p-PA9-7] レーザ照射処理をしたアモルファス窒化炭素の発光及び励起スペクトル

〇池田和聡¹、福井一俊¹、山本晃司²、財部健一³、中村重之⁴、伊藤國雄⁵、山本伸一⁵、内島一哉⁵、澤畠淳二⁶、佐竹聖樹⁷ (1.福井大工、2.福井大遠赤セ、3.岡理大理、4.津山高専、5.龍谷大工、6.茨城高専、7.明石高専)

16:00 〜 18:00

△ [14p-PA9-8] グラファイト状窒化炭素薄膜の蒸着合成温度による性質の変化

〇藤田詩織¹、羽渕仁恵¹、堀江弘将¹、滝川浩史² (1.岐阜高専、2.豊橋技科大)

16:00 〜 18:00

[14p-PA9-9] 有機化合物/N₂混合気体放電を用いた高窒素含有a-CN_x:H薄膜の生成
―気相分光に基づく窒素源の特定―

〇茂木紳令¹、伊藤治彦¹ (1.長岡技科大工)

16:00 〜 18:00

[14p-PA9-10] N₂ガス雰囲気中でのアモルファス窒化炭素薄膜内部へのN₂分子の拡散

〇田村尚之¹、青野祐美¹、北沢信章¹、渡邉芳久¹ (1.防大材料)

16:00 〜 18:00

[14p-PA9-11] 有機化合物 / N₂ 混合気体放電を用いた高窒素含有a-CN_x : H 膜の生成―薄膜の構造解析

〇平松拳也¹、斉藤秀俊¹、伊藤治彦¹ (1.長岡技科大工)

16:00 〜 18:00

△ [14p-PA9-12] フィルタードアーク蒸着法を用いた膜質の異なる多層DLC膜の形成

〇針谷達¹、山野将史¹、宮本優¹、藤井裕真¹、今井貴大¹、須田善行¹、滝川浩史¹、神谷雅男²、瀧真³、長谷川祐史³、辻信広³ (1.豊橋技科大、2.伊藤光学、3.オンワード技研)

16:00 〜 18:00

△ [14p-PA9-13] DLC成膜におけるRGB測定によるプラズマ観察と成膜評価の検討

〇(B)斎藤雅史¹、河内佑太¹、本間章彦¹、平栗健二¹、大越康晴¹ (1.電機大)

16:00 〜 18:00

[14p-PA9-14] ウイルスの生きたまま観察を実現するためのDLCの特性評価および取得画像の評価

上本翔¹、門脇正和¹、木村亮太¹、縄稚典生²、塩野忠彦²、〇上月具挙¹ (1.広島国際大工、2.広島県総合技術研究所)

一般セッション(口頭講演)

[15a-4F-1~9] 6.2 カーボン系薄膜

2015年9月15日(火) 09:00 〜 11:45 4F (438)

座長:大越康晴(電機大),波多野睦子(東工大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[15a-4F-1] 鉛筆で塗りつぶした写真用紙へのレーザ照射によるグラフェン

〇金子智^1,2、清水芳忠¹、良知健¹、加藤千尋¹、田中聡美¹、安井学¹、塩尻大士²、松田晃史²、吉本護² (1.神奈川県産技センター、2.東工大総理工)

09:15 〜 09:30

[15a-4F-2] 電界放出用a-CNx:H/Al多層膜のスーパーマグネトロンプラズマCVD

〇木下治久¹、鈴木昌¹、田口亮平¹、村山翼¹ (1.静大院工)

09:30 〜 09:45

[15a-4F-3] HMDSを用いたCVD樟脳カーボン薄膜の広バンドギャップ化

〇戸田聡¹、坂本祐樹¹、羽坂奨馬¹、石川博康^1,2 (1.芝浦工大、2.SIT GI研究センター)

09:45 〜 10:00

[15a-4F-4] 光電子分光法を用いた N-doped DLC 薄膜の評価

〇村田悠馬¹、市原文彦¹、小野洋¹、Cheow-keong Choo²、桑原大介¹、田中勝己¹ (1.電通大先進理工、2.電通大国際交流)

10:00 〜 10:15

[15a-4F-5] DLC膜の光学定数とsp²/(sp²+sp³)及び水素含有量の関係

〇(D)周小龍¹、サラユットトゥンミー¹、鈴木常生¹、神田一浩²、中島秀樹³、小松啓志¹、齋藤秀俊¹ (1.長岡技科大、2.兵庫県立大、3.シンクロトロン光研究所)

10:15 〜 10:30

[15a-4F-6] ブラッグマンの有効媒質近似を用いたDLC膜の構造評価

〇荒川悟¹、周小龍¹、サラユットトゥンミー¹、中島秀樹²、小松啓志¹、齋藤秀俊¹ (1.長岡技術科学大学、2.シンクロトロン光研究所)

10:30 〜 10:45

△ [15a-4F-7] 陽電子消滅法を用いた水素化DLC膜の自由体積の軟X線照射量依存性

〇田中祥太郎¹、今井亮¹、堀史説²、神田一浩¹ (1.兵庫県大高度研、2.大阪府立大)

休憩（10:45 〜 11:00）

11:00 〜 11:15

▲ [15a-4F-8] [Young Scientist Presentation Award Speech] Nano-scale interlayer formation for thermally stable SBD electrical properties

〇Alexandre FIORI¹, Tokuyuki TERAJI¹, Jose PINERO², Daniel ARAUJO², Yasuo KOIDE¹ (1.NIMS, 2.University of Cadiz)

11:15 〜 11:45

[15a-4F-9] [解説論文賞受賞記念講演] 新しい半導体―ダイヤモンド―のキャリア制御とデバイス応用

〇山崎聡¹ (1.産総研)

一般セッション(口頭講演)

[15p-4F-1~25] 6.2 カーボン系薄膜

2015年9月15日(火) 13:15 〜 20:00 4F (438)

座長:小山和博(デンソー),齊藤丈靖(大阪府立大),嘉数誠(佐賀大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:15 〜 13:30

△ [15p-4F-1] 強誘電体をゲート絶縁膜としたダイヤモンド表面チャネル型FET 構造の作製

〇柄谷涼太¹、古市浩幹¹、馬場一気¹、森陽介¹、中嶋宇史²、徳田規夫¹、川江健¹ (1.金沢大、2.東京理科大)

13:30 〜 13:45

▲ [15p-4F-2] ALD-Al₂O₃/SD-AlN as Bilayer Gate Material for Diamond FET

〇RYAN BANAL¹, Masataka Imura¹, Liu Jiangwei¹, Koide Yasuo¹ (1.NIMS)

13:45 〜 14:00

△ [15p-4F-3] 絶縁破壊電圧1.7 kVおよび電流密度~200 mA/mmのC-HダイヤモンドMOSFET

〇工藤拓也¹、北林祐哉¹、山田哲也¹、許德琛¹、齊藤俊輝¹、松村大輔¹、平岩篤¹、川原田洋¹ (1.早大理工)

14:00 〜 14:15

▲ [15p-4F-4] Hydrogenated Black Diamond FET with high voltage breakdown of 1.8kV

〇(D)M.Syamsul N.S.B.¹, Kitabayashi Yuya¹, Daisuke Matsumura¹, Toshiki Saito¹, Hiroshi Kawarada¹ (1.Waseda Univ.)

14:15 〜 14:30

▲ [15p-4F-5] ZrO₂ on hydrogenated-diamond: breakdown electric field, interfacial band configuration, and gate-drain distance scaling effect for electrical property of MISFET

〇Jiangwei LIU¹, Meiyong Liao¹, Masataka Imura¹, Yasuo Koide¹ (1.NIMS)

14:30 〜 14:45

△ [15p-4F-6] 黒ダイヤモンドを用いた電解質溶液ゲートFETの電気的特性評価

〇(M1)楢村卓朗¹、モフドスクリシャイリ¹、稲葉優文¹、小林幹典¹、新谷幸弘^1,2、平岩篤¹、川原田洋¹ (1.早稲田理工学術院、2.横河電機)

14:45 〜 15:00

△ [15p-4F-7] 縦型構造トレンチチャネルC-HダイヤモンドMOSFET

〇斎藤俊輝¹、小林幹典¹、北林佑哉¹、松村大輔¹、稲葉優文¹、平岩篤¹、川原田洋¹ (1.早大理工)

15:00 〜 15:15

[15p-4F-8] NO₂分子吸着による水素終端ダイヤモンド表面のホールドーピングの実時間測定

〇(P)花田賢志¹、嘉数誠¹ (1.佐賀大工)

15:15 〜 15:30

[15p-4F-9] ホウ素ドープ超ナノ微結晶ダイヤモンド/水素化アモルファスカーボン混相膜の価電子帯評価

〇片宗優貴¹、竹市悟志¹、吉武剛¹、杉山武晴¹、池永英司²、大谷亮太³、小泉聡³ (1.九大、2.高輝度光科学研究センター/SPring-8、3.物材機構)

休憩（15:30 〜 15:45）

15:45 〜 16:00

[15p-4F-10] ダイヤモンド半導体を用いた低電圧印加による真空への電子放出

〇(PC)工藤唯義^1,2、竹内大輔^1,2、加藤宙光^1,2、牧野俊晴^1,2、小倉政彦^1,2、大串秀世^1,2、山崎聡^1,2,3 (1.産総研、2.CREST(JST)、3.筑波大)

16:00 〜 16:15

[15p-4F-11] ダイヤモンド(001)pin電子放出源におけるn型接触抵抗の影響

〇(PC)松本翼^1,2、川島宏幸^1,2,3、加藤宙光^1,2、牧野俊晴^1,2、竹内大輔^1,2、山崎聡^1,2,3 (1.産総研、2.CREST c/o 産総研、3.筑波大学)

16:15 〜 16:30

△ [15p-4F-12] ボロンドープダイヤモンド超伝導量子干渉計の作製に向けたジョセフソン接合の特性評価

〇日出幸昌邦¹、蔭浦泰資¹、柴田将暢¹、北林祐哉¹、山口尚秀²、高野義彦²、川原田洋¹ (1.早大理工、2.物材機構)

16:30 〜 16:45

△ [15p-4F-13] 超伝導ダイヤモンド中の格子緩和による積層欠陥の導入と磁束ピンニングの観測

〇(M2)蔭浦泰資¹、柴田将暢¹、山口尚秀²、高野義彦²、川原田洋¹ (1.早大理工、2.物材機構)

16:45 〜 17:00

△ [15p-4F-14] フィラメントCVD法による低抵抗 (1 mΩcm) ダイヤモンドの合成

〇大曲新矢¹、山田英明¹、梅沢仁¹、茶谷原昭義¹、鹿田真一¹、杢野由明¹ (1.産総研)

17:00 〜 17:15

△ [15p-4F-15] シンクロトロンX線トポグラフィによる高温高圧合成ダイヤモンド単結晶の積層欠陥の観察と解析

〇植松卓巳¹、村上竜一¹、桝谷聡士¹、角谷均²、花田賢志¹、嘉数誠¹ (1.佐賀大院工、2.住友電工アドバンストマテリアル研究所)

17:15 〜 17:30

[15p-4F-16] 銅触媒を用いたアニール法によるダイヤモンド表面のグラフェン形成

〇愛知慎也¹、植田研二¹、広瀬慎吾¹、浅野秀文¹ (1.名大院工)

休憩（17:30 〜 17:45）

17:45 〜 18:00

△ [15p-4F-17] 原料気体の高炭素濃度化によるヘテロエピタキシャルダイヤモンドの高速成長

〇藤田高吉¹、児玉英之¹、鈴木一博²、澤邊厚仁¹ (1.青学大理工、2.トウプラスエンジニアリング)

18:00 〜 18:15

[15p-4F-18] 【オンシリコン・ヘテロダイヤモンドデバイス】ダイヤモンドショットキーバリアダイオードのI-V特性

〇(DC)川島宏幸^1,2,3、野口仁⁴、小倉政彦^2,3、松本翼^2,3、加藤宙光^2,3、牧野俊晴^2,3、白井省三⁴、竹内大輔^2,3、山崎聡^1,2,3 (1.筑波大学、2.産総研、3.JST/CREST、4.信越化学工業)

18:15 〜 18:30

△ [15p-4F-19] ダイヤモンドにおける励起子発光の温度依存性

〇(DC)桑原大輔^1,2,3、牧野俊晴^2,3、加藤宙光^2,3、竹内大輔^2,3、小倉政彦^2,3、大串秀世^2,3、山崎聡^1,2,3 (1.筑波大、2.産総研、3.CREST/JST)

18:30 〜 18:45

[15p-4F-20] ダイヤモンド(111)基板中のアンサンブルNVセンタ配向率の定量化

〇田原康佐¹、小澤勇人¹、岩崎孝之¹、波多野睦子¹ (1.東工大)

18:45 〜 19:00

[15p-4F-21] 微細加工(001)基板上化学気相成長によるダイヤモンド中窒素空孔中心の生成と位置・配向制御

〇藤田留士郎¹、黒木諒¹、渡邊幸志²、赤羽浩一³、伊藤公平¹、早瀬潤子¹ (1.慶大理工、2.産総研、3.情報通信研究機構)

19:00 〜 19:15

[15p-4F-22] ナノホールレジストマスクを用いたNVセンタ配列の作製

〇(M1)東又格¹、小池悟大¹、寺地徳之²、小野田忍³、稲葉優文¹、Priyadharshini Balasubramanian⁴、Boris Naydenov⁴、Fedor Jelezko⁴、大島武³、品田高宏⁵、川原田洋¹、磯谷順一⁶、谷井孝至¹ (1.早大理工、2.物材機構、3.原子力機構、4.ウルム大、5.東北大、6.筑波大)

19:15 〜 19:30

[15p-4F-23] 重イオン照射を用いたNVセンター形成条件の最適化

〇(M2)春山盛善^1,2、小野田忍²、寺地徳之³、磯谷順一⁴、加田渉¹、大島武²、花泉修¹ (1.群馬大理工、2.原子力機構、3.物材機構、4.筑波大学)

19:30 〜 19:45

[15p-4F-24] ダイヤモンド中の単一ゲルマニウム-空孔センター

〇岩崎孝之^1,2、石橋史隆³、宮本良之^2,4、土井悠生³、小林悟士³、宮崎剛英^2,4、田原康佐¹、Kay Jahnke⁵、Lachlan Rogers⁵、Boris Naydenov⁵、Fedor Jelezko⁵、山崎聡^2,4、長町信治^6,7、犬伏俊郎⁷、水落憲和^2,3、波多野睦子^1,2 (1.東工大、2.CREST、3.阪大、4.産総研、5.ウルム大、6.長町サイエンスラボ、7.滋賀医大)

19:45 〜 20:00

[15p-4F-25] ダイヤモンド中の単一複合欠陥の探索に向けたスピン状態に関する第一原理計算

〇国崎愛子¹、ムルガナタンマノハラン²、水田博^2,3、小田俊理¹、岩崎孝之¹、波多野睦子¹、小寺哲夫¹ (1.東工大、2.JAIST、3.サザンプトン大学)

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6 薄膜・表面 » 6.2 カーボン系薄膜

[14a-4F-1~11] 6.2 カーボン系薄膜

△ [14a-4F-1] 犠牲用氷砂糖基板へのDLC膜の形成と自立膜化

△ [14a-4F-2] 水溶性犠牲層を用いた薄膜の単離

△ [14a-4F-4] フィルタードアーク蒸着DLC膜の100℃近傍の成膜温度依存性

△ [14a-4F-5] フィルタードアーク蒸着によって形成したフッ素含有ダイヤモンドライクカーボン膜

△ [14a-4F-6] フッ素化DLC 薄膜表面への軟X 線照射効果

▲ [14a-4F-8] Feasibility Study on Corrosion of Diamond-Like Carbon Films by Soft X-ray Photoelectron Emission Microscopy

△ [14a-4F-10] 亜鉛含有DLC膜における亜鉛徐放量の制御

[14p-PA9-1~14] 6.2 カーボン系薄膜

△ [14p-PA9-1] EBICによるダイヤモンドSBDの電界集中効果の評価

△ [14p-PA9-2] 多結晶ダイヤモンドを用いたVDF/TrFEゲートFET構造の作製

△ [14p-PA9-8] グラファイト状窒化炭素薄膜の蒸着合成温度による性質の変化

△ [14p-PA9-12] フィルタードアーク蒸着法を用いた膜質の異なる多層DLC膜の形成

△ [14p-PA9-13] DLC成膜におけるRGB測定によるプラズマ観察と成膜評価の検討

[15a-4F-1~9] 6.2 カーボン系薄膜

△ [15a-4F-7] 陽電子消滅法を用いた水素化DLC膜の自由体積の軟X線照射量依存性

▲ [15a-4F-8] [Young Scientist Presentation Award Speech] Nano-scale interlayer formation for thermally stable SBD electrical properties

[15p-4F-1~25] 6.2 カーボン系薄膜

△ [15p-4F-1] 強誘電体をゲート絶縁膜としたダイヤモンド表面チャネル型FET 構造の作製

▲ [15p-4F-2] ALD-Al2O3/SD-AlN as Bilayer Gate Material for Diamond FET

△ [15p-4F-3] 絶縁破壊電圧1.7 kVおよび電流密度~200 mA/mmのC-HダイヤモンドMOSFET

▲ [15p-4F-4] Hydrogenated Black Diamond FET with high voltage breakdown of 1.8kV

▲ [15p-4F-5] ZrO2 on hydrogenated-diamond: breakdown electric field, interfacial band configuration, and gate-drain distance scaling effect for electrical property of MISFET

△ [15p-4F-6] 黒ダイヤモンドを用いた電解質溶液ゲートFETの電気的特性評価

△ [15p-4F-7] 縦型構造トレンチチャネルC-HダイヤモンドMOSFET

△ [15p-4F-12] ボロンドープダイヤモンド超伝導量子干渉計の作製に向けたジョセフソン接合の特性評価

△ [15p-4F-13] 超伝導ダイヤモンド中の格子緩和による積層欠陥の導入と磁束ピンニングの観測

△ [15p-4F-14] フィラメントCVD法による低抵抗 (1 mΩcm) ダイヤモンドの合成

△ [15p-4F-15] シンクロトロンX線トポグラフィによる高温高圧合成ダイヤモンド単結晶の積層欠陥の観察と解析

△ [15p-4F-17] 原料気体の高炭素濃度化によるヘテロエピタキシャルダイヤモンドの高速成長

△ [15p-4F-19] ダイヤモンドにおける励起子発光の温度依存性

認証

▲ [15p-4F-2] ALD-Al₂O₃/SD-AlN as Bilayer Gate Material for Diamond FET

▲ [15p-4F-5] ZrO₂ on hydrogenated-diamond: breakdown electric field, interfacial band configuration, and gate-drain distance scaling effect for electrical property of MISFET