セッション一覧

6 薄膜・表面 » 6.5 表面物理・真空

一般セッション(口頭講演)

[16a-B3-1~6] 6.5 表面物理・真空

2016年9月16日(金) 09:00 〜 10:30 B3 (展示控室3)

大野真也(横国大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[16a-B3-1] ３次元局在プラズモン理論の２次元物質への応用

〇市川昌和¹ (1.東大院工)

09:15 〜 09:30

[16a-B3-2] RHEEDによる極性表面の識別

〇堀尾吉已¹、柚原淳司²、安部功二³、高桑雄二⁴、小川修一⁴ (1.大同大工、2.名大院工、3.名工大院工、4.東北大多元研)

09:30 〜 09:45

[16a-B3-3] ラマン分光とRBSを用いたArイオンを照射したSi基板表面分析

〇關雅志¹、田沼千秋² (1.東芝テック、2.法政大学)

09:45 〜 10:00

[16a-B3-4] アトムプローブとt-EBSDによる鉄鋼材料の粒界分析

〇間山憲仁¹、太期由貴子¹、新井納生美¹、佐々木智一¹ (1.東芝ナノアナリシス)

10:00 〜 10:15

[16a-B3-5] 非破壊電気コンタクトプローブの評価

〇吉武道子¹、塩見俊樹²、木下健太郎^2,3、岸田悟^2,3 (1.物材機構、2.鳥取大工、3.TiFREC)

10:15 〜 10:30

[16a-B3-6] X線光電子分光法を用いた触媒の価電子帯評価

〇三上仁志¹、廣瀬哲¹、堂坂健児¹ (1.本田技術研究所)

一般セッション(口頭講演)

[16p-B3-1~9] 6.5 表面物理・真空

2016年9月16日(金) 13:45 〜 16:15 B3 (展示控室3)

下村勝(静岡大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:45 〜 14:00

△ [16p-B3-1] NO プローブ分子を用いた光電子分光法 (XPS/UPS) による N-doped a-C 薄膜の表面構造の評価

〇(DC)村田悠馬¹、中山廉平¹、小野洋¹、チュウチャオキョン²、田中勝己¹ (1.電通大先進理工、2.電通大国際交流)

14:00 〜 14:15

▼ [16p-B3-2] Manipulating the dynamic motion of confined trimethylphosphine molecules in self-assembled pyrrole molecular fences

〇(D)Hirulak Dilshan Siriwardena¹、 Masaru Shimomura¹ (1.GSST, Shizuoka Univ.)

14:15 〜 14:30

△ [16p-B3-3] π電子相互作用により撥水液体を吸着した平坦表面

〇(D)天神林瑞樹¹、戸賀沢稜¹、白鳥世明¹ (1.慶大院理工)

14:30 〜 14:45

△ [16p-B3-4] Cs/GaAs表面における表面処理と量子効率の関係 (III)
~昇温脱離法によるNEA表面の解析~

〇稲垣雄大¹、池田有希¹、田中紘大¹、石川大介¹、志村優丞¹、飯島北斗¹、目黒多加志¹ (1.東理大理)

15:00 〜 15:15

[16p-B3-5] Si(111)-(√7×√3)-Inの表面へのアクセプター分子およびドナー原子の吸着による超伝導の制御

〇角直也¹、長谷川友里¹、山田洋一^1,2、佐々木正洋¹、吉澤俊介²、内橋隆² (1.筑波大数物、2.物材研)

15:15 〜 15:30

[16p-B3-6] 金属酸化物表面の原子欠陥の反応

〇湊丈俊^1,2,3、 Pang Chi-Lun⁴、浅尾直樹⁵、山本嘉則⁵、中山隆史⁶、川合眞紀⁷、金有洙² (1.東北大融合研、2.理研Kim表面界面研、3.京大産官学、4.UCL、5.東北大WPI-AIMR、6.千葉大院理、7.東大院新領域)

15:30 〜 15:45

[16p-B3-7] Si(001)表面上のCO分子の吸着構造と振動モードの解析

〇大野真也¹、清水正太郎¹、田中一馬¹、田中正俊¹、吉本真也²、吉信淳² (1.横国大院工、2.東大物性研)

15:45 〜 16:00

[16p-B3-8] Si(113)表面酸化における表面構造と電子状態の解析

〇小川新¹、田中博也¹、大野真也¹、田中正俊¹、三木一司²、小川修一³、高桑雄二³ (1.横国大院工、2.物材機構、3.東北大多元研)

16:00 〜 16:15

[16p-B3-9] ヘテロエピタキシャル成長時における薄膜ストレス遷移と表面形態の相関

〇魚住雄輝^1,2、山崎竜也³、朝岡秀人¹ (1.原子力機構、2.日立パワー、3.エイコー)

一般セッション(ポスター講演)

[15p-P15-1~8] 6.5 表面物理・真空

2016年9月15日(木) 16:00 〜 18:00 P15 (展示ホール)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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16:00 〜 18:00

[15p-P15-1] 六ホウ化ランタン(100)面の原子構造解析

高村優¹、倉地由季²、久保直也¹、浅井泰尊²、村田英一²、〇六田英治²、中川剛志¹、水野清義¹、大谷茂樹³ (1.九大総理工、2.名城大理工、3.物材機構)

16:00 〜 18:00

[15p-P15-2] シリコン酸化膜上のグラフェン薄膜の熱的安定性の解析

〇小川新¹、大野真也²、吉越章隆² (1.横国大院工、2.原子力機構)

16:00 〜 18:00

[15p-P15-3] Graphene/Ir(111) の表面状態、鏡像状態を利用したスピン流の生成
—高分解能2光子光電子分光による検証-

〇荒船竜一¹、中澤武夫²、高木紀明²、川合眞紀²、石田浩³ (1.物材機構MANA、2.東大新領域、3.日大文理)

16:00 〜 18:00

[15p-P15-4] 放射光XPSによるSi(100)2×1へのCH₃Cl吸着反応の研究

〇塚田千恵¹、吉田光¹、岡田美智雄²、吉越章隆¹、矢板毅¹ (1.原子力機構、2.阪大理)

16:00 〜 18:00

[15p-P15-5] 陽極酸化印加電圧の変調によるポーラスアルミナ薄膜の屈折率制御

穴水裕之¹、〇川本清¹ (1.八戸工大)

16:00 〜 18:00

▲ [15p-P15-6] Quartz Crystal Microbalance Gas Sensor Utilizing Graphene Oxide / TiO₂ Composite

〇(M1)Pramudi Savidya Jayawardena¹、 Hirulak Dilshan Siriwardena²、 Atsushi Kubono^1,2、 Masaru Shimomura^1,2 (1.GSIST, Shizuoka Univ、2.GSST, Shizuoka Univ)

16:00 〜 18:00

[15p-P15-7] メッシュ型ヒーターを用いた高温その場観察法

寺澤知潮^1,2、菊池章吾¹、〇手面学¹、木塚徳志¹ (1.筑波大、2.名大)

16:00 〜 18:00

[15p-P15-8] LaFeO₃(001)FeO₂終端表面でのNO分子吸着と磁性の第一原理計算〜酸素空孔の効果〜

〇木崎栄年^1,2、森川良忠^1,2 (1.阪大院工、2.京大ESICB)

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