[19a-S423-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[19a-S423-4] チャンバー密閉式ミニマル集光加熱炉を用いた薄い熱酸化膜形成

〇三浦 典子¹、山田 武史^1,2、相澤 洸^1,2、池田 伸一^1,3、石田 夕起^1,3、三ヶ原 孝則^1,3、西里 洋^1,4、梅山 規男^1,3、大西 康弘^1,2、クンプアン ソマワン^1,3、原 史朗^1,3 (1.ミニマルファブ、2.米倉製作所、3.産総研、4.堀場エステック)

キーワード：ミニマル、熱酸化、加熱炉

Siのドライ酸化プロセスにおける加熱炉体への大気巻込みは、トランジスタ特性を劣化させるだけでなく、熱酸化膜の薄膜化を困難にする。ミニマルプロセスで良質な薄い熱酸化膜を安定して形成するために、我々は密閉式チャンバーを用いたミニマル集光加熱炉を開発し、チャンバー内の真空引きと窒素ガス置換により、大気巻込みによる意図しない熱酸化の抑制を行った。