一般セッション(口頭講演)
15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物（SiC）
09:00 〜 09:30
〇小西 くみこ1 (1.日立製作所)
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09:30 〜 09:45
〇西尾 譲司1、岡田 葵1、太田 千春1、飯島 良介1 (1.（株）東芝)
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09:45 〜 10:00
〇寺西 秀明1、鹿児山 陽平1、宮里 真樹1 (1.富士電機)
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10:15 〜 10:30
〇(B)近藤 佑樹1、竹下 明伸1、今村 辰哉1、高野 晃大1、奥田 和也1、日高 淳輝1、松浦 秀治1、紀 世陽2、江藤 数馬2、児島 一聡2、加藤 智久2、吉田 貞史2、奥村 元2 (1.大阪電通大、2.産総研 先進パワエレ研)
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10:30 〜 10:45
〇日高 淳輝1、竹下 明伸1、今村 辰哉1、高野 晃大1、奥田 和也1、小川 晃平1、松浦 秀治1、紀 世陽2、江藤 数馬2、三谷 武志2、児島 一聡2、加藤 智久2、吉田 貞史2、奥村 元2 (1.大阪電通大、2.産総研先進パワエレ研)
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10:45 〜 11:00
〇西村 辰彦1、中西 英俊1、川山 巌2,3、斗内 政吉2、細井 卓治4、志村 考功4、渡部 平司4 (1.SCREEN、2.阪大レーザー研、3.京大院エネ科、4.阪大院工)
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11:00 〜 11:15
〇佐藤 希一1、藤井 高志1,3、荒木 努1、毛利 真一郎1、石地 耕太朗2、岩本 敏志3、杉江 隆一4 (1.立命館大理工、2.九州シンクロトロン光研究センター、3.日邦プレシジョン、4.東レリサーチセンター)
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11:15 〜 11:30
〇東堂 大地1、花房 宏明1、東 清一郎1 (1.広大院先端研)
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