シンポジウム(口頭講演)

[21p-M206-1~9] ワイドバンドギャップ半導体MOS界面科学の最前線

2022年9月21日(水) 13:30 〜 17:35 M206 (マルチメディアホール)

渡部平司(阪大)、久本大(日立製作所)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

13:30 〜 13:50

[21p-M206-1] 文科省「革新的パワーエレクトロニクス」の紹介と基礎科学への期待

〇大森達夫¹ (1.三菱電機　開発本部)

13:50 〜 14:20

〇木本恒暢¹、立木馨大¹、伊藤滉二¹、三上杏太¹、金子光顕¹ (1.京大工)

14:20 〜 14:35

〇畠山哲夫¹、平井悠久²、染谷満²、岡本大¹、岡本光央²、原田信介² (1.富山県立大工、2.産総研)

14:35 〜 15:05

〇橋詰保¹、赤澤正道¹ (1.北大量エレ研)

15:05 〜 15:35

〇宮崎誠一¹、大田晁生¹ (1.名大院工)

15:50 〜 16:20

〇白石賢二¹、押山淳¹ (1.名大未来研)

16:20 〜 16:50

〇喜多浩之¹ (1.東大新領域)

16:50 〜 17:05

〇宮本広信¹、小石川結樹¹、脇本大樹¹、佐々木公平¹、倉又朗人¹ (1.ノベルクリスタルテクノロジー)

17:05 〜 17:35

〇徳田規夫¹ (1.金沢大)