一般セッション(ポスター講演)

[24p-P10-1~4] 16.3 シリコン系太陽電池

2022年3月24日(木) 16:00 〜 18:00 P10 (ポスター)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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16:00 〜 18:00

[24p-P10-1] Cat-CVD SiN_x膜を表面に有するp型結晶Si太陽電池セルモジュールの電圧誘起劣化

〇石川凌一¹、板坂年希¹、Cam Tu Huynh Thi¹、立花福久²、大平圭介¹ (1.北陸先端大、2.産総研)

16:00 〜 18:00

▲ [24p-P10-2] Contact resistance between PH₃ plasma-ion-implanted p-type amorphous silicon and ITO at various flash lamp annealing conditions

〇(M2)Ukei Riyuu¹、Huynh Thi Cam Tu¹、Noboru Yamaguchi²、Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST、2.ULVAC Inc.)

16:00 〜 18:00

[24p-P10-3] 封止材無しp型結晶Si太陽電池モジュールの電圧誘起劣化

〇新保俊大朗¹、大平圭介¹、Huynh Thi Cam Tu¹ (1.北陸先端科学技術大学院大学)

16:00 〜 18:00

▲ [24p-P10-4] Developing highly transparent colored reflectors for building-integrated photovoltaics (BIPV)

〇(PC)Zhihao Xu¹、Takuya Matsui¹、Hitoshi Sai¹ (1.AIST)

一般セッション(口頭講演)

[26a-F408-1~9] 16.3 シリコン系太陽電池

2022年3月26日(土) 09:30 〜 12:00 F408 (F408)

立花福久(産総研)、仙波妙子(新潟大学)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:30 〜 09:45

[26a-F408-1] 結晶シリコン太陽電池を用いたフレキシブルモジュールの作製と評価

〇立花福久¹、棚橋克人¹、伊野裕司¹、白澤勝彦¹ (1.産総研)

09:45 〜 10:00

[26a-F408-2] n型フロントエミッタ型結晶Si太陽電池モジュールのNa侵入型電圧誘起劣化とその回復

〇大平圭介¹、小松豊¹、山口世力^1,2、増田淳³ (1.北陸先端大、2.筑波大、3.新潟大)

10:00 〜 10:15

[26a-F408-3] 佐賀県鳥栖市において屋外曝露された高効率結晶Si系太陽電池モジュールの屋内測定結果の年次推移(II)

〇千葉恭男¹、佐藤梨都子¹、崔誠佑¹、秋冨稔¹、石井徹之²、増田淳³ (1.産総研、2.電中研、3.新潟大)

10:15 〜 10:30

[26a-F408-4] 封止材を用いない結晶Si太陽電池モジュールに対する高温高湿／温度サイクル交互試験の影響

〇(M1)今城伸仁¹、大平圭介²、増田淳¹ (1.新潟大、2.北陸先端大)

10:30 〜 10:45

[26a-F408-5] 新概念結晶シリコン太陽電池モジュールの動作時におけるMgO/ SiO_x 膜による昇温抑止効果

〇傍島靖¹、清水健吾¹、大平圭介² (1.岐阜大工、2.北陸先端大)

11:00 〜 11:15

[26a-F408-6] 光の共鳴吸収を可能にするnmスケールのn型ドーパント領域、そのイオン注入後のアニール方法

〇城之下勇

11:15 〜 11:30

[26a-F408-7] 非対称粒界の粒界構造を網羅する人工粒界形成とキャリア再結合速度への影響解明

福田祐介¹、〇沓掛健太朗²、小島拓人³、大野裕⁴、宇佐美徳隆¹ (1.名大院工、2.理研AIP、3.名大院情報、4.東北大金研)

11:30 〜 11:45

[26a-F408-8] Silicon nanopyramid texture fabricated by one-step solution process and its application to silicon heterojunction solar cells

〇(D)李雨晴^1,2、齋藤¹、松井卓矢¹、宇佐美徳隆² (1.つくば産業総合研究所、2.名古屋大学)

11:45 〜 12:00

[26a-F408-9] GaドープCzシリコンPERCセルに対する光劣化の調査

〇伊野裕司¹、入江祐太²、平藤駿介²、伊藤憲和²、新楽浩一郎²、白澤勝彦¹、高遠秀尚¹ (1.産総研、2.京セラ㈱)

一般セッション(口頭講演)

[26p-F408-1~11] 16.3 シリコン系太陽電池

2022年3月26日(土) 13:30 〜 16:30 F408 (F408)

黒川康良(名大)、松井卓矢(産総研)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:30 〜 13:45

[26p-F408-1] 変換効率8.6%のヘテロ接合型Ge太陽電池

〇小長井誠¹、齋藤公彦²、中田和吉¹、市川幸美¹、陶山直樹¹、石川亮佑¹ (1.都市大総研、2.福島大共生理工)

13:45 〜 14:00

[26p-F408-2] 高効率ヘテロ接合型Ge太陽電池の界面制御

〇斉藤公彦¹、中田和吉²、石川亮佑²、陶山直樹²、小長井誠² (1.福島大学、2.東京都市大学　総研)

14:00 〜 14:15

[26p-F408-3] ヘテロ接合型Ge太陽電池の接合界面TEM評価

〇陶山直樹¹、齊藤公彦²、中田和吉¹、石川亮佑¹、小長井誠¹ (1.都市大総研、2.福島大共生システム理工)

14:15 〜 14:30

[26p-F408-4] タンデム太陽電池用低コストAl添加ZnO膜の成膜条件の検討

〇西原達平¹、Lee Hyunju^1,2、大下祥雄³、小椋厚志^1,2 (1.明治大、2.明大再生可能エネルギーインスティテュート、3.豊田工大)

14:30 〜 14:45

△ [26p-F408-5] タンデム太陽電池のボトムセルに向けたIWO膜の成膜条件の検討

〇張時雨¹、西原達平¹、Lee Hyunju^1,3、大下祥雄²、小椋厚志^1,3 (1.明治大学、2.豊田工大、3.明大 MREL)

15:00 〜 15:15

△ [26p-F408-6] 湿式法により形成したAlドープ超極薄SiO_xでのSi表面のパッシベーション

〇(D)中島寛記¹、Huynh Thi Cam Tu¹、大平圭介¹ (1.北陸先端大)

15:15 〜 15:30

[26p-F408-7] 直接窒化した極薄窒化Siによるパッシベーションコンタクト形成

〇Wen Yuli¹、Huynh Thi Cam Tu¹、大平圭介¹ (1.北陸先端大)

15:30 〜 15:45

[26p-F408-8] ファイヤースルーによるCat-CVD SiN_x膜の特性変化

〇板坂年希¹、立花福久²、Huynh Tu Thi Cam¹、大平圭介¹ (1.北陸先端大、2.産総研)

15:45 〜 16:00

[26p-F408-9] 窒化チタン/酸化チタン積層膜を用いた結晶シリコンヘテロ構造の電気的特性向上

〇井上徹哉¹、後藤和泰¹、黒川康良¹、宇佐美徳隆¹ (1.名大院工)

16:00 〜 16:15

[26p-F408-10] Si 結晶内酸素が RPD 誘起欠陥に与える影響

〇(DC)原知彦¹、大浦伊織¹、大下祥雄¹ (1.豊田工大)

16:15 〜 16:30

[26p-F408-11] フッ素注入したPoly-Si/SiO₂/Si構造における酸化膜の特性評価

〇棚橋克人¹、立花福久¹、高遠秀尚¹ (1.産総研)

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16 非晶質・微結晶 » 16.3 シリコン系太陽電池

[24p-P10-1~4] 16.3 シリコン系太陽電池

[24p-P10-1] Cat-CVD SiN_x膜を表面に有するp型結晶Si太陽電池セルモジュールの電圧誘起劣化

▲ [24p-P10-2] Contact resistance between PH₃ plasma-ion-implanted p-type amorphous silicon and ITO at various flash lamp annealing conditions

[24p-P10-3] 封止材無しp型結晶Si太陽電池モジュールの電圧誘起劣化

▲ [24p-P10-4] Developing highly transparent colored reflectors for building-integrated photovoltaics (BIPV)

[26a-F408-1~9] 16.3 シリコン系太陽電池

[26a-F408-1] 結晶シリコン太陽電池を用いたフレキシブルモジュールの作製と評価

[26a-F408-2] n型フロントエミッタ型結晶Si太陽電池モジュールのNa侵入型電圧誘起劣化とその回復

[26a-F408-3] 佐賀県鳥栖市において屋外曝露された高効率結晶Si系太陽電池モジュールの屋内測定結果の年次推移(II)

[26a-F408-4] 封止材を用いない結晶Si太陽電池モジュールに対する高温高湿／温度サイクル交互試験の影響

[26a-F408-5] 新概念結晶シリコン太陽電池モジュールの動作時におけるMgO/ SiO_x 膜による昇温抑止効果

[26a-F408-6] 光の共鳴吸収を可能にするnmスケールのn型ドーパント領域、そのイオン注入後のアニール方法

[26a-F408-7] 非対称粒界の粒界構造を網羅する人工粒界形成とキャリア再結合速度への影響解明

[26a-F408-8] Silicon nanopyramid texture fabricated by one-step solution process and its application to silicon heterojunction solar cells

[26a-F408-9] GaドープCzシリコンPERCセルに対する光劣化の調査

[26p-F408-1~11] 16.3 シリコン系太陽電池

[26p-F408-1] 変換効率8.6%のヘテロ接合型Ge太陽電池

[26p-F408-2] 高効率ヘテロ接合型Ge太陽電池の界面制御

[26p-F408-3] ヘテロ接合型Ge太陽電池の接合界面TEM評価

[26p-F408-4] タンデム太陽電池用低コストAl添加ZnO膜の成膜条件の検討

△ [26p-F408-5] タンデム太陽電池のボトムセルに向けたIWO膜の成膜条件の検討

△ [26p-F408-6] 湿式法により形成したAlドープ超極薄SiO_xでのSi表面のパッシベーション

[26p-F408-7] 直接窒化した極薄窒化Siによるパッシベーションコンタクト形成

[26p-F408-8] ファイヤースルーによるCat-CVD SiN_x膜の特性変化

[26p-F408-9] 窒化チタン/酸化チタン積層膜を用いた結晶シリコンヘテロ構造の電気的特性向上

[26p-F408-10] Si 結晶内酸素が RPD 誘起欠陥に与える影響

[26p-F408-11] フッ素注入したPoly-Si/SiO₂/Si構造における酸化膜の特性評価

認証

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[24p-P10-1~4] 16.3 シリコン系太陽電池

▲ [24p-P10-2] Contact resistance between PH3 plasma-ion-implanted p-type amorphous silicon and ITO at various flash lamp annealing conditions

▲ [24p-P10-4] Developing highly transparent colored reflectors for building-integrated photovoltaics (BIPV)

[26a-F408-1~9] 16.3 シリコン系太陽電池

[26p-F408-1~11] 16.3 シリコン系太陽電池

△ [26p-F408-5] タンデム太陽電池のボトムセルに向けたIWO膜の成膜条件の検討

△ [26p-F408-6] 湿式法により形成したAlドープ超極薄SiOxでのSi表面のパッシベーション

認証

▲ [24p-P10-2] Contact resistance between PH₃ plasma-ion-implanted p-type amorphous silicon and ITO at various flash lamp annealing conditions

△ [26p-F408-6] 湿式法により形成したAlドープ超極薄SiO_xでのSi表面のパッシベーション