[20p-B4-1~8] 13.5 Siプロセス技術

[20p-B4-5] Pを導入したNiSi₂電極を用いたn-Ge基板の電流電圧特性の熱処理依存性

^○元木雅章¹，吉原亮¹，角嶋邦之²，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，若林整²，筒井一生²，名取研二¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²)

キーワード：半導体,Ge