一般セッション(ポスター講演)

[28p-PB2-1~10] 14.1 探索的材料物性

2013年3月28日(木) 16:00 〜 18:00 PB2 (第二体育館)

ポスター掲示時間16:00〜18:00(PB会場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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[28p-PB2-1] 金属への不純物導入による金属／n⁺ダイヤモンド接合の電気特性 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○武正敦¹，田中祐樹¹，角嶋邦之²，アヘメトパールハット¹，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，筒井一生²，名取研二¹，服部健雄¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²)

[28p-PB2-2] リチウム二次電池正極材料Li₈SiN₄の結晶作成と物性評価 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○（B）山下大輝¹，桑野慎一¹，栗山一男¹，串田一雅² (法大理工¹，大阪教育大²)

[28p-PB2-3] Ba₈Ga₁₆Ge₃₀クラスレート結晶の光学特性 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○小島崇平¹，今井基晴²，久米徹二³，谷垣勝己⁴，田島裕之⁵，鵜殿治彦¹ (茨城大¹，物質材料機構²，岐阜大³，東北大⁴，東大物性研⁵)

[28p-PB2-4] 疑似薄膜粉末Siクラスレートの物性評価 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○飯田民夫¹，杉山貴都¹，山田彬文¹，溝口祐介¹，羽渕仁恵²，服部真嗣³，大橋史隆³，久米徹二³，伴隆幸³，野々村修一³ (岐阜高専¹，豊田高専²，岐阜大³)

[28p-PB2-5] Probe-EBIC法によるSi(111)基板上BaSi₂薄膜の接合・結晶粒評価 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○（P）渡辺健太郎^1,2，馬場正和¹，関口隆史^1,2，山根久典³，末益崇¹ (筑波大¹，物材機構²，東北大金研³)

[28p-PB2-6] Si(111)/Al/ガラス構造上におけるBaSi₂層の結晶成長と分光感度評価 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○沼田諒平¹，都甲薫¹，宇佐美徳隆^2,3，末益崇^1,3 (筑波大電・物専攻¹，東北大金研²，JST-CREST³)

[28p-PB2-7] Mg₂Si pn接合ダイオードの分光特性評価 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○竹崎誠朗¹，山中雄介¹，打越雅仁²，鵜殿治彦¹ (茨城大工¹，東北大多元研²)

[28p-PB2-8] 簡易なマグネシウムシリサイド結晶の溶融合成法の開発 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○神戸薫，鵜殿治彦 (茨城大工)

[28p-PB2-9] 溶融成長したマグネシウムシリサイド結晶への不純物共添加効果 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○蓮沼慎¹，石田大輔¹，磯田幸宏²，鵜殿治彦¹ (茨城大工¹，物質材料研究機構²)

[28p-PB2-10] MnSi_1.7結晶の溶液成長と光学特性評価 (4:00 PM ～ 6:00 PM)

^○飯岡優，石田大輔，小島崇平，鵜殿治彦 (茨城大工)

一般セッション(口頭講演)

[29p-G7-1~19] 14.1 探索的材料物性

2013年3月29日(金) 13:00 〜 18:00 G7 (B5号館 2F-2201)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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[29p-G7-1] ｢講演奨励賞受賞記念講演｣（15分）
BaSi₂エピタキシャル膜における不純物拡散係数の評価 (1:00 PM ～ 1:15 PM)

^○中村航太郎¹，馬場正和¹，Khan M. Ajmal¹，Weijie Du¹，宇佐美徳隆²，原康祐²，都甲薫¹，末益崇^1,3 (筑波大院数¹，東北大金研²，JST-CREST³)

[29p-G7-2] BaSi₂エピタキシャル膜におけるⅤ族元素拡散係数の評価 (1:15 PM ～ 1:30 PM)

^○章寧¹，中村航太郎¹，馬場正和¹，M.ajmal Khan¹，Weijie Du¹，小池信太郎¹，高部涼太¹，都甲薫¹，末益崇^1,2 (筑波大院　数　電物¹，JST-CREST²)

[29p-G7-3] MBE法によるn型伝導P-doped BaSi₂ 膜の作製と評価 (1:30 PM ～ 1:45 PM)

^○高部涼太¹，馬場正和¹，中村航太郎¹，Ajmal Khan¹，Weilie Du¹，小池信太郎¹，都甲薫¹，原康祐²，宇佐美徳隆^2,3，末益崇^1,3 (筑波大院電物¹，東北大²，JST-CREST³)

[29p-G7-4] BaSi2への軽元素侵入型化合物の物性予測 (1:45 PM ～ 2:00 PM)

^○今井庸二^1,2，相馬貢¹，末益崇² (産総研¹，筑波大・院²)

[29p-G7-5] BaSi₂エピタキシャル薄膜の粒界性格の評価 (2:00 PM ～ 2:15 PM)

^○馬場正和¹，中村航太郎¹，Weijie Du¹，Khan M.ajimal¹，都甲薫¹，連川貞弘²，原康介³，宇佐美徳隆^{3, 4}，末益崇^{1, 4} (筑波大院¹，熊本大²，東北大³，JST-CREST⁴)

[29p-G7-6] アニールしたBaSi₂エピタキシャル薄膜の余剰キャリア寿命 (2:15 PM ～ 2:30 PM)

^○（PC）原康祐^1,2，宇佐美徳隆^1,2，中村航太郎³，髙部涼太³，馬場正和³，都甲薫³，末益崇^2,3 (東北大金研¹，JST-CREST²，筑波大院³)

[29p-G7-7] Si(001)基板上BaSi₂によるトンネル接合の形成と分光感度特性の評価 (2:30 PM ～ 2:45 PM)

^○小池信太郎¹，馬場正和¹，中村航太郎¹，K.M. Ajamal¹，Weijie Du¹，都甲薫¹，末益崇^1,2 (筑波大院電子・物理工¹，JST-CREST²)

[29p-G7-8] BaSi₂/Si(111)へのAZO反射防止膜の形成と光学特性の評価 (2:45 PM ～ 3:00 PM)

^○島田直弥¹，馬場正和¹，米山貴裕¹，中村航太郎¹，小池信太朗¹，都甲薫¹，末益崇^1,2 (筑波大¹，JST-CREST²)

[29p-G7-9] RFスパッタ法を用いた加熱基板上への多結晶BaSi₂膜の形成 (3:00 PM ～ 3:15 PM)

^○ヌルルアブドゥルラティフ¹，米山貴裕¹，渋田見哲夫²，松丸慶太郎²，都甲薫¹，末益崇^1,3 (筑波大院　電子・物理工¹，東ソー²，JST-CREST³)

[29p-G7-9.1] 休憩(15分)

[29p-G7-10] HEPESによるFe₃Si/Geヘテロ構造の評価 (3:30 PM ～ 3:45 PM)

松本宏哉¹，山田晋也²，笠原健司²，浜屋宏平²，澤野憲太郎¹，宮尾正信²，^○野平博司¹ (東京都市大¹，九大²)

[29p-G7-11] 第一原理計算によるFe₃Si/Geにおける界面構造とSBH変調の関係 (3:45 PM ～ 4:00 PM)

^○（DC）小日向恭祐，中山隆史 (千葉大理)

[29p-G7-12] AgコートしたSi上への高品質鉄シリサイド薄膜の形成 (4:00 PM ～ 4:15 PM)

^○秋山賢輔^1,2，高橋亮¹，松本佳久¹，舟窪浩²，板倉賢³ (神奈川産技セ¹，東工大総理工²，九州大総理工³)

[29p-G7-13] △AgコートしたSi上に成長させたβ-FeSi₂薄膜の微細構造解析 (4:15 PM ～ 4:30 PM)

^○本村俊一¹，林剛平¹，板倉賢¹，秋山賢輔² (九大総理工¹，神奈川産業技術センター²)

[29p-G7-14] β-FeSi₂ナノ結晶の発光特性：フォノン結合の評価 (4:30 PM ～ 4:45 PM)

^○前田佳均 (九工大院情報工)

[29p-G7-15] ▲溶融塩法によるMnSi_1.7バルク結晶の成長と構造特性 (4:45 PM ～ 5:00 PM)

^○（DC）李文¹，孟二超¹，松下智治²，小田晋吾²，石川大輔²，中根海斗²，立岡浩一³ (静大創造科技院¹，静大院工²，静大工³)

[29p-G7-16] 希ガス混合Si薄膜における酸素の低減化Ⅱ (5:00 PM ～ 5:15 PM)

^○奥村竜二¹，羽渕仁恵²，藤田詩織¹，飯田民夫¹，大橋史隆³，久米徹二³，伴隆幸³，野々村修一³ (岐阜高専¹，豊田高専²，岐阜大工³)

[29p-G7-17] カーボンナノ構造体を含有した金属酸化物薄膜の評価 (5:15 PM ～ 5:30 PM)

^○中川拓哉¹，吉岡秀樹²，山本伸一¹ (龍谷大院理工¹，兵庫工技セ²)

[29p-G7-18] 新規層状窒化炭素化合物の合成と結晶構造解析 (5:30 PM ～ 5:45 PM)

^○寒川匡哉¹，亀友健太¹，財部健一¹，山崎大輔² (岡山理科大¹，岡大地科研²)

[29p-G7-19] ナノ窒化炭素の高温高圧処理による新規層状窒化炭素化合物の光学特性 (5:45 PM ～ 6:00 PM)

^○亀友健太，寒川匡哉，財部健一 (岡山理科大)

一般セッション(口頭講演)

[30a-G7-1~10] 14.1 探索的材料物性

2013年3月30日(土) 09:00 〜 11:45 G7 (B5号館 2F-2201)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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[30a-G7-1] Si基板上Mgスパッタ膜のアルゴン雰囲気中アニール処理によるMg(sub>2Si膜の合成 (9:00 AM ～ 9:15 AM)

^○池畑隆，安藤龍哉，山本拓哉，高木雄太，佐藤直幸，鵜殿治彦 (茨城大工)

[30a-G7-2] スパッタリング法によるエピタキシャルMg₂Si膜の作製 (9:15 AM ～ 9:30 AM)

^○片桐淳生¹，小川正太¹，松島正明¹，秋山賢輔^1,2，舟窪浩¹ (東工大院¹，神奈川県産業技術センター²)

[30a-G7-3] スパッタリング法によるMg₂Si膜の作製と評価 (9:30 AM ～ 9:45 AM)

^○小川正太¹，片桐淳生¹，松島正明¹，秋山賢輔^1,2，舟窪浩¹ (東工大¹，神奈川産技センター²)

[30a-G7-4] △スパッタリング法によるアモルファスMg₂Si系半導体の作製と評価 (9:45 AM ～ 10:00 AM)

^○原昌太，加藤敬，松木伸行，藤原裕之 (岐阜大)

[30a-G7-5] Na₂Mg₃X₂ (X = Sn, Pb)の合成と結晶構造および電気的特性 (10:00 AM ～ 10:15 AM)

^○石山亮，山田高広，山根久典 (東北大多元研)

[30a-G7-6] Lu_2(x-1)Tb_2xO₃混晶の結晶成長と光学特性 (10:15 AM ～ 10:30 AM)

^○知花優太郎，石若望，小田久哉，成瀬寛峰，山中明生 (千歳科学技術大)

[30a-G7-6.1] 休憩(15分)

[30a-G7-7] 第一原理計算を用いたFドープTiO₂系のキャリア活性化率とTiOF₂生成の熱力学 (10:45 AM ～ 11:00 AM)

^○神坂英幸¹，水口菜々子²，山下晃一²，長谷川哲也¹ (東大院理¹，東大院工²)

[30a-G7-8] 酸素雰囲気下における下地元素の膜表面への偏析予測法 (11:00 AM ～ 11:15 AM)

^○吉武道子 (物材機構)

[30a-G7-9] AlGaN/GaN基板に形成したTiSi₂コンタクトの熱処理時間依存性 (11:15 AM ～ 11:30 AM)

^○岡本真里 (東工大)

[30a-G7-10] 半導体中の光キャリアダイナミクスのイメージング (11:30 AM ～ 11:45 AM)

^○福本恵紀^1,2，山田友輝¹，恩田健^1,3，腰原伸也^1,2 (東工大¹，JST-CREST²，JST-PRESTO³)

セッション一覧

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[30a-G7-1~10] 14.1 探索的材料物性