2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[19a-S423-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2016年3月19日(土) 09:00 〜 12:30 S423 (南4号館)

佐々木 実(豊田工大)、角村 貴昭(東京エレクトロン)

11:30 〜 11:45

[19a-S423-10] ポイント・アレイ方式を用いた高分解能マスクレス露光の評価

北山 侑司1、竹田 宣生3、クンプアン ソマワン1,2、原 史朗1,2 (1.ミニマルファブ技術研究組合、2.産総研、3.(株)大日本科研)

キーワード:ミニマル、リソグラフィ

DLP方式を用いたマスクレス露光装置の課題として、形成するパターンのエッジに、DMDの画素ごとのデジタル描画に起因した段差が現れる点がある。今回我々は、ポイント・アレイ方式と呼ばれる高分解能技術を採用した露光装置を開発し、実際にレジストパターンを形成し評価を行い、デジタル描画に起因した段差が見られないことを確認した。このような特徴は、光導波路など性能がエッジ形状に左右されるデバイスの作製に有用である。