[19a-S423-1~13] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /MEMS/Integration technology

[19a-S423-9] Effect of thermal convection on Minimal Si-CVD equipment

〇Takanori Mikahara^1,2, Noriko Miura¹, Yuuki Ishida², Takahiro Ito³, Shinichi Ikeda², Hitoshi Habuka⁴, Sommawan Khumpuang², Shiro Hara² (1.MINIMAL, 2.AIST, 3.ORIENTAL MOTOR, 4.Yokohama N Univ)

Keywords:Minimalfab,Semiconductor,CVD

ミニマルファブCVD装置を開発するためには、装置の小型化が、必要で装置に納めるガスボンベの容量を小さくしなければならない。前回の発表ではキャリアガスのH₂の流量を100 sccmまで削減できたが、流体シミュレーションでは、H₂流量200 sccmでは熱対流と強制対流が混在し、100 sccmでは熱対流による上昇流に支配されることが示めされた。H₂流量と成長速度の関係を調べ熱対流が成長に与える影響を評価した結果を報告する。