[19a-S423-1~13] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /MEMS/Integration technology

[19a-S423-10] Evaluation of high-resolution maskless exposure using point array method

〇Yuuji Kitayama¹, Nobuo Takeda³, Sommawan Khumpuang^1,2, Shiro Hara^1,2 (1.MINIMAL, 2.AIST, 3.DNK)

Keywords:MINIMAL,Lithography

DLP方式を用いたマスクレス露光装置の課題として、形成するパターンのエッジに、DMDの画素ごとのデジタル描画に起因した段差が現れる点がある。今回我々は、ポイント・アレイ方式と呼ばれる高分解能技術を採用した露光装置を開発し、実際にレジストパターンを形成し評価を行い、デジタル描画に起因した段差が見られないことを確認した。このような特徴は、光導波路など性能がエッジ形状に左右されるデバイスの作製に有用である。