[20p-E301-1~9] 窒化物半導体エッチング技術　〜高制御性と低損傷性を求めて〜

[20p-E301-6] n型GaNのICP-RIEにおけるバイアスパワー制御によるプラズマダメージの低減

〇山田 真嗣^1,2,3、櫻井 秀樹^1,2,3、長田 大和³、中村 敏幸³、上村 隆一郎³、須田 淳^1,2、加地 徹¹ (1.名大未来研、2.名大院工、3.アルバック半電研)

キーワード：窒化ガリウム、誘導結合型プラズマ反応性イオンエッチング

GaN系トレンチゲート縦型パワー半導体デバイスを実現する上で、誘導結合型プラズマ反応性イオンエッチング(ICP-RIE)を用いた低ダメージかつ高レートなトレンチ加工ドライエッチング技術を確立することは必要不可欠である。我々は、この技術の確立を目指して、バイアスパワー(P_bias)制御によるドライエッチング技術を開発し、その効果をn型GaNのショットキー特性から詳細に検証した。