[INP] Interactive Session, Short Presentation

[INP-10i] Improved Optical Memory Characteristics and Wavelength Dependence of Solution-Processed Organic Floating-Gate Transistor Devices

*Hayato Abe¹, Takashi Nagase^1,2, Takashi Kobayashi^1,2, Hiroyoshi Naito^1,2 (1. Osaka Prefecture University, 2. RIMED)

本研究では、可溶性ペンタセン及び少量の可溶性フラーレンを添加した高分子絶縁体を用いて、塗布プロセスにより有機フローティングゲートトランジスタ素子を作製し、光照射下でのメモリ特性を調べた。その結果、消去特性及び保持特性が可溶性フラーレンを添加していない素子と比較して改善し、閾値電圧シフト量が35 V程度まで増大し、外挿による保持時間で10⁹秒を超える長時間の電荷保持が可能となった。また、光メモリ特性の波長依存性から、半導体層だけでなく有機フローティングゲート構造内での光キャリア生成が閾値電圧シフト量の増加に寄与している可能性があることが分かった。