一般セッション(ポスター講演)

[19p-P3-1~6] 9.3 ナノエレクトロニクス

2013年9月19日(木) 13:30 〜 15:30 P3 (デイヴィス記念館 )

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:30 〜 15:30

[19p-P3-1] デバイスエラーを許容する二次元単電振動子システムの評価(2)

^○村上可諭，大矢剛嗣 (横国大院工)

13:30 〜 15:30

[19p-P3-2] ナノギャップ系単電子トランジスタの作製における電極形状の検討

^○森原康平，須田隆太郎，滝川主喜，白樫淳一 (東京農工大院工)

13:30 〜 15:30

[19p-P3-3] 通電による原子移動制御手法の直並列接続型ナノギャップへの適用

^○豊中貴大，伊藤光樹，平田晃大，白樫淳一 (東京農工大院工)

13:30 〜 15:30

[19p-P3-4] 直列に接続された30個のナノギャップの通電による一括狭窄化

^○平田晃大，伊藤光樹，豊中貴大，白樫淳一 (東京農工大院工)

13:30 〜 15:30

[19p-P3-5] 原子間力顕微鏡によるエレクトロマイグレーションのその場観察

^○八木麻実子，須田隆太郎，齋藤孝成，白樫淳一 (東京農工大院工)

13:30 〜 15:30

[19p-P3-6] 直列接続型ナノギャップでの通電によるギャップ狭窄過程の電気的特性評価

^○伊藤光樹，平田晃大，豊中貴大，白樫淳一 (東京農工大院工)

一般セッション(口頭講演)

[20a-C11-1~11] 9.3 ナノエレクトロニクス

2013年9月20日(金) 09:00 〜 12:00 C11 (TC3 2F-210)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[20a-C11-1] 単電子ドミノ論理回路におけるメモリの設計

^○（M1）大竹央将，大矢剛嗣 (横国大院工)

09:15 〜 09:30

[20a-C11-2] 蟻の群行動に学ぶ単電子情報処理回路(2)

^○（M1）小尾勇志，大矢剛嗣 (横国大院工)

09:30 〜 09:45

[20a-C11-3] Ge/Si core/shell ナノワイヤ量子ドットの形成

^○和田賢二^1,2，王鋭¹，鈴木利一^1,2，Russel Deacon¹，深田直樹³，石橋幸治¹ (理研¹，千葉大院²，物材研³)

09:45 〜 10:00

[20a-C11-4] リモート水素プラズマ支援によるSiO2上へのFeナノドットの高密度形成

^○張海，福岡諒，壁谷悠希，牧原克典，宮崎誠一 (名大院工)

10:00 〜 10:15

[20a-C11-5] SiO援用によるAlトンネル接合の面積縮小化とクーロンブロッケイド温度計への応用

^○（M2）牛澤旭人，滝口将志，島田宏，守屋雅隆，水柿義直 (電通大情報理工)

休憩　（10:15 〜 10:30）

10:30 〜 10:45

[20a-C11-6] 超伝導島電極を有する強磁性単一電子トランジスタにおける磁気抵抗比のバイアス電圧依存性

^○（D）滝口将志，島田宏，水柿義直 (電通大)

10:45 〜 11:00

△ [20a-C11-7] Ni系ナノギャップを用いた強磁性単電子トランジスタの作製

^○須田隆太郎，森原康平，滝川主喜，白樫淳一 (東京農工大院工)

11:00 〜 11:15

[20a-C11-8] グラフェン３分岐ナノ接合デバイスのトップゲート制御

^○（M2）殷翔，葛西誠也 (北大量集センター)

11:15 〜 11:30

[20a-C11-9] 電圧制御型フィードバック通電過程におけるグラフェンのCCD近赤外線イメージングによるその場温度測定

^○齋藤孝成，須田隆太郎，又吉美佐枝，白樫淳一 (東京農工大院工)

11:30 〜 11:45

[20a-C11-10] GaAsナノワイヤ電子ブラウンラチェットデバイスのフラッシング動作特性

^○阿部遊子^1,2，田中貴之^1,2，葛西誠也^1,2 (北大院情報科学¹，北大量子集積センター²)

11:45 〜 12:00

[20a-C11-11] ナノワイヤFETネットワーク確率共鳴を利用した生体信号検出に関する基礎的検討

^○今井裕理，葛西誠也 (北大院情報科学および量集センター)

一般セッション(口頭講演)

[20p-C11-1~7] 9.3 ナノエレクトロニクス

2013年9月20日(金) 13:00 〜 14:45 C11 (TC3 2F-210)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食　（12:00 〜 13:00）

13:00 〜 13:15

[20p-C11-1] 急峻電流特性トランジスタを利用した確率共鳴による微小信号検出

^○西口克彦，藤原聡 (NTT物性研)

13:15 〜 13:30

[20p-C11-2] GaAsナノワイヤFETを用いた分子ダイナミクス検出の検討

^○井上慎也^1,2，黒田亮太^1,2，葛西誠也^1,2 (北大院情報科学¹，北大量集センター²)

13:30 〜 13:45

[20p-C11-3] 光機能性をもつRuTPP(CO)単一分子トランジスタの試作と伝導特性

^○（M2）岡村直柔¹，坂田修一¹，吉田健治¹，石井和之¹，平川一彦^1,2 (東京生研¹，ナノ量子機構²)

13:45 〜 14:00

▼ [20p-C11-4] Thermoelectricity in Molecular Junctions with Ni Electrodes

^○See Kei Lee，Ryo Yamada，Tatsuhiko Ohto，Hirokazu Tada (阪大院基礎工)

14:00 〜 14:15

△ [20p-C11-5] エレクトロマイグレーションによるAu細線破断過程のTEMその場観察

^○村上暢介，越智隼人，浜田弘一，有田正志，髙橋庸夫 (北大院情報)

14:15 〜 14:30

[20p-C11-6] バイポーラフィードバック電圧制御法によるNiナノ構造の形状変化

^○越智隼人，村上暢介，浜田弘一，有田正志，高橋庸夫 (北大院情報)

14:30 〜 14:45

[20p-C11-7] リアルタイムOSによるエレクトロマイグレーション制御システムの金属細線チャネルへの適用

^○安藤昌澄，齋藤孝成，金丸祐真，白樫淳一 (東京農工大院工)

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[19p-P3-1~6] 9.3 ナノエレクトロニクス

[19p-P3-1] デバイスエラーを許容する二次元単電振動子システムの評価(2)

[19p-P3-2] ナノギャップ系単電子トランジスタの作製における電極形状の検討

[19p-P3-3] 通電による原子移動制御手法の直並列接続型ナノギャップへの適用

[19p-P3-4] 直列に接続された30個のナノギャップの通電による一括狭窄化

[19p-P3-5] 原子間力顕微鏡によるエレクトロマイグレーションのその場観察

[19p-P3-6] 直列接続型ナノギャップでの通電によるギャップ狭窄過程の電気的特性評価

[20a-C11-1~11] 9.3 ナノエレクトロニクス

[20a-C11-1] 単電子ドミノ論理回路におけるメモリの設計

[20a-C11-2] 蟻の群行動に学ぶ単電子情報処理回路(2)

[20a-C11-3] Ge/Si core/shell ナノワイヤ量子ドットの形成

[20a-C11-4] リモート水素プラズマ支援によるSiO2上へのFeナノドットの高密度形成

[20a-C11-5] SiO援用によるAlトンネル接合の面積縮小化とクーロンブロッケイド温度計への応用

[20a-C11-6] 超伝導島電極を有する強磁性単一電子トランジスタにおける磁気抵抗比のバイアス電圧依存性

△ [20a-C11-7] Ni系ナノギャップを用いた強磁性単電子トランジスタの作製

[20a-C11-8] グラフェン３分岐ナノ接合デバイスのトップゲート制御

[20a-C11-9] 電圧制御型フィードバック通電過程におけるグラフェンのCCD近赤外線イメージングによるその場温度測定

[20a-C11-10] GaAsナノワイヤ電子ブラウンラチェットデバイスのフラッシング動作特性

[20a-C11-11] ナノワイヤFETネットワーク確率共鳴を利用した生体信号検出に関する基礎的検討

[20p-C11-1~7] 9.3 ナノエレクトロニクス

[20p-C11-1] 急峻電流特性トランジスタを利用した確率共鳴による微小信号検出

[20p-C11-2] GaAsナノワイヤFETを用いた分子ダイナミクス検出の検討

[20p-C11-3] 光機能性をもつRuTPP(CO)単一分子トランジスタの試作と伝導特性

▼ [20p-C11-4] Thermoelectricity in Molecular Junctions with Ni Electrodes

△ [20p-C11-5] エレクトロマイグレーションによるAu細線破断過程のTEMその場観察

[20p-C11-6] バイポーラフィードバック電圧制御法によるNiナノ構造の形状変化

[20p-C11-7] リアルタイムOSによるエレクトロマイグレーション制御システムの金属細線チャネルへの適用