一般セッション(口頭講演)

[20a-D3-1~5] 15.7 エピタキシーの基礎

2013年9月20日(金) 09:00 〜 12:00 D3 (MK 2F-201)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[20a-D3-1] GaAs(001)-(2x4)表面におけるNペア形成に関する理論検討

^○伊藤智徳，杉谷龍彦，秋山亨，中村浩次 (三重大院工)

09:15 〜 09:30

[20a-D3-2] Mn吸着GaAs(001)表面の電子状態と構造安定性評価

^○萩原敦¹，大竹晃浩²，奥北和哉¹，中村淳¹ (電通大先進理工¹，物材機構²)

09:30 〜 10:15

[20a-D3-3] 「結晶工学分科内招待講演」（45分）エピタキシャル成長のメカニズム：これまでにわかったこと，今後に期待すること

^○西永頌 (東大（名誉教授）)

休憩　（10:15 〜 10:30）

10:30 〜 11:15

[20a-D3-4] 「結晶工学分科内招待講演」（45分）化合物半導体ナノワイヤの選択成長機構

^○福井孝志 (北大情報科学研究科)

11:15 〜 12:00

[20a-D3-5] 「結晶工学分科内招待講演」（45分）可視光およびX線を用いた窒化物半導体結晶成長原子レベルその場観察

鞠光旭¹，渕真悟^2,5，田渕雅夫^2,3，竹田美和⁴，本田善央¹，山口雅史^1,2，^○天野浩^1,2 (名大院工¹，名大ARC²，名大SR³，科技財団あいちSR⁴，青学理工⁵)

一般セッション(口頭講演)

[20p-D3-1~6] 15.7 エピタキシーの基礎

2013年9月20日(金) 13:00 〜 14:30 D3 (MK 2F-201)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食　（12:00 〜 13:00）

13:00 〜 13:15

[20p-D3-1] A^8-NB^N化合物における構造変化に関する理論的検討

^○竹本圭孝，伊藤智徳，秋山亨，中村浩次 (三重大院工)

13:15 〜 13:30

[20p-D3-2] InAs/GaAs(001)ぬれ層表面での表面構造の変化に関する量子論的アプローチ

^○平井健太郎，秋山亨，中村浩次，伊藤智徳 (三重大院工)

13:30 〜 13:45

[20p-D3-3] InN/GaNヘテロ構造形成過程でのIII族元素の原子配置に関する理論的研究

^○伊藤綾子，秋山亨，中村浩次，伊藤智徳 (三重大院工)

13:45 〜 14:00

[20p-D3-4] GaN_xAs_1-x-yBi_y/GaAs(001)薄膜の混和性に関する理論的検討

^○牧原敬宏，秋山亨，中村浩次，伊藤智徳 (三重大院工)

14:00 〜 14:15

[20p-D3-5] 側面に基板拘束のあるGaN_xAs_1-xナノワイヤの混和性に関する理論的研究

^○加藤真崇，秋山亨，中村浩二，伊藤智徳 (三重大院工)

14:15 〜 14:30

[20p-D3-6] GaAsマイクロチャンネルエピタキシーにおけるマスクパターン形状による過飽和度制御

^○冨田将史，高倉宏幸，岩川宗樹，水野陽介，山田純平，菱田武重，神林大介，成塚重弥 (名城大理工)

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