一般セッション(ポスター講演)

[19a-P4-1~2] 13.1 基礎物性・評価

2013年9月19日(木) 09:30 〜 11:30 P4 (デイヴィス記念館 )

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:30 〜 11:30

[19a-P4-1] STEM-EBIC法によるSiデバイスの実用的な空乏層可視化技術実現

^○田中洋毅¹，石川貴之¹，花田和弘²，三里朗²，富田充裕¹ (東芝研究開発センター¹，東芝S&S社²)

09:30 〜 11:30

▲ [19a-P4-2] Study of carrier density depth profiling in highly-doped Ge using HREELS

^○Sungjin Park¹，Noriyuki Uchida¹，Yoshihiko Moriyama²，Tsutomu Tezuka²，Tetsuya Tada¹ (産総研　ナノエレ部門¹，産総研　GNC²)

一般セッション(口頭講演)

[20a-C9-1~12] 13.1 基礎物性・評価

2013年9月20日(金) 09:00 〜 12:15 C9 (TC3 2F-202)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[20a-C9-1] 2MeV電子線を照射したひずみSi/ひずみ緩和Si_0.7Ge_0.3/Si基板構造のラマン分光法によるひずみ量評価

^○（B）村上英司郎¹，中島敏之^2,3，米岡将士¹，角田功¹，高倉健一郎¹，中庸行⁴，末益崇⁵ (熊本高等専門学校¹，宮崎大²，中央電子工業³，堀場製作所⁴，筑波大⁵)

09:15 〜 09:30

[20a-C9-2] 不純物添加/無添加Si ナノ粒子のラマン分光法による結晶・非晶解析

^○百瀬美穂^1,2，平坂雅男¹，古川行夫² (帝人¹，早大先進理工²)

09:30 〜 09:45

[20a-C9-3] バイアス印加が一次元連結Si系量子ドットのPL特性に及ぼす影響

^○（M2）鈴木善久¹，牧原克典¹，池田弥央²，宮崎誠一¹ (名大院工¹，広大院先端研²)

09:45 〜 10:00

[20a-C9-4] 薄膜SOIにおけるUVラマンスペクトルのサイズ効果

^○多田哲也¹，ウラジミールポボロッチ¹，森田行則²，右田真司²，パヴェルゲシェフ³，金山敏彦⁴ (産総研-NeRI¹，GNC-産総研²，ロシア熱物理学研究所³，産総研⁴)

10:00 〜 10:15

[20a-C9-5] 導電性AFM探針による高密度一次元連結Si系量子ドットからの電子放出特性評価

^○（M2）竹内大智¹，牧原克典¹，池田弥央²，宮崎誠一¹ (名大院工¹，広大院先端研²)

10:15 〜 10:30

▲ [20a-C9-6] Photocarrier Buildup Effects in Si Nanostripes Measured by Scanning Probe Microscopy

^○Leonid Bolotov^1,2，多田哲也²，福田浩一²，Vladimir Poborchii²，金山敏彦² (筑波大¹，産総所²)

休憩　（10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

▼ [20a-C9-7] Analysis of Electrical Field in Surface Enhanced Raman Spectroscopy Using Strained-Si Substrate

^○シティノルヒダヤーチェモハマドユソフ，小瀬村大亮，木嶋隆浩，小椋厚志 (明治大理工)

11:00 〜 11:15

[20a-C9-8] 多結晶Siの弾性的性質～古典分子動力学シミュレーション～

^○高橋憲彦¹，金田千穂子¹，中西鉄雄² (富士通研¹，信越化学工業²)

11:15 〜 11:30

[20a-C9-9] 結晶Ge極薄膜をシード層とするa-Siの固相成長

^○斎藤聡哲，半那純一 (東工大像情報)

11:30 〜 11:45

△ [20a-C9-10] 有限要素法による異種の構造から導入される重畳応力の評価

^○富田基裕^1,2，小瀬村大亮¹，小椋厚志¹ (明大理工¹，学振特別研究員DC²)

11:45 〜 12:00

[20a-C9-11] シリコン表面の酸化膜密度とエッチングレートの相関性評価

^○土井修平，蓮沼隆，山部紀久夫 (筑波大)

12:00 〜 12:15

△ [20a-C9-12] 液浸ラマン分光法による高Ge濃度圧縮歪SiGeメサ構造/Ge基板からのLO,TOフォノンスペクトルの観測

^○小瀬村大亮¹，富田基裕^1,3，臼田宏治²，手塚勉²，小椋厚志¹ (明治大理工¹，産総研GNC²，学振特別研究員DC³)

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