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シンポジウム » ・半導体モデリング・シミュレーションの現状と将来展望

シンポジウム

[27a-G10-1~3] 半導体モデリング・シミュレーションの現状と将来展望

2013年3月27日(水) 10:30 〜 12:00 G10 (B5号館 2F-2204)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[27a-G10-1] 半導体デバイスのコンパクトモデル：現状と将来展望（30分） (10:30 AM ～ 11:00 AM)

^○三浦道子 (広大先端研)

[27a-G10-2] モンテカルロ法による微細金属配線抵抗のモデリング（30分） (11:00 AM ～ 11:30 AM)

^○来栖貴史，谷本弘吉，和田真，磯林厚伸，梶田明弘，青木伸俊，豊島義明 (東芝 S&S社)

[27a-G10-3] 大規模・大領域高速デバイスシミュレーション（30分） (11:30 AM ～ 12:00 AM)

^○石川清志¹，松澤一也¹，大倉康幸¹，越本浩央²，池上努²，福田浩一² (STARC¹，産総研²)

シンポジウム

[27p-G10-1~6] 半導体モデリング・シミュレーションの現状と将来展望

2013年3月27日(水) 13:30 〜 16:45 G10 (B5号館 2F-2204)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[27p-G10-0] 昼食(90分)

[27p-G10-1] 第一原理密度汎関数法計算による半導体材料設計（30分） (1:30 PM ～ 2:00 PM)

^○岩田潤一 (東大院物工)

[27p-G10-2] Kinetic MC 法による SiGe チャネル中の原子レベル不純物拡散モデリング（30分） (2:00 PM ～ 2:30 PM)

^○野田泰史¹，Wilfried Vandervorst^{2, 3} (パナソニック¹，IMEC²，K.U. Leuven³)

[27p-G10-2.1] 休憩(15分)

[27p-G10-3] 微細MOSFETの将来動向（30分） (2:45 PM ～ 3:15 PM)

^○高木信一，竹中充 (東大院・工)

[27p-G10-4] ナノデバイスのシミュレーション：なぜ、モンテカルロ法か？（30分） (3:15 PM ～ 3:45 PM)

^○佐野伸行 (筑波大電物)

[27p-G10-5] 非平衡グリーン関数法を用いた微細FETの量子輸送シミュレーション（30分） (3:45 PM ～ 4:15 PM)

^○森伸也^1,2 (阪大工¹，JST CREST²)

[27p-G10-6] 微細MOSFETの電子輸送シミュレーションのための量子流体モデル（30分） (4:15 PM ～ 4:45 PM)

^○鍾菁廣¹，小田中紳二² (阪大情¹，阪大サイバーメディアセンター²)