昼食12:30～14:00 (12:30 〜 14:00)
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一般セッション(口頭講演)
13．半導体A（シリコン） » 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術
[19p-A19-1~15] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術
2014年9月19日(金) 14:00 〜 18:00 A19 (E311)
△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし
14:00 〜 14:15
原田和宏，中谷公彦，○芦原洋司，金山健司 (日立国際電気)
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14:15 〜 14:30
○佐藤勝，武山真弓，野矢厚 (北見工大)
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14:30 〜 14:45
○Yuan Guangjie，Hideharu Shimizu，Takeshi Momose，Yukihiro Shimogaki (東大院工)
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14:45 〜 15:00
○（D）嶋紘平1，涂远2，韓斌2，高見澤悠2，清水秀治1，清水康雄2，百瀬健1，井上耕治2，永井康介2，霜垣幸浩1 (東大院工1，東北大金研2)
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15:00 〜 15:15
須藤弘1，石川真人1，○町田英明1，Rasadujjaman Md2，近藤英一2 (気相成長1，山梨大2)
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15:15 〜 15:30
Md. Rasadujjaman1，渡邉満洋1，須藤弘2，町田英明2，○近藤英一1 (山梨大1，気相成長2)
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15:30 〜 15:45
○渡邉満洋1，植野隆大1，近藤英一1，山本敏2，末益龍夫2 (山梨大院医工1，フジクラ2)
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15:45 〜 16:00
○松本勇士1，青笹明彦1，小杉諒佑1，宮崎久生2，和田真2，佐久間尚志2，梶田明広2，酒井忠司2，上野和良1 (芝浦工大1，超低電圧デバイス技術研究組合2)
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休憩16:00～16:15 (16:00 〜 16:15)
16:15 〜 16:30
○武山真弓1，佐藤勝1，野矢厚1，小林靖志2，中田義弘2，中村友二2 (北見工大1，富士通研2)
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16:30 〜 16:45
○田嶋聡美1，林俊雄1，石川健治1，関根誠1，佐々木実2，山川晃司3，堀勝1 (名大院工1，豊田工大2，片桐エンジニアリング3)
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16:45 〜 17:00
○作石敏幸1,2，村山貴英1,2，森川泰宏1,2 (アルバック1，NMEMS2)
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17:00 〜 17:15
○中村誠，北田秀樹，作山誠樹 (富士通)
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17:15 〜 17:30
○菅原陽平1，橋口日出登1，谷川星野1，木野久志2，福島誉史3，李康旭3，小柳光正3，田中徹1,2 (東北大院工1，東北大院医工2，東北大未来研3)
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17:30 〜 17:45
○土手暁1，森田将1，北田秀樹1，水島賢子2，作山誠樹1 (富士通1，富士通研究所2)
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17:45 〜 18:00
○刀根輝徳1，横山聡1，久保田弘1，吉岡昌雄2 (熊大院自1，熊大工2)
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