一般セッション(口頭講演)

[20a-A25-6~13] 16.2 プロセス技術・デバイス

2014年9月20日(土) 10:30 〜 12:30 A25 (E318)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

10:30 〜 10:45

[20a-A25-6] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
メニスカス力を用いた中空構造SOI層の低温転写とフレキシブル基板上での単結晶シリコンTFTの作製

^○酒池耕平^1,2，赤澤宗樹¹，小林義崇¹，中村将吾¹，東清一郎^1,3 (広大院先端研¹，学振特別研究員 PD²，広大ナノデバイス・バイオ融合科学研究所³)

10:45 〜 11:00

^○太田裕紀，福山孔一，宝田隼，古川昭雄 (東理大院)

11:00 〜 11:15

^○小田健志，宝田隼，古川昭雄 (東理大)

11:15 〜 11:30

^○大橋史隆，今井承一，姫野呂人，久米徹二，伴隆幸，青木正人，野々村修一 (岐大工)

11:30 〜 11:45

^○小島祐二¹，磯村雅夫^1,2 (東海大院工¹，東海大工²)

11:45 〜 12:00

^○溝口雅裕¹，増田貴史¹，申仲栄¹，高岸秀行²，下田達也^1,2 (北陸先端大マテ¹，北陸先端大GDRC²)

12:00 〜 12:15

^○（M2）渡邊大貴，大平圭介 (北陸先端大)

12:15 〜 12:30

^○梅本宏信^1,2，金光泰二郎^1,2 (静岡大工¹，JST CREST²)