一般セッション(口頭講演)

[18p-A14-1~18] 7.6 イオンビーム一般

2014年9月18日(木) 13:15 〜 18:15 A14 (E305)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:15 〜 13:30

[18p-A14-1] ^10/11C イオン生成 · 加速のための^10/11C 分子生成 · 分離システムの開発

^○片桐健，永津弘太郎，北條悟，中尾政夫，鈴木和年，野田章，野田耕司 (放医研)

13:30 〜 13:45

[18p-A14-2] Ne,Ar混合下における電界電離Heイオンビームの飛行時間分析

^○小牧啓介¹，永井滋一^1,2，岩田達夫^1,2，梶原和夫^1,2，畑浩一^1,2 (三重大院工¹，三重大極限ナノエレセ²)

13:45 〜 14:00

[18p-A14-3] ガスクラスターイオンビームによるCuパターンエッチング

^○日野浦諒¹，豊田紀章¹，原謙一²，山田公¹ (兵庫県立大院工¹，東京エレクトロン²)

14:00 〜 14:15

[18p-A14-4] ガス雰囲気下GCIB 照射励起反応による反応脱離物の計測

^○（M2）森本寛規，豊田紀章，山田公 (兵庫県大工)

14:15 〜 14:30

[18p-A14-5] He混合によるClF3中性クラスター速度制御

^○瀬木利夫¹，吉野裕²，妹尾武彦²，小池国彦²，唐橋一浩³，青木学聡¹，松尾二郎¹ (京大院工¹，岩谷産業²，阪大院工³)

14:30 〜 14:45

[18p-A14-6] フレキシブル基板上へのリップル構造転写プロセス

^○岡部晋宜，平岡陽祐，田中志保美，Golap Kalita，種村眞幸 (名工大院工)

休憩14:45～15:00 （14:45 〜 15:00）

15:00 〜 15:15

[18p-A14-7] C_nH_2n+1⁺イオンビームを照射したシリコン基板の照射損傷評価

^○林恭平，竹内光明，龍頭啓充，高岡義寛 (京大光・電子理工セ)

15:15 〜 15:30

[18p-A14-8] ケミカルアシスト法を用いた高感度MeV-SIMS分析に関する研究

^○藤井麻樹子，草刈将一，瀬木利夫，青木学聡，松尾二郎 (京大院工)

15:30 〜 15:45

[18p-A14-9] Arガスクラスターイオンビームを用いた有機試料の三次元質量イメージング法の確立

^○若本恵佑，中川駿一郎，瀬木利夫，青木学聡 (京大院工)

15:45 〜 16:00

[18p-A14-10] MeV重イオンを用いた揮発性混合試料の低真空二次イオン質量分析

^○草刈将一，藤井麻樹子，瀬木利夫，青木学聡，松尾二郎 (京大院工)

16:00 〜 16:15

[18p-A14-11] 真空エレクトロスプレーにより生成される帯電液滴の質量電荷比分布

^○二宮啓¹，境悠治²，リーチュインチェン¹，平岡賢三² (山梨大医工¹，山梨大クリーン²)

16:15 〜 16:30

[18p-A14-12] 水およびメタノールクラスターイオンビームを用いたアミノ酸分子のSIMS測定

^○永田翔吾，盛谷浩右，井原一誠，乾徳夫，持地広造 (兵庫県大院工)

休憩16:30～16:45 （16:30 〜 16:45）

16:45 〜 17:00

[18p-A14-13] 炭素ビームを用いたTOF-RBS法の開発

^○安田啓介，中田吉則 (若狭湾エネ研)

17:00 〜 17:15

[18p-A14-14] 静電型分析器を用いたTOF-ERDAによる極浅原子分布分析技術の開発(II)

^○阿保智，李沛，姚欣遠，若家冨士男，高井幹夫 (阪大院基礎工)

17:15 〜 17:30

[18p-A14-15] イオン液体EMIM-N(CN)₂イオンビームによる薄膜形成

^○星出優輝，竹内光明，龍頭啓充，高岡義寛 (京大光電子理工セ)

17:30 〜 17:45

[18p-A14-16] イオン照射によるc軸垂直配向ScAlN薄膜の極性反転現象

^○（DC）鈴木雅視，柳谷隆彦 (名工大)

17:45 〜 18:00

[18p-A14-17] Gaイオン照射した窒化シリコン薄膜へのGaN成長におけるイオン照射エネルギーの影響（II）

^○（M2）松井祐斗，アザマトオシュラフノフ，柳沢淳一 (滋賀県立大工)

18:00 〜 18:15

[18p-A14-18] Si基板中への高温酸素イオン注入により形成したSOI構造の評価

神川智洋，星野靖，斎藤保直，^○中田穣治 (神奈川大理)

一般セッション(ポスター講演)

[19p-PA3-1~4] 7.6 イオンビーム一般

2014年9月19日(金) 13:30 〜 15:30 PA3 (第1体育館)

ポスター掲示時間13:30～15:30(PA3会場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:30 〜 15:30

[19p-PA3-1] XPSによるアルゴンガスクラスターイオンビームを照射したSi基板表面の損傷評価(2)

^○三井所亜子，高橋真，稲葉雅之，三宅修吾 (コベルコ科研)

13:30 〜 15:30

[19p-PA3-2] 難加工材料へのガスクラスターイオンビーム照射効果

^○花園勝巳，登木口克己，潟岡泉 (オーエスアイ)

13:30 〜 15:30

[19p-PA3-3] 陽子マイクロビームプローブによるイオン誘起発光顕微分光分析を可能にする高分解能顕微光学系の開発

^○加田渉¹，横山彰人²，江夏昌志²，山田尚人²，佐藤隆博²，神谷富裕² (群馬大¹，原子力機構²)

13:30 〜 15:30

[19p-PA3-4] ガラス基板上に形成されたリップル構造のサイズ制御

^○平岡陽祐，岡部晋宜，Golap Kalita，種村眞幸 (名工大院工)

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[18p-A14-1~18] 7.6 イオンビーム一般

[18p-A14-1] ^10/11C イオン生成 · 加速のための^10/11C 分子生成 · 分離システムの開発

[18p-A14-2] Ne,Ar混合下における電界電離Heイオンビームの飛行時間分析

[18p-A14-3] ガスクラスターイオンビームによるCuパターンエッチング

[18p-A14-4] ガス雰囲気下GCIB 照射励起反応による反応脱離物の計測

[18p-A14-5] He混合によるClF3中性クラスター速度制御

[18p-A14-6] フレキシブル基板上へのリップル構造転写プロセス

[18p-A14-7] C_nH_2n+1⁺イオンビームを照射したシリコン基板の照射損傷評価

[18p-A14-8] ケミカルアシスト法を用いた高感度MeV-SIMS分析に関する研究

[18p-A14-9] Arガスクラスターイオンビームを用いた有機試料の三次元質量イメージング法の確立

[18p-A14-10] MeV重イオンを用いた揮発性混合試料の低真空二次イオン質量分析

[18p-A14-11] 真空エレクトロスプレーにより生成される帯電液滴の質量電荷比分布

[18p-A14-12] 水およびメタノールクラスターイオンビームを用いたアミノ酸分子のSIMS測定

[18p-A14-13] 炭素ビームを用いたTOF-RBS法の開発

[18p-A14-14] 静電型分析器を用いたTOF-ERDAによる極浅原子分布分析技術の開発(II)

[18p-A14-15] イオン液体EMIM-N(CN)₂イオンビームによる薄膜形成

[18p-A14-16] イオン照射によるc軸垂直配向ScAlN薄膜の極性反転現象

[18p-A14-17] Gaイオン照射した窒化シリコン薄膜へのGaN成長におけるイオン照射エネルギーの影響（II）

[18p-A14-18] Si基板中への高温酸素イオン注入により形成したSOI構造の評価

[19p-PA3-1~4] 7.6 イオンビーム一般

[19p-PA3-1] XPSによるアルゴンガスクラスターイオンビームを照射したSi基板表面の損傷評価(2)

[19p-PA3-2] 難加工材料へのガスクラスターイオンビーム照射効果

[19p-PA3-3] 陽子マイクロビームプローブによるイオン誘起発光顕微分光分析を可能にする高分解能顕微光学系の開発

[19p-PA3-4] ガラス基板上に形成されたリップル構造のサイズ制御