^〇Sundararajan Balasekaran，Hiroshi Inada，Kouhei Miura，Yukihiro Tsuji，Ken-ichi Machinaga，Masaki Migita，Yasuhiro Iguchi，Tsukuru Tsukuru Katsuyama (Sumitomo Electric Industries, LTD)

16:00 〜 16:15

[17p-C6-8] 10μｍ帯ホトダイオードの開発

^○田中章雅，三嶋飛鳥，押村吉徳 (浜松ホトニクス)

16:15 〜 16:30

[17p-C6-9] 電荷敏感型赤外線検出器(CSIP)の遠赤外線領域への拡張

^○（D）二瓶亮太^1,2，小宮山進^3,4，佐藤崇⁵，川田光伸²，土井靖生³，松浦周二²，中川貴雄^1,2 (東大理物¹，宇宙研²，東大総文³，情通研⁴，東大生研⁵)

16:30 〜 16:45

[17p-C6-10] 電荷敏感型赤外光子検出器(CSIP)における量子効率の向上

^○金鮮美¹，小宮山進^2,3，佐藤崇¹，Mikhail Patrashin³，梶原優介¹ (東大生研¹，東大総文²，情通研³)

一般セッション(口頭講演)

[18a-C6-1~10] 3.13 半導体光デバイス

2014年9月18日(木) 09:15 〜 12:00 C6 (C212)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:15 〜 09:30

△ [18a-C6-1] 歪補償多重積層InAs量子ドットを用いた1.55μm帯半導体光増幅器による高速光信号増幅

^○吉田尚也^1,2，外林秀之¹，松田大輝^1,2，渡辺泰司^1,2，赤羽浩一²，山本直克²，菅野敦史²，川西哲也² (青山大理工¹，情報通信研²)

09:30 〜 09:45

[18a-C6-2] Lamb方程式によるTEモード一方向発振リングレーザの動作解析

^○坂東敬広，八木友飛，清水大雅 (農工大工)

09:45 〜 10:00

[18a-C6-3] チェビシェフ条件を用いた4次直列結合異径リング波長選択スイッチの損失を考慮した設計

^○早坂伸之，池原広樹，荒川太郎，國分泰雄 (横国大院)

10:00 〜 10:15

[18a-C6-4] 小型低クロストークInGaAsP細線導波路光スイッチの作製

^○一宮佑希，横山正史，竹中充，高木信一 (東大院工)

10:15 〜 10:30

[18a-C6-5] 高純度GaAs 厚膜を用いた高効率空間光変調器２

^○脇田紘一，吉田拓矢，高橋誠 (中部大)

休憩10:30～10:45 （10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

[18a-C6-6] 高キャリア密度ITO層を用いたシリコンリブ導波路変調器の解析

^○綾田雅文，種村拓夫，中野義昭 (東大院工)

11:00 〜 11:15

[18a-C6-7] 半導体光アンプ集積・量子ドット光変調デバイスの開発

^○渡辺克樹^1,2，山本直克²，赤羽浩一²，梅沢俊匡²，川西哲也²，江森俊文¹，高井裕司¹ (電機大工¹，情報通研²)

11:15 〜 11:30

△ [18a-C6-8] InP/InGaAsPモノリシック偏波変調器の提案と実証

^○川端祐斗，財津優，種村拓夫，中野義昭 (東大院工)

11:30 〜 11:45

[18a-C6-9] Bragg反射鏡導波路による多モード干渉スプリッター

^○鈴木絢子，顧暁冬，松谷晃宏，小山二三夫 (東工大)

11:45 〜 12:00

[18a-C6-10] 低損失・広波長帯域多モード干渉(MMI)導波路によるコヒーレントレシーバ用90^oハイブリッド集積受光素子の高感度化

^○菊地健彦，八木英樹，井上尚子，増山竜二，勝山智和，上坂勝己，米田昌博，小路元 (住友電工)

一般セッション(口頭講演)

[18p-C6-1~17] 3.13 半導体光デバイス

2014年9月18日(木) 13:30 〜 18:00 C6 (C212)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

昼食12:00～13:30 （12:00 〜 13:30）

13:30 〜 13:45

[18p-C6-1] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）
発振波長の低い温度依存性を有するGaAs_1-xBi_xレーザダイオードの実現

^○冬木琢真，吉田憲司，吉岡諒，吉本昌広 (京工繊大)

13:45 〜 14:00

[18p-C6-2] AlGaAs/AlAsタイプⅡ量子井戸中の電子及び正孔の電界印加後の波動関数

^○野村貴俊¹，下村哲¹，石川史太郎¹，福澤薫²，白方祥¹，近藤久雄¹ (愛媛大理工¹，科技振²)

14:00 〜 14:15

[18p-C6-3] 正弦波形組成構造をもつ分布型ブラッグ反射器内のバンドプロファイル

^○真鍋直樹，松田晃賢，石川史太郎，下村哲 (愛媛大理工)

14:15 〜 14:30

[18p-C6-4] 混晶化法を用いたAlAs選択酸化特性の数値解析

^○魏徹，宮本智之 (東工大精研)

14:30 〜 14:45

△ [18p-C6-5] VCSEL光閉じ込めに用いるイオン注入混晶化の基礎検討

^○（M2）菊池麻子，宮本智之 (東工大)

14:45 〜 15:00

[18p-C6-6] 励起準位を用いた高利得化VCSELに関する基礎検討

^○角田健¹，松谷晃宏²，宮本智之¹ (東工大精研¹，東工大技術部²)

15:00 〜 15:15

[18p-C6-7] 選択的絶縁体クラッド層を有するリッジ型半導体レーザー

^○（M2）大島光則，沼居貴陽 (立命館大)

15:15 〜 15:30

[18p-C6-8] 横方向回折格子と選択的絶縁体クラッド層を有するリッジ型半導体レーザー　―クラッド層厚依存性―

^○平崎琢也，沼居貴陽 (立命大院理工)

15:30 〜 15:45

[18p-C6-9] (411)A面 GaAs基板上のGaAs/GaAsBi量子井戸の光学的特性

^○西井寅貴，檜垣興一郎，建部崇政，名原優，Patil Pallavi，石川史太郎，下村哲 (愛媛大理工)

休憩15:45～16:00 （15:45 〜 16:00）

16:00 〜 16:15

△ [18p-C6-10] GaAs基板上1.3 um帯メタモルフィックInGaAs MQWレーザによる25 Gb/s直接変調動作

^○中尾亮，荒井昌和，小林亘，神徳正樹 (NTTフォトニクス研)

16:15 〜 16:30

△ [18p-C6-11] GaInAsP/InP半導体薄膜分布帰還レーザの低しきい値動作

^○厚地祐輝¹，土居恭平¹，李智恩¹，渥美裕樹¹，平谷拓生¹，井上大輔¹，雨宮智宏²，西山伸彦¹，荒井滋久^1,2 (東工大電気電子工学専攻¹，量子ナノ²)

16:30 〜 16:45

[18p-C6-12] 1.3 um帯外部共振器型量子ドットレーザの4波長同時発振

^○安岡奈美¹，石田充²，高田幹²，山口正臣²，山本剛之²，荒川泰彦¹ (東大¹，富士通研究所²)

16:45 〜 17:00

▲ [18p-C6-13] Measurement of Temperature Dependence of Threshold Current in InAs/GaAs Quantum Dot Lasers with p-Type Doping

^〇Timothy Rae，Katsuaki Tanabe，Satoshi Iwamoto，Yasuhiko Arakawa (NanoQuine, IIS, Univ. Tokyo)

17:00 〜 17:15

△ [18p-C6-14] 多波長InAs量子ドットの高次励起準位間発光を用いた電流注入型超広帯域近赤外光源

^○（M2）保田拓磨¹，柴田弘¹，大河内俊介²，池田直樹³，大里啓孝³，渡辺英一郎³，Richard Hogg⁴，尾崎信彦¹ (和歌山大シス工¹，NEC²，物材機構³，シェフィールド大⁴)

17:15 〜 17:30

[18p-C6-15] 広帯域量子ドットLDの発振帯域評価手法

^○吉沢勝美¹，沢渡義規¹，赤羽浩一²，山本直克² (パイオニアMTC¹，情報通信研究機構²)

17:30 〜 17:45

[18p-C6-16] 単一モード中赤外量子カスケードレーザの低消費電力化の検討

^○吉永弘幸，森大樹，橋本順一，辻幸洋，村田誠，棚橋俊之，勝山造 (住友電工)

17:45 〜 18:00

[18p-C6-17] 世界最小レーザロケット：思考実験

^○塚田俊久 (キューブIT)

一般セッション(ポスター講演)

[19a-PA8-1~2] 3.13 半導体光デバイス

2014年9月19日(金) 09:30 〜 11:30 PA8 (第1体育館)

ポスター掲示時間9:30～11:30(PA8会場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:30 〜 11:30

[19a-PA8-1] 集光導波路構造を導入したアレイ導波路型InAs量子ドットLEDの検討

^○（M1）鋤柄俊樹，山元雄太，西山哲央，下村和彦 (上智大)

09:30 〜 11:30

▲ [19a-PA8-2] Extraction of SRH and Auger Recombination Coefficients by Utilizing Theoretical Radiative Recombination Coefficient and Rate Equation in LEDs

^〇Joosun Yun^1,2，Hideki Hirayama²，Jong-In Shim¹ (Hanyang Univ.¹，RIKEN²)

セッション一覧

03．光・フォトニクス » 3.13 半導体光デバイス

[17a-C6-1~6] 3.13 半導体光デバイス

[17p-C6-1~10] 3.13 半導体光デバイス

▲ [17p-C6-4] Dark current reduction of waveguide InGaAs MSM photodetector on III-V CMOS photonics platform by InAlAs cap layer

▲ [17p-C6-7] Effect of surface pretreatments on the performance of InAs/GaSb superlattice MWIR photodiodes.

[18a-C6-1~10] 3.13 半導体光デバイス

△ [18a-C6-1] 歪補償多重積層InAs量子ドットを用いた1.55μm帯半導体光増幅器による高速光信号増幅

△ [18a-C6-8] InP/InGaAsPモノリシック偏波変調器の提案と実証

[18p-C6-1~17] 3.13 半導体光デバイス

△ [18p-C6-5] VCSEL光閉じ込めに用いるイオン注入混晶化の基礎検討

△ [18p-C6-10] GaAs基板上1.3 um帯メタモルフィックInGaAs MQWレーザによる25 Gb/s直接変調動作

△ [18p-C6-11] GaInAsP/InP半導体薄膜分布帰還レーザの低しきい値動作

▲ [18p-C6-13] Measurement of Temperature Dependence of Threshold Current in InAs/GaAs Quantum Dot Lasers with p-Type Doping

△ [18p-C6-14] 多波長InAs量子ドットの高次励起準位間発光を用いた電流注入型超広帯域近赤外光源

[19a-PA8-1~2] 3.13 半導体光デバイス

▲ [19a-PA8-2] Extraction of SRH and Auger Recombination Coefficients by Utilizing Theoretical Radiative Recombination Coefficient and Rate Equation in LEDs