^〇Chee Fai Fong^1,2，Yasutomo Ota^1,2，Edmund Harbord^1,3，Satoshi Iwamoto^1,2，Yasuhiko Arakawa^1,2 (NanoQuine, Univ of Tokyo¹，IIS, Univ. of Tokyo²，Univ. of Bristol³)

11:15 〜 11:30

[18a-A27-9] 超伝導電極を用いた量子ドットスピン干渉計におけるスピン分極の検出

^○久保敏弘¹，都倉康弘^1,2 (筑波大数理物質¹，NTT物性基礎研²)

11:30 〜 11:45

▼ [18a-A27-10] Terahertz intersublevel transitions in single self-assembled InAs quantum dots with variable electron numbers

^○（D）張亜¹，柴田憲治¹，長井奈緒美¹，G. Bastard^1,3，C. Ndebeka-Bandou^1,3，平川一彦^1,2 (東大生研¹，東大INQIE²，LPA, Ecole Normale Superieure³)

11:45 〜 12:00

[18a-A27-11] 単一InAs量子リングの面内g因子測定と光学異方性の考察

^○（M2）冨井拓真，鍜治怜奈，足立智 (北大院工)

12:00 〜 12:15

[18a-A27-12] 単一量子リングにおける正孔g因子のばらつきと価電子帯混合の相関

^○鍜治怜奈¹，冨井拓真¹，笹倉弘理²，呉佑年³，鄭舜仁³，足立智¹ (北大院工¹，北大創成研究機構²，台湾国立交通大³)

12:15 〜 12:30

[18a-A27-13] 位置制御ナノワイヤ量子ドットの励起状態及びゼロ吸収領域の観測

^○マークホームズ¹，加古敏²，崔琦鉉¹，有田宗貴¹，荒川泰彦^1,2 (東大ナノ量子機構¹，東大生研²)

一般セッション(口頭講演)

[18p-A27-1~17] 14.2 超薄膜・量子ナノ構造

2014年9月18日(木) 14:00 〜 19:00 A27 (N302)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食12:30～14:00 （12:30 〜 14:00）

14:00 〜 14:45

▲ [18p-A27-1] 「Invited lecture of overseas researcher」（45min.）
Broad Spectral Bandwidth Light Emitters for Biomedical Imaging

^○Richard Hogg (シェフィールド大)

14:45 〜 15:00

[18p-A27-2] MBE成長とウエハ接合により作製したpn接合を含む量子ドット結合共振器

^○北田貴弘，原山千穂，太田寛人，前川知久，高田博文，盧翔孟，熊谷直人，井須俊郎 (徳島大院フロンティア)

15:00 〜 15:15

[18p-A27-3] InAs量子ドットを含むGaAs/AlGaAs結合共振器の電流注入による二波長発光

^○原山千穂¹，上原敏弘¹，中河義典^1,2，盧翔孟¹，熊谷直人¹，北田貴弘¹，井須俊郎¹ (徳島大院フロンティア¹，日亜化学²)

15:15 〜 15:30

[18p-A27-4] InAs量子ドットを有するGaAs/AlAs多層膜三結合共振器の四光波混合信号測定

^○大柄根斉宣¹，安長千徳¹，中河義典^1,2，森田健¹，北田貴弘¹，井須俊郎¹ (徳島大院フロンティア¹，日亜化学²)

15:30 〜 15:45

▲ [18p-A27-5] Germanium Nano-Wires Fabrication And Size Control by Combined Top-Down Process Neutral Beam Etching And Hydrogen Radical Treatment

^〇M.T. Chentir^1,2，Takeru Okada¹，Naoyuki Kawai³，Kazumi Wada³，Seiji Samukawa^1,2,4 (Inst. of Fluid Sci., Tohoku Univ.¹，CREST Japan Sci. and Tech. Agency²，Dept. of Mat. Eng., Univ. of Tokyo³，WPI-Advanced Inst. for Materials Res., Tohoku Univ.⁴)

15:45 〜 16:00

▼ [18p-A27-6] Optimization of Passivation Layer for a Quantum Dot Superlattice Fabricated with Bio-template and Neutral Beam Etching Technology for High Efficiency Solar Cell

^〇Mohammad Maksudur Rahman^1,4，Takeru Okada¹，Akio Higo³，Halubai Sekhar¹，Masakazu Sugiyama⁵，Yoshiaki Nakano⁵，Noritaka Usami²，Seiji Samukawa^1,3,4 (Institute of Fluid Science, Tohoku University¹，Graduate School of Engineering, Nagoya University²，WPI Advanced Institute for Materials Research, Tohoku University³，Japan Science and Technology Agency, CREST⁴，Graduate School of Engineering, the University of Tokyo⁵)

16:00 〜 16:15

▲ [18p-A27-7] Etching of InGaAs/GaAs layered structures by neutral beam etching for quantum dot laser applications

^〇（PC）Cedric Thomas^1,5，Chang Yong Lee^1,5，Kenichi Yoshikawa^1,5，Akio Higo²，Takayuki Kiba^3,5，Ichiro Yamashita^4,5，Akihiro Murayama^3,5，Seiji Samukawa^1,2,5 (Inst. of Fluid Science, Tohoku Univ.¹，WPI-AIMR, Tohoku Univ.²，Hokkaido Univ.³，Nara Inst. of Info. and Technol.⁴，JST-CREST⁵)

16:15 〜 16:30

[18p-A27-8] バイオテンプレート極限加工によるInGaAs量子ナノディスクの光学特性評価

^○肥後昭男¹，木場隆之^2,7，セドリックトーマス^3,7，李昌勇^3,7，吉川憲一³，田村洋典³，山下一郎⁴，王雲鵬⁵，ソダーバンルハサネット⁵，杉山正和⁶，中野義昭⁶，村山明宏²，寒川誠二^1,3,7 (東北大WPI-AIMR¹，北大院情報科学²，東北大流体研³，奈良先端大⁴，東大先端研⁵，東大工⁶，JST-CREST⁷)