一般セッション(口頭講演)

[18p-E2-1~18] 17.1 成長技術

2014年3月18日(火) 13:15 〜 18:00 E2 (E102)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:15 〜 13:30

[18p-E2-1] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）SiC上に成長したグラフェンのダメージフリー転写

^○田邉真一¹，古川一暁²，日比野浩樹² (NTTフォトニクス研¹，NTT物性基礎研²)

13:30 〜 13:45

[18p-E2-2] SiC(0001) Si面上エピタキシャルグラフェン成長における[1-100]ステップの役割

^○影島博之¹，日比野浩樹¹，山口浩司¹，永瀬雅夫² (NTT物性基礎研¹，徳島大工²)

13:45 〜 14:00

[18p-E2-3] SiC上バッファ層の水素雰囲気下でのアニール -グラフェンリッジの生成とエッチング-

^○高村真琴¹，高木翔平^1,2，前田文彦¹，日比野浩樹¹ (NTT物性基礎研¹，長岡技科大²)

14:00 〜 14:15

[18p-E2-4] SiC(0001)に形成したバッファー層上へのMBEによるグラフェン成長

^○前田文彦，高村真琴，日比野浩樹 (ＮＴＴ物性基礎研)

14:15 〜 14:30

[18p-E2-5] 非接触走査型非線形誘電率顕微鏡による4H-SiC(0001)上グラフェンの高分解能観察

^○山末耕平，吹留博一，舩窪一智，末光眞希，長康雄 (東北大通研)

14:30 〜 14:45

[18p-E2-6] MBE法によって傾斜SiCナノ表面上にエピタキシャル成長したグラフェンナノリボンの電子状態

^○梶原隆司¹，AntonVisikovskiy¹，中辻寛³，飯盛拓嗣²，小森文夫²，田中悟¹ (九大院工¹，東大物性研²，東工大院総理工³)

14:45 〜 15:00

[18p-E2-7] 真空加熱実験に基づくグラフェン／Cu(111)エピタキシャル成長機構の考察

^○小川修一¹，山田貴壽²，石塚眞治³，吉越章隆⁴，長谷川雅孝²，寺岡有殿⁴，高桑雄二¹ (東北大多元研¹，産総研²，長岡技科大³，原子力機構⁴)

15:00 〜 15:15

[18p-E2-8] Co触媒を用いたレーザーアニールによるグラフェンの直接合成

^○石橋祐輔，越田啓介，金井康，大野恭秀，前橋兼三，井上恒一，松本和彦 (阪大産研)

15:15 〜 15:30

[18p-E2-9] 赤外光の照射が可能なプラズマCVD装置の試作

^○森成樹¹，山内繁²，小宮山崇夫¹，長南安紀¹，山口博之¹，青山隆¹ (秋田県大システム科学技術¹，秋田県大木材高度加工研究所²)

休憩 15:30〜15:45 （15:30 〜 15:45）

15:45 〜 16:00

[18p-E2-10] 低温熱CVD法による300mmウェハ上への多層グラフェン合成プロセスの開発

^○西出大亮，松本貴士，伊東伴，山崎雄一，片桐雅之，宮崎久生，加賀谷宗仁，井福亮太，和田真，齋藤達朗，北村政幸，渡邉勝仁，佐久間尚志，梶田明広，酒井忠司 (LEAP)

16:00 〜 16:15

[18p-E2-11] グラフェンナノリボンを成長核としたグラフェン層の成長

^○北川治樹¹，根岸良太¹，田中啓文²，福森稔²，小川琢治²，小林慶裕¹ (阪大院工¹，阪大院理²)

16:15 〜 16:30

[18p-E2-12] 金(111)表面における直鎖炭化水素の脱水素反応によるグラフェンナノリボンの創成

^○遠藤理¹，中村将志²，雨宮健太³ (東京農工大工¹，千葉大工²，高エ研³)

16:30 〜 16:45

[18p-E2-13] 窒素ドープグラフェン成長における原料分子形状の影響

^○加藤時穂，今村岳，小幡誠司，斉木幸一朗 (東大院新領域)

16:45 〜 17:00

[18p-E2-14] 金属・炭素ハイブリッド膜からのグラフェン合成過程のLEEM観察

^○大島久純¹，桶結憲二¹，細川徳一¹，日比野浩樹² (デンソー基礎研¹，NTT物性基礎研²)

17:00 〜 17:15

[18p-E2-15] Al2O3下のグラフェンでの電気伝導の第一原理解析

^○金子智昭^1,2，大野隆央^1,2,3 (物材機構¹，ＭＡＲＣＥＥＤ²，東大生産研³)

17:15 〜 17:30

[18p-E2-16] CVD法で成長させた単層h-BNのLEEDによる構造解析

^○日比野浩樹¹，CarloOrofeo¹，影島博之¹，鈴木哲¹，水野清義² (NTT物性基礎研¹，九大²)

17:30 〜 17:45

▲ [18p-E2-17] 固体前駆体を用いたCVD法による単層および少数層グラフェン結晶の成長機構

^○GolapKalita，SubashSharma，RemiPapon，SachinShinde，種村眞幸 (名工大)

17:45 〜 18:00

[18p-E2-18] 固相反応を用いた絶縁基板上へのグラフェンの直接合成

^○杉浦孝俊，平野遼，GolapKalita，種村眞幸 (名工大工)

一般セッション(口頭講演)

[19p-E2-10~17] 17.1 成長技術

2014年3月19日(水) 15:45 〜 17:45 E2 (E102)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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15:45 〜 16:00

[19p-E2-10] 光学顕微鏡を用いたPd箔上グラフェン成長過程のその場観察

^○加藤頌，小幡誠司，斉木幸一朗 (東大新領域)

16:00 〜 16:15

[19p-E2-11] 酸化グラフェンへのセシウムイオン吸着

^○圓谷志郎¹，本田充紀²，松本吉弘¹，大伴真名歩¹，楢本洋¹，境誠司¹ (原子力機構先端基礎¹，原子力機構量子ビーム²)

16:15 〜 16:30

[19p-E2-12] エタノール気相化学成長法により還元・構造修復させた酸化グラフェン薄膜のバンドライク伝導

^○根岸良太¹，赤堀誠誌²，村上達也²，山田省二²，小林慶裕¹ (阪大院工¹，北陸先端大²)

16:30 〜 16:45

[19p-E2-13] 基板表面修飾による酸化グラフェン薄膜形成と気相還元による変化

^○MuhammadzikriBindzukarnain，髙見俊志，伊藤智昭，荻野俊郎 (横国大)

16:45 〜 17:00

[19p-E2-14] 太陽炉を用いた酸化グラフェンの超高温処理によるグラフェン形成

^○楠本太郎¹，山元克真¹，篠田佳彦²，小林慶裕¹ (阪大院工¹，若狭湾エネ研²)

17:00 〜 17:15

[19p-E2-15] アミロイドテンプレートを用いたグラフェンナノリボンの固相合成と電気特性評価

^○村上勝久^1,2，董天辰^1,2，梶原裕哉^1,2，檜山卓希¹，高橋哲平^1,2，高井英輔¹，大橋凱¹，白木賢太郎¹，藤田淳一^1,2 (筑波大数理¹，TIMS²)

17:15 〜 17:30

[19p-E2-16] 酸化ダイヤモンド担持Ni触媒へのCo添加がマリモカーボンの合成に及ぼす影響

^○（M1）太田拓¹，米津翔太²，中川清晴³，安藤寿浩⁴，勝亦徹²，蒲生西谷美香² (東洋大院工¹，東洋大理工²，関西大環境都市工³，物材機構⁴)

17:30 〜 17:45

[19p-E2-17] 酸化グラフェンの還元・構造修復プロセスにおける気相環境効果

^○楠本太郎，山元克真，根岸良太，小林慶裕 (阪大院工)

一般セッション(口頭講演)

[19a-E18-1~9] 17.1 成長技術

2014年3月19日(水) 09:15 〜 11:45 E18 (E307)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:15 〜 09:30

[19a-E18-1] Fe₃O₄@SiO₂型コアシェル粒子を触媒に用いたカーボンナノチューブの直径評価

^○（M1）大橋正明，菅原丈博，金杉治，高際翔太，串田正人 (千葉大院工)

09:30 〜 09:45

[19a-E18-2] 高配向・高密度カーボンナノチューブへのカルボラン内包

^○藤田隼¹，乗松航¹，楠美智子^1,2 (名大院工¹，エコ研²)

09:45 〜 10:00

[19a-E18-3] HVPN法を用いた紡績性CNTアレイ合成技術の開発

^○菊地貴裕¹，臼田祐希¹，佐藤仁³，中西太宇人³，加藤隆³，冨田恭一³，三村秀典²，中野貴之¹，井上翼¹ (静大院工¹，静大電研²，JNC³)

10:00 〜 10:15

▲ [19a-E18-4] 固体前駆体を用いたCVD法によるカーボンナノチューブ・グラフェン三次元構造の合成

^○（D）SachinShinde，GolapKalita，SubashSharma，種村眞幸 (名工大)

10:15 〜 10:30

△ [19a-E18-5] FeNPs-silicaNPs混合LB膜によるVA-CNT作製および直径評価

^○（M1）金杉治，栗山直樹，中村健太郎，串田正人 (千葉大院工)

休憩 10:30〜10:45 （10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

[19a-E18-6] ダブルファーネスアルコール熱化学気相蒸着法による単層カーボンナノチューブの直径分布の成長条件依存性

^○高橋克弥¹，内田貴司¹，内山英史²，吉田善一¹ (東洋大¹，立山マシン²)

11:00 〜 11:15

△ [19a-E18-7] パルスプラズマCVDによる(6,5)単層カーボンナノチューブの高純度合成

^○許斌，加藤俊顕，村越幸史，金子敏郎 (東北大院工)

11:15 〜 11:30

[19a-E18-8] お椀型構造分子スマネンへの電子線照射によるカーボンケージの生成

^○舘昌志^1,2，村上勝久^1,2，森田悠紀³，東林修平³，竹口雅樹⁴，櫻井英博³，藤田淳一^1,2 (筑波大数理¹，筑波大物質科学研究センター²，分子科学研究所³，物材機構⁴)

11:30 〜 11:45

△ [19a-E18-9] 遷移金属ダイカルコゲナイドにおけるヘテロ接合の合成と評価

^○（BC）森勝平¹，宮田耕充^1,2，真庭豊¹ (首都大理工¹，JSTさきがけ²)

一般セッション(口頭講演)

[20p-E2-1~6] 17.1 成長技術

2014年3月20日(木) 13:15 〜 14:45 E2 (E102)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食 12:15〜13:15 （12:15 〜 13:15）

13:15 〜 13:30

△ [20p-E2-1] ニッケルナノバー触媒からのグラフェンナノリボン析出合成におけるプラズマ効果

^○鈴木弘朗，加藤俊顕，金子俊郎 (東北大院工)

13:30 〜 13:45

▼ [20p-E2-2] Conductive DLC Film Deposition by Low Temperature Neutral Beam Enhanced Chemical Vapor Deposition

^○昌錫江¹，菊地良幸^1,2，中野雅識³，井上久美^3,4，末永智一^3,4,5，野沢俊久²，寒川誠二^1,5 (東北大流体研¹，東京エレクトロン²，東北大環境³，東北大マイクロシステム融合研究開発センター⁴，東北大WPI⁵)

13:45 〜 14:00

△ [20p-E2-3] ヒートビーム(HB)アニール法を用いたアモルファスカーボンからのナノカーボン合成

^○高原健，伊藤和幸，粟野祐二 (慶應大理工)

14:00 〜 14:15

[20p-E2-4] Comparing Characteristics of Graphene Films Grown by Surface Wave Assisted Microwave Plasma CVD using Camphor and Methane Precursors.

^○HareRamAryal，MadhuKayastha，HideoUchida，KoichiWakita，MasayoshiUmeno (ＣｈｕｂｕＵｎｉｖ．)

14:15 〜 14:30

[20p-E2-5] プラズマCVDグラフェンの成長初期過程観察

^○加藤隆一¹，沖川侑揮^1,2，石原正統^1,2，山田貴壽^1,2，長谷川雅考^1,2 (TASC グラフェン事業部¹，産総研ナノチューブ応用RC²)

14:30 〜 14:45

△ [20p-E2-6] 黒体輻射を用いたグラフェンCVD成長の光学顕微鏡観察

^○寺澤知潮¹，斉木幸一朗^1,2 (東大院理¹，東大院新領域²)

セッション一覧

17．ナノカーボン » 17.1 成長技術

[18p-E2-1~18] 17.1 成長技術

▲ [18p-E2-17] 固体前駆体を用いたCVD法による単層および少数層グラフェン結晶の成長機構

[19p-E2-10~17] 17.1 成長技術

[19a-E18-1~9] 17.1 成長技術

▲ [19a-E18-4] 固体前駆体を用いたCVD法によるカーボンナノチューブ・グラフェン三次元構造の合成

△ [19a-E18-5] FeNPs-silicaNPs混合LB膜によるVA-CNT作製および直径評価

△ [19a-E18-7] パルスプラズマCVDによる(6,5)単層カーボンナノチューブの高純度合成

△ [19a-E18-9] 遷移金属ダイカルコゲナイドにおけるヘテロ接合の合成と評価

[20p-E2-1~6] 17.1 成長技術

△ [20p-E2-1] ニッケルナノバー触媒からのグラフェンナノリボン析出合成における プラズマ効果

▼ [20p-E2-2] Conductive DLC Film Deposition by Low Temperature Neutral Beam Enhanced Chemical Vapor Deposition

△ [20p-E2-3] ヒートビーム(HB)アニール法を用いたアモルファスカーボンからのナノカーボン合成

△ [20p-E2-6] 黒体輻射を用いたグラフェンCVD成長の光学顕微鏡観察

△ [20p-E2-1] ニッケルナノバー触媒からのグラフェンナノリボン析出合成におけるプラズマ効果