^○（D）ThiVanAnhNguyen¹，AzusaNakamotoHattori¹，MasayaNagai²，TakuroNakamura¹，KoheiFujiwara¹，MasaakiAshida²，HidekazuTanaka¹ (ISIR, Osaka Univ.¹，Grad. School of Eng. Sci., Osaka Univ.²)

一般セッション(口頭講演)

[19a-E8-1~9] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2014年3月19日(水) 09:15 〜 11:45 E8 (E202)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:15 〜 09:30

[19a-E8-1] エアギャップナノ空間を利用した吸着水分子の電気分解によるVO₂ナノワイヤーへのイオンドーピング

^○（M1）佐々木翼，神吉輝夫，田中秀和 (阪大産研)

09:30 〜 09:45

[19a-E8-2] TiO₂(001)基板上のVO₂薄膜における巨大金属-絶縁体ドメインのサイズ制御と発現機構解明

^○川谷健一，神吉輝夫，田中秀和 (阪大産研)

09:45 〜 10:00

[19a-E8-3] VO₂フリースタンディング構造体における超低電力金属-絶縁体相転移と熱流シミュレーションによる機構解明

^○山崎翔太¹，神吉輝夫¹，LucaPellegrino²，NicolaManca^2,3，DanieleMarre^2,3，田中秀和¹ (阪大産研¹，CNR-SPIN²，Genova Univ.³)

10:00 〜 10:15

[19a-E8-4] 強相関酸化物電子系のモット相転移のプラズモン検出:VO2の観点から

^○松井裕章¹，神吉輝夫²，田中秀和²，田畑仁¹ (東大工¹，阪大産研²)

休憩 10:15〜10:30 （10:15 〜 10:30）

10:30 〜 10:45

[19a-E8-5] (W_1-xV_x)O₂エピタキシャル薄膜の熱電能

^○遠藤賢司，片瀬貴義，太田裕道 (北大電子研)

10:45 〜 11:00

[19a-E8-6] 電界＋水素化によるVO₂薄膜の絶縁体-金属転移と熱電能変調

^○片瀬貴義，遠藤賢司，太田裕道 (北大電子研)

11:00 〜 11:15

[19a-E8-7] MgF₂基板上に作製したエピタキシャルVO₂薄膜の金属-絶縁体転移

^○渋谷圭介，澤彰仁 (産総研)

11:15 〜 11:30

[19a-E8-8] 反応性スパッタ法によるVO₂(B)薄膜の成長とアニールによるVO₂(M1)への変換

^○BintiAzhanNurulHanis，蘇魁，沖村邦雄 (東海大院工)

11:30 〜 11:45

[19a-E8-9] 走査トンネル顕微鏡を用いたSrVO3薄膜の電子状態研究

^○岡田佳憲¹，清水亮太¹，白木将¹，一杉太郎^1,2 (東北大 WPI-AIMR¹，JST さきがけ²)

一般セッション(口頭講演)

[19p-E8-1~21] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2014年3月19日(水) 13:15 〜 18:45 E8 (E202)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食 11:45〜13:15 （11:45 〜 13:15）

13:15 〜 13:30

△ [19p-E8-1] スパッタ堆積によるSiO2膜の抵抗遷移の特徴に関する考察

^○山口凜太郎，佐藤伸吾，大村泰久，中村和広 (関西大)

13:30 〜 13:45

[19p-E8-2] スパッタ堆積によるSiO2膜の抵抗遷移に関する考察 –遷移臨界条件-

山口凜太郎，金剛弘卓，^○呂鴻飛，佐藤伸吾，大村泰久，中村和広 (関西大)

13:45 〜 14:00

△ [19p-E8-3] SiC_xO_yを用いた酸化還元反応による抵抗変化型不揮発性メモリ

^○（B）木田恭平，塚本貴広，須田良幸 (東京農工大)

14:00 〜 14:15

△ [19p-E8-4] 放射光を用いた水素イオン移動型ReRAMの界面状態の観察

^○野津武志¹，花田明紘²，三浦寛基¹，岸田悟^1,3，大沢仁志⁴，伊奈稔哲⁴，鈴木基寛⁴，河村直己⁴，水牧仁一郎⁴，宇留賀朋哉⁴，今井康彦⁴，木村滋⁴，木下健太郎^1,3 (鳥取大工¹，鳥取大産学・地域連携推進機構²，TEDREC³，高輝度光科学研究センター⁴)

14:15 〜 14:30

△ [19p-E8-5] 非晶質InGaZnO抵抗変化メモリにおけるフィラメントの観察

^○門圭佑^1.2，上沼睦典^1,2，KritiSharma^1,2，山﨑はるか^1,2，浦川哲^1,2，石河泰明^1,2，浦岡行治^1,2 (奈良先端大¹，CREST²)

14:30 〜 14:45

▼ [19p-E8-6] Analysis of Degradation Mechanism on Bottom Gate Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors with Siloxane Passivation Layer

^○（M1）ChaiyananKulchaisit^1,2，YasuakiIshikawa^1,2，YoshihiroUeoka^1,2，BermundoJuanPaolo^1,2，MasahiroHorita^1,2，YukiharuUraoka^1,2 (奈良先端大¹，科学技術振興機構²)

14:45 〜 15:00

△ [19p-E8-7] PE-ALD法で作製したAl₂O₃絶縁膜を用いたIGZO-TFTの電気特性

^○栗島一徳^1,2，生田目俊秀^2,3，清水麻希²，相川慎也²，塚越一仁²，大井暁彦²，知京豊裕²，小椋厚志¹ (明治大¹，物材機構²，JST-CREST³)

15:00 〜 15:15

△ [19p-E8-8] NiO抵抗変化素子の伝導特性と抵抗状態の差異の新たな解釈

^○岩田達哉，西佑介，篠倉弘樹，木本恒暢 (京大工)

15:15 〜 15:30

[19p-E8-9] 対向ターゲット式反応性スパッタ法によるNiO薄膜の特性評価

^○（M1）古谷靖明¹，河合舞²，野本隆宏²，坪井望^2,3 (新潟大自然研¹，新潟大工²，新潟大超域³)

15:30 〜 15:45

[19p-E8-10] 金属/BaTiO₃/酸化物トンネル接合における強誘電抵抗スイッチング

^○山田浩之^1,2，福地厚¹，豊崎喜精¹，小林正起³，中尾裕則³，堀場弘司³，組頭広志³，石橋章司¹，澤彰仁¹ (産総研¹，JSTさきがけ²，KEK-PF³)

15:45 〜 16:00

[19p-E8-11] Mnナノドットを埋め込んだSiOx膜の抵抗変化特性

^○荒井崇¹，劉冲¹，大田晃生²，牧原克典¹，宮崎誠一¹ (名大院工¹，名大 VBL²)

休憩 16:00〜16:15 （16:00 〜 16:15）

16:15 〜 16:30

[19p-E8-12] 第一原理計算による抵抗変化型メモリの動作機構の研究

^○神谷克政¹，梁文榮²，Magyari-KopeBlanka³，YoshioNishi³，白石賢二⁴ (神奈工大¹，筑波大²，スタンフォード大³，名古屋大⁴)

16:30 〜 16:45

[19p-E8-13] 酸化タンタル膜の抵抗変化スイッチ現象におけるSET時間の起源

^○西義史^1,2，StephanMenzel¹，KarstenFleck¹，UlrichBoettger¹，RainerWaser¹ (アーヘン工大¹，東芝研開セ²)

16:45 〜 17:00

[19p-E8-14] Cu-Ta₂O₅原子スイッチにおけるSET動作の律速過程

^○鶴岡徹^1,2，長谷川剛^1,2，IliaValov³，RainerWaser³，青野正和¹ (物材機構¹，JST-CREST²，アーヘン工科大³)

17:00 〜 17:15

[19p-E8-15] ReRAM向け300mm量産用スパッタ成膜技術の開発

^○福田夏樹，福寿和紀，西岡浩，鄒弘綱 (アルバック半電研)

17:15 〜 17:30

[19p-E8-16] 化学溶液塗布法ペロブスカイト強誘電体薄膜の抵抗メモリ特性

^○渕田紳平，橋本修平，張子洋，山下馨，野田実 (京工繊工芸)

17:30 〜 17:45

[19p-E8-17] β-Ga₂O₃単結晶をチャネルとする電気二重層トランジスタ

^○上野和紀^1,2，一杉太郎^2,3，小山浩司⁴ (東大院総合¹，JSTさきがけ²，東北大WPI-AIMR³，並木精密宝石⁴)

17:45 〜 18:00

[19p-E8-18] 二酸化炭素の電気化学還元への酸化ガリウムの応用

^○関本健之¹，出口正洋¹，四橋聡史¹，山田由佳¹，増井建和²，倉又朗人³，山腰茂伸³ (パナソニック¹，光波²，タムラ製作所³)

18:00 〜 18:15

[19p-E8-19] 機械的な応力印加による単結晶酸化すずの格子欠陥制御

^○櫻井亮¹，PradyotKoley¹，劉可為²，青野正和¹ (物材機構 MANA¹，中国科学院²)

18:15 〜 18:30

[19p-E8-20] 光導波路型電界センサのためのZnO/LiNbO₃/ZnO構造の形成

^○赤沢方省，渡辺俊文，山田浩治，土澤泰，板橋聖一，嶋田勝，福田浩 (NTT MI研)

18:30 〜 18:45

[19p-E8-21] 分光エリプソメトリーによるITOナノ粒子のキャリア密度解析

^○竹之下愛¹，賈軍軍²，米澤岳洋¹，山崎和彦¹，中澤弘実¹，重里有三² (三菱マテリアル¹，青学大理工²)

一般セッション(口頭講演)

[20a-E8-1~8] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2014年3月20日(木) 09:30 〜 11:30 E8 (E202)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:30 〜 09:45

[20a-E8-1] Ir金属ナノピラーを利用したIr:SrTiO₃の光電気化学特性の増強効果

^○川崎聖治¹，高橋竜太¹，山本剛久²，工藤昭彦³，ミックリップマー¹ (東大物性研¹，名大工²，東理大理³)

09:45 〜 10:00

[20a-E8-2] Rutile-TiO₂単結晶の光生成キャリア・ダイナミクスの結晶面依存性

^○青木貴広，五十嵐樹莉，江馬一弘，欅田英之 (上智大理工)

10:00 〜 10:15

[20a-E8-3] TiO₂チャネルTFTの電界効果移動度に対する表面・粒界吸着効果の重要性

^○矢嶋赳彬，小池豪，西村知紀，長汐晃輔，鳥海明 (東大マテ)

10:15 〜 10:30

[20a-E8-4] ペロブスカイト固溶体(SrTiO₃)_1-x(LaTiO₂N)_xの電子状態計算

^○梅澤直人¹，AndersonJanotti² (物材機構¹，UCSB²)

10:30 〜 10:45

[20a-E8-5] 析出反応過程を利用した電気化学成長Cu₂Oのキャリア濃度制御

^○佐藤俊祐，芦田淳，吉村武，藤村紀文 (阪府大院工)

10:45 〜 11:00

[20a-E8-6] 正孔密度を変化させて作製したCu₂Oシートを用いるヘテロ接合太陽電池

^○西祐希，宮田俊人，南内嗣 (金沢工大 OEDS R&D センター)

11:00 〜 11:15

[20a-E8-7] 半導体薄膜/Cu₂Oシートヘテロ接合太陽電池の成膜技術と光起電力特性との関係

^○西祐希，宮田俊弘，南内嗣 (金沢工大 OEDS R&D センター)

11:15 〜 11:30

[20a-E8-8] WO₃可視光応答型光触媒への金属酸化物添加による有機物分解速度の向上と速度論的考察

^○福士大輔，佐藤光，日下隆夫，片岡好則，青木克明 (東芝マテリアル)

一般セッション(口頭講演)

[20p-E8-1~8] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2014年3月20日(木) 13:00 〜 15:00 E8 (E202)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食 11:30〜13:00 （11:30 〜 13:00）

13:00 〜 13:15

[20p-E8-1] 清浄な電解質/電極界面を有する薄膜型全固体電池におけるLiイオン伝導特性

^○春田正和，鈴木竜，高木由貴，清水亮太，白木将，一杉太郎 (東北大AIMR)

13:15 〜 13:30

[20p-E8-2] Na_xMnO₂におけるナトリウムイオン拡散

^○柴田恭幸¹，小林航^1,2，守友浩^1,2 (筑波大数理¹，TIMS²)

13:30 〜 13:45

[20p-E8-3] スパッタ法を用いたLi₄Ti₅O₁₂薄膜の作製とその評価

^○岡本一真，黒川文弥，肥田博隆，神野伊策，水畑穣 (神大院工)

13:45 〜 14:00

[20p-E8-4] イオン液体ゲートを用いたLiTi₂O₄薄膜の超伝導転移温度の変調

^○丸山伸伍^1,2，ShinJongmoon¹，ZhangXiaohang¹，KuiJin¹，SuchoskiRichard¹，安井伸太郎^1,3，松本祐司²，GreeneRichard¹，竹内一郎¹ (メリーランド大¹，東北大院工²，東工大応セラ³)

14:00 〜 14:15

[20p-E8-5] 希土類系高速酸素イオン伝導体における酸素イオン伝導に関する第一原理シミュレーション

^○坂上護¹，笠井秀明¹，石原達己²，毛利孝裕³ (阪大工¹，九大I2CNER²，コニカミノルタ³)

14:15 〜 14:30

[20p-E8-6] チャネルストッパー構造を有する全液相プロセス酸化物TFTの作製

^○芳本祐樹¹，TuePhanTrong^2,3，堀朋子²，井上聡^2,3，下田達也^1,2,3 (北陸先端大マテ研究科¹，北陸先端大 GDRC²，JST-ERATO³)

14:30 〜 14:45

[20p-E8-7] CAAC-OS FETを用いたFPGA向け不揮発性プログラマブルスイッチ

^○中川貴史，岡本佑樹，青木健，池田匡孝，上妻宗広，長多剛，黒川義元，池田隆之，山出直人，岡崎豊，宮入秀和，小山潤，山崎舜平 (半導体エネルギー研究所)

14:45 〜 15:00

[20p-E8-8] CAAC-OSを用いた150℃環境で動作可能なヒステリシス制御DC-DCコンバータ

^○遠藤正己，高橋圭，長多剛，中川貴史，岡本佑樹，王丸拓郎，渡邉一徳，佐藤岳尚，山出直人，鈴木康太，池田隆之，小山潤，山﨑舜平 (半導体エネルギー研究所)

セッション一覧

06．薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[17p-PG2-1~23] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[18a-E8-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [18a-E8-2] 液相吸着法を用いて作製したナノチューブTiO2電極を含むCdSe量子ドット増感太陽電池の光電変換特性

△ [18a-E8-3] Nb-N共ドープアナターゼTiO2(001)単結晶薄膜の作製とキャラクタリゼーション

△ [18a-E8-4] X線吸収分光法によるTiO2薄膜のエッチングダメージ評価

△ [18a-E8-5] 強い量子振動を示す高移動度δドープSrTiO3薄膜の作製

△ [18a-E8-6] TiN導電バッファー層によるVO2薄膜の結晶成長及び転移特性の改善

△ [18a-E8-8] エピタキシャルVO2薄膜中の転移応力に起因する不均質な電子相ドメイン構造

△ [18a-E8-9] X線光電子分光によるモット絶縁体LaMnO3/バンド絶縁体Nb:SrTiO3 p-n接合界面のバンドダイアグラム決定

△ [18a-E8-10] BaPbO3/BaBiO3界面における二次元超伝導

[18p-E8-1~21] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [18p-E8-2] オレイン酸修飾Co0.5Fe2.5O4 ナノ結晶自己組織化膜の磁気電気特性

△ [18p-E8-3] オレイン酸修飾Fe3O4ナノ結晶自己組織化膜の電気磁気特性

△ [18p-E8-4] SrFeO2.80薄膜の高温での電荷不均化による金属-絶縁体転移

△ [18p-E8-5] LaAlO3/CaFeO2.5/SrTiO3ヘテロ構造中の酸化還元過程における酸素イオン拡散

△ [18p-E8-6] クラスターグラスMg1.0Fe1.5Ti0.5O4薄膜の磁気特性と電気伝導特性

△ [18p-E8-11] ダブルペロブスカイト型La2MnFeO6の薄膜成長と磁化特性

△ [18p-E8-12] Nd0.6Sr0.4MnO3薄膜のSTM観察における成長時の酸素分圧依存性

△ [18p-E8-13] Nb系ペロブスカイト型酸窒化物薄膜の電気輸送特性

△ [18p-E8-14] パイロクロア型Ir酸化物ヘテロ界面の作製と電気伝導特性

△ [18p-E8-15] テラヘルツ領域における希土類ガーネットのレストストラーレン反射特性

△ [18p-E8-17] 酸素八面体傾斜の伝搬を利用したペロブスカイト酸化物の相制御

▲ [18p-E8-21] Investigation of effective carrier characteristics in strongly correlated (La,Pr,Ca)MnO3 films by the THz Time Domain Spectroscopy

[19a-E8-1~9] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[19p-E8-1~21] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [19p-E8-1] スパッタ堆積によるSiO2膜の抵抗遷移の特徴に関する考察

△ [19p-E8-3] SiCxOyを用いた酸化還元反応による抵抗変化型不揮発性メモリ

△ [19p-E8-4] 放射光を用いた水素イオン移動型ReRAMの界面状態の観察

△ [19p-E8-5] 非晶質InGaZnO抵抗変化メモリにおけるフィラメントの観察

▼ [19p-E8-6] Analysis of Degradation Mechanism on Bottom Gate Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors with Siloxane Passivation Layer

△ [19p-E8-7] PE-ALD法で作製したAl2O3絶縁膜を用いたIGZO-TFTの電気特性

△ [19p-E8-8] NiO抵抗変化素子の伝導特性と抵抗状態の差異の新たな解釈

[20a-E8-1~8] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[20p-E8-1~8] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [18a-E8-2] 液相吸着法を用いて作製したナノチューブTiO₂電極を含むCdSe量子ドット増感太陽電池の光電変換特性

△ [18a-E8-3] Nb-N共ドープアナターゼTiO₂(001)単結晶薄膜の作製とキャラクタリゼーション

△ [18a-E8-4] X線吸収分光法によるTiO₂薄膜のエッチングダメージ評価

△ [18a-E8-5] 強い量子振動を示す高移動度δドープSrTiO₃薄膜の作製

△ [18a-E8-6] TiN導電バッファー層によるVO₂薄膜の結晶成長及び転移特性の改善

△ [18a-E8-8] エピタキシャルVO₂薄膜中の転移応力に起因する不均質な電子相ドメイン構造

△ [18a-E8-9] X線光電子分光によるモット絶縁体LaMnO₃/バンド絶縁体Nb:SrTiO₃ p-n接合界面のバンドダイアグラム決定

△ [18a-E8-10] BaPbO₃/BaBiO₃界面における二次元超伝導

△ [18p-E8-2] オレイン酸修飾Co_0.5Fe_2.5O₄ ナノ結晶自己組織化膜の磁気電気特性

△ [18p-E8-3] オレイン酸修飾Fe₃O₄ナノ結晶自己組織化膜の電気磁気特性

△ [18p-E8-4] SrFeO_2.80薄膜の高温での電荷不均化による金属-絶縁体転移

△ [18p-E8-6] クラスターグラスMg_1.0Fe_1.5Ti_0.5O₄薄膜の磁気特性と電気伝導特性

△ [18p-E8-11] ダブルペロブスカイト型La₂MnFeO₆の薄膜成長と磁化特性

△ [18p-E8-12] Nd_0.6Sr_0.4MnO₃薄膜のSTM観察における成長時の酸素分圧依存性

▲ [18p-E8-21] Investigation of effective carrier characteristics in strongly correlated (La,Pr,Ca)MnO₃ films by the THz Time Domain Spectroscopy

△ [19p-E8-3] SiC_xO_yを用いた酸化還元反応による抵抗変化型不揮発性メモリ

△ [19p-E8-7] PE-ALD法で作製したAl₂O₃絶縁膜を用いたIGZO-TFTの電気特性