一般セッション(ポスター講演)

[18p-PG11-1~12] 9.4 熱電変換

2014年3月18日(火) 16:00 〜 18:00 PG11 (G棟2階)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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16:00 〜 18:00

[18p-PG11-1] 熱電変換応用のための簡易なMg₂Si焼結体作製手法の開発

^○山本佳嗣 (三重工研)

16:00 〜 18:00

[18p-PG11-2] フレキシブル有機熱電素子の作製と評価

^○（M1）西中貴彦¹，外園昌弘¹，阿武宏明^1,2，大嶋伸明^1,2，戸嶋直樹^1,2 (山口東理大工¹，先進研²)

16:00 〜 18:00

[18p-PG11-3] 有機/無機コンポジット材料における界面の電子物性制御

^○田仲弘明¹，渡辺宣朗^2,3，宗像文男^1,3 (東京都市大院工¹，関東学院大工²，東京都市大総研³)

16:00 〜 18:00

△ [18p-PG11-4] 塑性成型法によって作製したカルシウム・コバルト酸化物熱電材料の表面形態と熱電特性(Ⅲ)

^○（M1）奥山剛史¹，小川清²，田橋正浩¹，高橋誠¹，後藤英雄¹ (中部大¹，オザワ科学²)

16:00 〜 18:00

△ [18p-PG11-5] 粒径制御したアルミノボライドY_0.56Al_0.6B₁₄の熱電特性

^○丸山恵史^1,2，西村聡之¹，宮﨑讓²，林慶²，梶谷剛²，森孝雄^1,3 (物材機構¹，東北大院工²，筑波大院数物³)

16:00 〜 18:00

[18p-PG11-6] ビスマス・テルライド系薄膜の構造・熱電特性における電子線照射の効果

今井和朗¹，宇山将人¹，萩野春俊²，田中三郎³，宮崎康次²，西義武¹，^○高尻雅之¹ (東海大工¹，九州工大工²，日大工³)

16:00 〜 18:00

[18p-PG11-7] Biナノワイヤーの結晶方向が輸送特性に及ぼす影響

^○（M1）内田仁志¹，青天目悠太¹，小峰啓史¹，青野友祐¹，村田正行²，長谷川靖洋² (茨城大¹，埼玉大²)

16:00 〜 18:00

[18p-PG11-8] 四端子3ω法を用いた擬一次元物質の熱伝導率測定

亀井勇人，^○（D）西野俊佑，小矢野幹夫 (北陸先端大)

16:00 〜 18:00

[18p-PG11-9] 引き伸ばし法を用いて作製したBiワイヤーの熱電特性評価

^○（B）寺門宏樹¹，村田正行¹，本間亮英¹，長谷川靖洋¹，小峰啓史²，山嵜正明³，寺嶋徹³ (埼玉大¹，茨城大²，住田光学ガラス³)

16:00 〜 18:00

[18p-PG11-10] ボロンカーバイドナノワイヤの熱電特性

^○桐原和大，向田雅一，清水禎樹 (産総研)

16:00 〜 18:00

[18p-PG11-11] 電子状態計算によるSrTiN₂層状金属窒化物の熱電変換性能の検討

^○大久保勇男，森孝雄 (物材機構)

16:00 〜 18:00

[18p-PG11-12] 第一原理計算を用いた熱電特性のキャリア濃度依存性の解析

^○桂ゆかり¹，髙木英典^1,2 (東大理¹，Max Planck固体研²)

一般セッション(口頭講演)

[19a-F11-1~12] 9.4 熱電変換

2014年3月19日(水) 09:00 〜 12:15 F11 (F407)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[19a-F11-1] p型CoSb₃の輸送および熱電特性に関する実験データの解析の見直し

^○梶川靖友 (島根大総合理工)

09:15 〜 09:30

△ [19a-F11-2] n型熱電変換材料Zr₃Ni_3-xCu_xSb₄における高い移動度と熱電変換特性

^○玉置洋正，菅野勉，酒井章裕，高橋宏平，草田英夫，山田由佳 (パナソニック先端技研)

09:30 〜 09:45

[19a-F11-3] イオンモデルによるS n クラスレート半導体B a ₈G a_{1 6}S n_{3 0} におけるG a 分布ゆらぎの解析

松本浩一，^○赤井光治，岸本堅剛，栗巣普輝，小柳剛，山本節夫 (山口大)

09:45 〜 10:00

[19a-F11-4] n型熱電高分子Poly[Ni-ethylenetetrathiolate]の電子構造

^○清家剛¹，赤井光治¹，阿武宏明²，戸嶋直樹²，栗巣普揮¹，山本節夫¹ (山口大¹，山口東理大²)

10:00 〜 10:15

▲ [19a-F11-5] Morphology, Composition and Thermoelectric Properties of PEDOT:PSS films

^○衛慶碩，向田雅一，桐原和大，石田敬雄 (産総研)

10:15 〜 10:30

[19a-F11-6] 電界下で成膜したPEDOT:PSS薄膜の熱電特性

^○佐藤一仁，長南安紀，小宮山崇夫，山口博之，青山隆 (秋田県立大院)

休憩 10:30〜10:45 （10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

[19a-F11-7] In酸化物の熱電特性に対する4価元素の置換効果Ⅱ

^○阿部凜太郎，内藤智之，藤代博之 (岩手大工)

11:00 〜 11:15

▼ [19a-F11-8] Preparation of high performed Bi₂Sr₂Co₂O_x thermoelectric ceramics by a partial melting method followed by a hot pressing process

^○EmmanuelCombe¹，舟橋良次¹，FeridoonAzough²，TristanBarbier¹，RobertFreer² (産総研¹，マンチャスター大²)

11:15 〜 11:30

△ [19a-F11-9] 電気2重層を用いたpn同時制御による熱電変換デバイス作成に向けたp型酸化物の探索

^○高柳良平¹，藤井武則²，朝光敦^1,2 (東大院工¹，東大低温セ²)

11:30 〜 11:45

[19a-F11-10] アニオンサイト置換によるCu₂₆Fe₄Ge₄S₃₂の熱伝導率の低減

^○土田貴之¹，末國晃一郎²，小矢野幹夫¹ (北陸先端大¹，広島大²)

11:45 〜 12:00

△ [19a-F11-11] 層状カルコゲン化合物ACr(Se, S)₂ (A = Cu, Ag)単結晶の熱電特性

^○矢野力三，笹川崇男 (東工大応セラ研)

12:00 〜 12:15

[19a-F11-12] ウルマナイトNiSbSの電子物性と3d遷移金属置換効果

^○（M1）宮田全展，尾崎泰助，小矢野幹夫 (北陸先端大)

一般セッション(口頭講演)

[19p-F11-1~18] 9.4 熱電変換

2014年3月19日(水) 13:15 〜 18:15 F11 (F407)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食 12:15〜13:15 （12:15 〜 13:15）

13:15 〜 13:30

[19p-F11-1] チムニーラダー型化合物MGe_γ (M = Rh, Ir) の結晶構造と熱電特性

中條隆貴，^○宮﨑讓，菊池祐太，林慶 (東北大院工)

13:30 〜 13:45

[19p-F11-2] (3+1)次元複合結晶MnSi_γの高温における結晶構造変化

^○菊池祐太，中條隆貴，林慶，宮﨑讓 (東北大院工)

13:45 〜 14:00

[19p-F11-3] Al-Mn-Si系C40相の熱電物性と熱電材料としての可能性

^○竹内恒博^1,2,3，山本晃生⁴ (豊工大¹，JSTさきがけ²，名大エコトピア³，名大工⁴)

14:00 〜 14:15

▼ [19p-F11-4] Structural Analysis of a new Thermoelectric Material: Mn_3-xCr_xSi₄Al₂

^○TristanBarbier，舟橋良次，EmmanuelCombe (産総研)

14:15 〜 14:30

△ [19p-F11-5] Mg_2-xSiの格子間サイトにおけるMgの定量的評価

^○（M2）窪内将隆，林慶，宮﨑讓 (東北大院工)

休憩 14:30〜14:45 （14:30 〜 14:45）

14:45 〜 15:00

[19p-F11-6] SiGeAu系薄膜中のナノドット形成過程

^○田結荘健，岡本庸一，宮﨑尚，守本純 (防衛大機能材料)

15:00 〜 15:15

[19p-F11-7] エピタキシャルGeナノドットを有するSi熱電薄膜の電気特性評価

^○（D）山阪司祐人¹，中村芳明^1,2，上田智広¹，竹内正太郎¹，酒井朗¹ (阪大院基礎工¹，さきがけ-JST²)

15:15 〜 15:30

△ [19p-F11-8] エピタキシャルSiナノドット積層構造へのドーピング技術開発とその熱電特性

^○上田智広¹，中村芳明^1,2，竹内正太郎¹，酒井朗¹ (阪大院基礎工¹，さきがけ-JST²)

15:30 〜 15:45

[19p-F11-9] Siナノ構造の熱電変換性能に関するシミュレーション解析

^○IndraNurAdisusilo¹，久木田健太郎¹，鎌倉良成^1,2 (阪大¹，JST CREST²)

15:45 〜 16:00

▲ [19p-F11-10] シリコン一次元周期ナノ構造における熱伝導率低減の起源に関する考察

^○JeremieMaire^1,2，堀琢磨³，塩見淳一郎^3,4，野村政宏^1,5 (東大生研¹，LIMMS²，東大³，JSTさきがけ⁴，ナノ量子機構⁵)

16:00 〜 16:15

[19p-F11-11] SOI膜におけるフォノンドラッグとフォノンの平均自由行程に関する考察

^○池田浩也¹，織田琢郎¹，鈴木悠平¹，サレファイズ^1,2 (静大電研¹，学振特別研究員DC²)

16:15 〜 16:30

[19p-F11-12] PドープSOI層のゼーベック係数に与えるGaイオン注入の影響

^○鈴木悠平¹，サレファイズ^1,2，池田浩也¹ (静大電研¹，学振特別研究員 DC²)

休憩 16:30〜16:45 （16:30 〜 16:45）

16:45 〜 17:00

[19p-F11-13] ZnO薄膜における光ゼーベック効果の膜厚依存性

^○藤田優¹，岡崎竜二¹，谷口博基¹，寺崎一郎¹，大田裕道² (名大院理¹，北大電子研²)

17:00 〜 17:15

[19p-F11-14] 3ω法を用いたBi-Te系熱電厚膜の熱伝導率測定Ⅲ

^○（D）西野俊佑，小矢野幹夫，大平圭介 (北陸先端大)

17:15 〜 17:30

[19p-F11-15] 熱電対からの熱流出に伴うゼーベック係数測定の誤差評価

^○本間亮英¹，村田正行¹，寺門宏樹¹，長谷川靖洋¹，小峰啓史² (埼玉大¹，茨城大²)

17:30 〜 17:45

△ [19p-F11-16] AC-DC 法を用いた金属材料のトムソン係数の評価

^○天谷康孝，山本淳，阿子島めぐみ，藤木弘之 (産総研)

17:45 〜 18:00

[19p-F11-17] 熱電発電モジュールの内部抵抗評価における計測法の影響

^○山本淳，高澤弘幸，長瀬和夫，XiaokaiHu，小原春彦 (産総研)

18:00 〜 18:15

[19p-F11-18] シリサイド系熱電モジュールの作製と発電特性

^○舟橋良次^1,5，松村葉子¹，竹内友成¹，鈴木亮輔^2,5，勝山茂³，山崎慎一郎⁴，河本邦仁^4,5 (産総研¹，北大工²，阪大工³，名大工⁴，JST CREST⁵)

セッション一覧

09．応用物性 » 9.4 熱電変換

[18p-PG11-1~12] 9.4 熱電変換

△ [18p-PG11-4] 塑性成型法によって作製したカルシウム・コバルト酸化物熱電材料の表面形態と熱電特性(Ⅲ)

△ [18p-PG11-5] 粒径制御したアルミノボライドY0.56Al0.6B14の熱電特性

[19a-F11-1~12] 9.4 熱電変換

△ [19a-F11-2] n型熱電変換材料Zr3Ni3-xCuxSb4における高い移動度と熱電変換特性

▲ [19a-F11-5] Morphology, Composition and Thermoelectric Properties of PEDOT:PSS films

▼ [19a-F11-8] Preparation of high performed Bi2Sr2Co2Ox thermoelectric ceramics by a partial melting method followed by a hot pressing process

△ [19a-F11-9] 電気2重層を用いたpn同時制御による熱電変換デバイス作成に向けたp型酸化物の探索

△ [19a-F11-11] 層状カルコゲン化合物ACr(Se, S)2 (A = Cu, Ag)単結晶の熱電特性

[19p-F11-1~18] 9.4 熱電変換

▼ [19p-F11-4] Structural Analysis of a new Thermoelectric Material: Mn3-xCrxSi4Al2

△ [19p-F11-5] Mg2-xSiの格子間サイトにおけるMgの定量的評価

△ [19p-F11-8] エピタキシャルSiナノドット積層構造へのドーピング技術開発とその熱電特性

▲ [19p-F11-10] シリコン一次元周期ナノ構造における熱伝導率低減の起源に関する考察

△ [19p-F11-16] AC-DC 法を用いた金属材料のトムソン係数の評価

△ [18p-PG11-5] 粒径制御したアルミノボライドY_0.56Al_0.6B₁₄の熱電特性

△ [19a-F11-2] n型熱電変換材料Zr₃Ni_3-xCu_xSb₄における高い移動度と熱電変換特性

▼ [19a-F11-8] Preparation of high performed Bi₂Sr₂Co₂O_x thermoelectric ceramics by a partial melting method followed by a hot pressing process

△ [19a-F11-11] 層状カルコゲン化合物ACr(Se, S)₂ (A = Cu, Ag)単結晶の熱電特性

▼ [19p-F11-4] Structural Analysis of a new Thermoelectric Material: Mn_3-xCr_xSi₄Al₂

△ [19p-F11-5] Mg_2-xSiの格子間サイトにおけるMgの定量的評価