一般セッション(口頭講演)

[18a-F9-1~10] 5.1 半導体レーザー・発光/受光素子

2014年3月18日(火) 09:30 〜 12:15 F9 (F401)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:30 〜 09:45

[18a-F9-1] 結晶セレンを用いたヘテロ接合フォトダイオードの暗電流特性の改善

^○為村成亨，菊地健司，宮川和典，大竹浩，久保田節 (NHK技研)

09:45 〜 10:00

[18a-F9-2] CMOS互換プロセスを用いた薄膜PIN型Si光検出器のsub-10 GHz応答

^○李根，前北和晃，丸山武男，飯山宏一 (金沢大院)

10:00 〜 10:15

[18a-F9-3] ローパスフィルタによるＡＰＤ単一光子検出器のアフターパルス低減

徐雪，^○井上恭 (阪大工)

10:15 〜 10:30

[18a-F9-4] スポットサイズ変換器集積InP系導波路型受光素子を用いた小型コヒーレントレシーバの高感度化

^○井上尚子，八木英樹，菊池健彦，増山竜二，勝山智和，米田昌博，小路元 (住友電工伝デ研)

10:30 〜 10:45

[18a-F9-5] AlGaAs近接障壁層導入による量子ドット赤外線検出器の比検出能向上

^○各務惣太^1,2，五十嵐悠一^1,2，白澤大輔¹，渡邉克之²，白根昌之^1,2，大河内俊介²，萬伸一^1,2，荒川泰彦^2,3 (ＮＥＣスマエネ研¹，東大ナノ量子機構²，東大生研³)

休憩 10:45〜11:00 （10:45 〜 11:00）

11:00 〜 11:15

[18a-F9-6] 電荷敏感型赤外光子検出器による2色検出

^○金鮮美¹，小宮山進²，上田剛慈²，佐藤崇²，梶原優介¹ (東大生研¹，東大総文²)

11:15 〜 11:30

[18a-F9-7] レーザーテラヘルツ放射顕微鏡を用いたLEDイメージング

^○酒井裕司¹，伊藤明²，中西英俊²，川山巌¹，村上博成¹，斗内政吉¹ (阪大レーザー研¹，大日本スクリーン製造²)

11:30 〜 11:45

[18a-F9-8] 1550nm帯多層積層QD-SOAのフェムト秒パルス応答特性

^○松本敦¹，武井勇樹¹，松下明日香¹，赤羽浩一²，松島裕一³，宇髙勝之¹ (早大理工¹，情報通信研究機構²，早大³)

11:45 〜 12:00

[18a-F9-9] 半導体光増幅器での周波数雑音特性

樋口和貴，^○（B）高島隆義，山田実，桑村有司 (金沢大自)

12:00 〜 12:15

[18a-F9-10] 集積化半導体レーザでの雑音特性に対する光増幅部の影響

梅田剛敬，大前徳之，修継強，^○（M1）樋口和貴，桑村有司，山田実 (金沢大自)

一般セッション(口頭講演)

[18p-F9-1~16] 5.1 半導体レーザー・発光/受光素子

2014年3月18日(火) 14:00 〜 18:15 F9 (F401)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食 12:15〜14:00 （12:15 〜 14:00）

14:00 〜 14:15

△ [18p-F9-1] MBE成長GaAs_1-xBi_xレーザダイオードの室温発振

^○（D）冬木琢真，吉田憲司，吉岡諒，吉本昌広 (京工繊大)

14:15 〜 14:30

△ [18p-F9-2] 選択的絶縁体クラッド層を有する非対称リッジ型半導体レーザー

^○（M1）大島光則，沼居貴陽 (立命館大)

14:30 〜 14:45

△ [18p-F9-3] 横方向回折格子と選択的絶縁体クラッド層を有するリッジ型半導体レーザー ―回折格子次数依存性―

^○（M1）平崎琢也，沼居貴陽 (立命館大)

14:45 〜 15:00

[18p-F9-4] 外部共振器型量子ドットレーザの縦モード安定性

^○安岡奈美¹，石田充²，山口正臣²，江川満²，山本剛之²，菅原充³，荒川泰彦¹ (東大ナノ量子機構¹，富士通研究所²，QDレーザ³)

15:00 〜 15:15

[18p-F9-5] イオン注入・熱拡散を用いた横方向PN接合DFBレーザの25 Gb/s直接変調

^○長谷部浩一，武田浩司，藤井拓郎，佐藤具就，硴塚孝明，松尾慎治 (NTT)

15:15 〜 15:30

[18p-F9-6] 極薄SOI MOSトンネル発光素子におけるエレクトロルミネセンス

^○中向保徳，宮田優樹，川合健太郎，有馬健太，森田瑞穂，土田彩乃 (阪大)

15:30 〜 15:45

[18p-F9-7] Spin-on dopantを用いたGe表面改質によるPL発光増強

^○大澤茜^1,2，安武裕輔^1,3，深津晋¹ (東大院総合¹，横浜雙葉中学高等学校²，JST さきがけ³)

15:45 〜 16:00

[18p-F9-8] SOI導波路構造上InAs/GaAs量子ドットレーザ

^○田辺克明^1,2，荒川泰彦^1,2,3 (東大ナノ量子¹，PECST²，東大生研³)

休憩 16:00〜16:15 （16:00 〜 16:15）

16:15 〜 16:30

▲ [18p-F9-9] 金属ストライプを介した接合法によるsilicon-on-insulator基板上電流注入型InAs/GaAs量子ドットレーザ

^○張芫萱¹，田辺克明²，岩本敏^1,2，荒川泰彦^1,2 (東大生産研¹，東大ナノ量子機構²)

16:30 〜 16:45

△ [18p-F9-10] Si基板上横方向電流注入型GaInAsP/InP薄膜レーザ

^○井上大輔¹，李智恩¹，土居恭平¹，平谷拓生¹，厚地祐輝¹，雨宮智宏²，西山伸彦¹，荒井滋久^1,2 (東工大電気電子工¹，東工大量子ナノ²)

16:45 〜 17:00

[18p-F9-11] 中赤外量子カスケードレーザの低消費電力化の検討

^○吉永弘幸，森大樹，橋本順一，辻幸洋，村田誠，棚橋俊之，勝山造 (住友電工)

17:00 〜 17:15

[18p-F9-12] 正弦波形組成構造をもつ分布型ブラッグ反射器内の静電ポテンシャルとキャリア濃度

^○真鍋直樹，下村哲 (愛媛大理工)

17:15 〜 17:30

▲ [18p-F9-13] Lasing Characteristic of InGaAs Circular-Grating-Coupled Surface Emitting Laser with Focusing Function

AshimSaha，^○上向井正裕，ToshiakiSuhara (Osaka Univ.)

17:30 〜 17:45

△ [18p-F9-14] サブ波長回折格子波長可変面発光レーザの横モード制御の検討

^○（M1）井上俊也，小山二三夫 (東工大精研)

17:45 〜 18:00

▲ [18p-F9-15] 27 GHz Directly Modulated Transverse Coupled Cavity VCSEL by Utilizing the Photon-Photon Resonance

^oHamedDalir，FumioKoyama (Tokyo Institute of Technology)

18:00 〜 18:15

▲ [18p-F9-16] Strong Lateral Coupling from VCSEL to Slow Light Waveguide by Width Modification

^oHamedDalir，YutaTakahashi，ToshikazuShimada，FumioKoyama (Tokyo Institute of Technology)

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[18a-F9-1] 結晶セレンを用いたヘテロ接合フォトダイオードの暗電流特性の改善

[18a-F9-2] CMOS互換プロセスを用いた薄膜PIN型Si光検出器のsub-10 GHz応答

[18a-F9-3] ローパスフィルタによるＡＰＤ単一光子検出器のアフターパルス低減

[18a-F9-4] スポットサイズ変換器集積InP系導波路型受光素子を用いた小型コヒーレントレシーバの高感度化

[18a-F9-5] AlGaAs近接障壁層導入による量子ドット赤外線検出器の比検出能向上

[18a-F9-6] 電荷敏感型赤外光子検出器による2色検出

[18a-F9-7] レーザーテラヘルツ放射顕微鏡を用いたLEDイメージング

[18a-F9-8] 1550nm帯多層積層QD-SOAのフェムト秒パルス応答特性

[18a-F9-9] 半導体光増幅器での周波数雑音特性

[18a-F9-10] 集積化半導体レーザでの雑音特性に対する光増幅部の影響

[18p-F9-1~16] 5.1 半導体レーザー・発光/受光素子

△ [18p-F9-1] MBE成長GaAs_1-xBi_xレーザダイオードの室温発振

△ [18p-F9-2] 選択的絶縁体クラッド層を有する非対称リッジ型半導体レーザー

△ [18p-F9-3] 横方向回折格子と選択的絶縁体クラッド層を有するリッジ型半導体レーザー ―回折格子次数依存性―

[18p-F9-4] 外部共振器型量子ドットレーザの縦モード安定性

[18p-F9-5] イオン注入・熱拡散を用いた横方向PN接合DFBレーザの25 Gb/s直接変調

[18p-F9-6] 極薄SOI MOSトンネル発光素子におけるエレクトロルミネセンス

[18p-F9-7] Spin-on dopantを用いたGe表面改質によるPL発光増強

[18p-F9-8] SOI導波路構造上InAs/GaAs量子ドットレーザ

▲ [18p-F9-9] 金属ストライプを介した接合法によるsilicon-on-insulator基板上電流注入型InAs/GaAs量子ドットレーザ

△ [18p-F9-10] Si基板上横方向電流注入型GaInAsP/InP薄膜レーザ

[18p-F9-11] 中赤外量子カスケードレーザの低消費電力化の検討

[18p-F9-12] 正弦波形組成構造をもつ分布型ブラッグ反射器内の静電ポテンシャルとキャリア濃度

▲ [18p-F9-13] Lasing Characteristic of InGaAs Circular-Grating-Coupled Surface Emitting Laser with Focusing Function

△ [18p-F9-14] サブ波長回折格子波長可変面発光レーザの横モード制御の検討

▲ [18p-F9-15] 27 GHz Directly Modulated Transverse Coupled Cavity VCSEL by Utilizing the Photon-Photon Resonance

▲ [18p-F9-16] Strong Lateral Coupling from VCSEL to Slow Light Waveguide by Width Modification

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[18a-F9-1~10] 5.1 半導体レーザー・発光/受光素子

[18p-F9-1~16] 5.1 半導体レーザー・発光/受光素子

△ [18p-F9-1] MBE成長GaAs1-xBixレーザダイオードの室温発振

△ [18p-F9-2] 選択的絶縁体クラッド層を有する非対称リッジ型半導体レーザー

△ [18p-F9-3] 横方向回折格子と選択的絶縁体クラッド層を有するリッジ型半導体レーザー ―回折格子次数依存性―

▲ [18p-F9-9] 金属ストライプを介した接合法によるsilicon-on-insulator基板上電流注入型InAs/GaAs量子ドットレーザ

△ [18p-F9-10] Si基板上横方向電流注入型GaInAsP/InP薄膜レーザ

▲ [18p-F9-13] Lasing Characteristic of InGaAs Circular-Grating-Coupled Surface Emitting Laser with Focusing Function

△ [18p-F9-14] サブ波長回折格子波長可変面発光レーザの横モード制御の検討

▲ [18p-F9-15] 27 GHz Directly Modulated Transverse Coupled Cavity VCSEL by Utilizing the Photon-Photon Resonance

▲ [18p-F9-16] Strong Lateral Coupling from VCSEL to Slow Light Waveguide by Width Modification

△ [18p-F9-1] MBE成長GaAs_1-xBi_xレーザダイオードの室温発振