〇(D)Hao Qiu¹, Tomoko Mizutani¹, Yoshiki Yamamoto², Hideki Makiyama², Tomohiro Yamashita², Hidekazu Oda², Shiro Kamohara², Nobuyuki Sugii², Takuya Saraya¹, Masaharu Kobayashi¹, Toshiro Hiramoto¹ (1.Institute of Industrial Science, The University of Tokyo, 2.LEAP)

13:45 〜 14:00

[15p-1C-3] 高エネルギー重イオン入射によるSOI-SRAMのソフトエラー発生の生成電荷分布依存性評価

〇阿保智¹、迫間昌俊¹、若家冨士男¹、小野田忍^1,2、牧野高紘²、大島武²、尾田秀一³、高井幹夫¹ (1.阪大院基礎工、2.原子力機構、3.ルネサスエレクトロニクス)

14:00 〜 14:15

[15p-1C-4] 不揮発性SRAMを用いたパワーゲーティングアーキテクチャの定量比較

〇周藤悠介¹、山本修一郎¹、菅原聡¹ (1.東工大像情報)

14:15 〜 14:30

[15p-1C-5] MOSFET上に集積化したCu-MoO_x-Al抵抗変化型メモリのRESET時多値メモリ動作

〇富崎和正¹、安藤秀幸¹、森江隆¹、廣井孝弘²、中根明俊²、福地厚²、有田正志²、高橋庸夫² (1.九工大・生命体工、2.北大・院情報)

14:30 〜 14:45

△ [15p-1C-6] 磁性体電極を用いた抵抗変化メモリ素子におけるスイッチング特性及び磁気抵抗効果の評価

〇(B)吉田勇人¹ (1.関西大学)

14:45 〜 15:00

[15p-1C-7] 線幅2nmの超微細シリコンナノワイヤトランジスタにおける量子閉じ込め効果によるしきい値電圧および電流ばらつき

〇水谷朋子¹、棚橋裕麻¹、鈴木龍太¹、更屋拓哉¹、小林正治¹、平本俊郎¹ (1.東大生研)

15:00 〜 15:15

[15p-1C-8] ポリシリコンと結晶シリコンチャネルFinFET CMOSインバータの作製及びその特性ばらつきの比較評価

〇柳永シュン¹、堀洋平¹、大野守史¹、松川貴¹、遠藤和彦¹、大内真一¹、塚田順一¹、山内洋美¹、石川由紀¹、水林亘¹、森田行則¹、右田真司¹、太田裕之¹、昌原明植¹ (1.産総研)

15:15 〜 15:30

[15p-1C-9] エクステンションへのイオン注入に起因するFinFETのGIDL

〇松川貴¹、柳永勛¹、大塚慎太郎¹、森貴洋¹、森田行則¹、大内真一¹、更田裕司¹、右田真司¹、昌原明植¹ (1.産総研)

15:30 〜 15:45

[15p-1C-10] ジャンクションレスナノワイヤFETにおける移動度

〇植田暁子¹、Mathieu Luisier²、佐野伸行¹ (1.筑波大電物、2.チューリッヒ工科大)

休憩（15:45 〜 16:00）

16:00 〜 16:15

[15p-1C-11] レーザーアニールプロセスの高性能パワー素子への応用

〇陳訳¹、岡田竜弥¹、野口隆¹、マッツァムトフルビオ²、ヒュエットカリム² (1.琉球大、2.SCREENセミコンダクターソリューションズ)

16:15 〜 16:30

[15p-1C-12] Poly-Ge TFTへの原子状水素アニールの効果

〇部家彰¹、平野翔大¹、松尾直人¹ (1.兵庫県立大工)

16:30 〜 16:45

[15p-1C-13] 3次元ICに向けた多結晶InSb薄膜の電気特性評価

〇(M1)高橋正紘^1,2、藤川沙千恵¹、藤代博記¹、入沢寿史²、富永淳二²、前田辰郎^1,2 (1.東理大院基礎工、2.産総研)

16:45 〜 17:00

[15p-1C-14] 硫黄粉末アニールの減圧化によるスパッタMoS₂薄膜の結晶性向上

〇(M1)松浦賢太朗¹、大橋匠¹、石原聖也²、澤本直美²、日比野祐介²、須田耕平²、角嶋邦之¹、筒井一生¹、小椋厚志²、若林整¹ (1.東工大、2.明治大学)

17:00 〜 17:15

[15p-1C-15] 1T-TaS₂の相転移に対する温度およびゲートバイアス変調効果

〇柴山茂久^1,2、方楠¹、矢嶋赳彬¹、西村知紀¹、長汐晃輔¹、鳥海明¹ (1.東大院工、2.学振特別研究員)

17:15 〜 17:30

[15p-1C-16] VO₂チャネルトランジスタのチャネル膜厚に依存したゲート変調

〇矢嶋赳彬^1,2、西村知紀^1,2、鳥海明^1,2 (1.東京大学、2.JST-CREST)

17:30 〜 17:45

[15p-1C-17] 二次元Si系半導体の検討（Ⅱ）：C添加による物性変調

〇長嶺由騎¹、小又祐介¹、青木孝¹、水野智久¹、鮫島俊之² (1.神奈川大理、2.東京農工大工)

17:45 〜 18:00

△ [15p-1C-18] 2次元固定負電荷誘起による2DHGを用いたC-HダイヤモンドMOSFETデバイスシミュレーション

〇柴田将暢¹、許德琛¹、北林祐哉¹、平岩篤¹、川原田洋¹ (1.早大理工)

一般セッション(口頭講演)

[16a-1C-1~11] 13.5 デバイス／集積化技術

2015年9月16日(水) 09:00 〜 12:00 1C (135)

座長:太田裕之(産総研)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

▲ [16a-1C-1] [Young Scientist Presentation Award Speech] Effects of strain, interface states and back bias on electrical characteristics of Ge-source UTB strained-SOI tunnel FETs

〇Minsoo Kim^1,2, Yuki K. Wakabayashi¹, Ryosho Nakane¹, Masafumi Yokoyama¹, Mitsuru Takenaka^1,2, Shinichi Takagi^1,2 (1.The Univ. of Tokyo, 2.JST-CREST)