[19a-S423-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[19a-S423-1] ミニマル・メガファブハイブリッドプロセスによるSOI-CMOS集積回路の作製及び電気特性評価

〇柳 永シュン¹、クンプアン ソマワン^1,2、長尾 昌善¹、原 史朗^1,2 (1.産総研、2.ミニマル)

キーワード：ミニマル、SOI-CMOS、リングオシレータ