[19a-S423-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[19a-S423-2] ミニマル液体ドーパントプロセスによるCMOS試作（II）

〇古賀 和博^1,2、居村 史人^1,2、北山 侑司²、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ)

キーワード：CMOSインバータ

我々はイオン注入法の代わりに、ボロン溶剤を用いたスピンオンによる熱拡散法を採用しドーピングプロセスを開発している。CMOSインバータの試作について先に報告済であるが、今回は貫通電流などの特性改善について報告する。