[19a-S423-1~13] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /MEMS/Integration technology

[19a-S423-3] Oscillation Characteristics of Ring Oscillators Fabricated by Minimal Fab

〇Fumito Imura^1,2, Kazuhiro Koga^1,2, Sommawan Khumpuang^1,2, Shiro Hara^1,2 (1.AIST, 2.Minimal Fab)

Keywords:Minimal Fab

これまでにミニマルファブでは、抵抗負荷型pMOSインバータとそれを用いたリングオシレータを作製することによって、ミニマルファブは十分なクリーン性能を有し、デバイスが作製できる製造システムであることを実証してきた。しかし、浮遊容量の低減や抵抗値の吟味など高速化に必要なデバイス構造を最適化していなかった。今回、リングオシレータの構造設計と作製プロセスを見直し、その発振特性の評価を行ったので報告する。