[19a-S423-1~13] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /MEMS/Integration technology

[19a-S423-2] CMOSFET Fabrication by Minimal Spin-on Dopant Process(2)

〇Kazuhiro Koga^1,2, Fumito Imura^1,2, Yuji Kitayama², Sommawan Khumpuang^1,2, Shiro Hara^1,2 (1.AIST, 2.MINIMAL)

Keywords:CMOS Invertor

我々はイオン注入法の代わりに、ボロン溶剤を用いたスピンオンによる熱拡散法を採用しドーピングプロセスを開発している。CMOSインバータの試作について先に報告済であるが、今回は貫通電流などの特性改善について報告する。