[19a-S423-1~13] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /MEMS/Integration technology

[19a-S423-4] Process of Thin Thermal Oxide Film Using a Minimal Focused Light Heating Furnace with a Sealed Chamber

〇Noriko Miura¹, Takeshi Yamada^1,2, Takeshi Aizawa^1,2, Shinichi Ikeda^1,3, Yuuki Ishida^1,3, Takanori Mikahara^1,3, Hiroshi Nishizato^1,4, Norio Umeyama^1,3, Yasuhiro Onishi^1,2, Sommawan Khumpuang^1,3, Shiro Hara^1,3 (1.MINIMAL, 2.YONEKURA, 3.AIST, 4.HORIBA STEC)

Keywords:minimal,thermal oxidation,furnace

Siのドライ酸化プロセスにおける加熱炉体への大気巻込みは、トランジスタ特性を劣化させるだけでなく、熱酸化膜の薄膜化を困難にする。ミニマルプロセスで良質な薄い熱酸化膜を安定して形成するために、我々は密閉式チャンバーを用いたミニマル集光加熱炉を開発し、チャンバー内の真空引きと窒素ガス置換により、大気巻込みによる意図しない熱酸化の抑制を行った。