[19a-S423-1~13] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /MEMS/Integration technology

[19a-S423-6] Heating characteristics of the minimal furnace that can irradiate laser from the backside of a wafer

〇kazushige sato¹, Haruki Toonoe¹, Takashi Chiba^1,3, Masao Terada^1,3, Shinichi Ikeda^1,2, Sommawan Khumpuang^1,2, Shiro Hara^1,2 (1.Minimal Fab Development Association, 2.AIST, 3.Sakaguchi E.H VOC Corp)

Keywords:laser heating,minimal

高速で昇降温ができるレーザ加熱装置において、ウェハ表面にパターンが形成されていると、ウェハ温度がパターンの影響を受け放射温度計で正確に測定できないなどの問題点がある。この問題を解決するため、ウェハ裏面からレーザ照射しウェハ温度を測定できる装置を開発した。今回、ウェハ裏面からのレーザ照射で熱酸化膜を形成して評価し、ウェハ表面(照射面と反対側)でも裏面と同様な加熱が得られることを確認した。