[19a-S423-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[19a-S423-6] ウェハ裏面からレーザ照射できるミニマルレーザ加熱装置の加熱特性

〇佐藤 和重¹、遠江 栄希¹、千葉 貴史^1,3、寺田 昌男^1,3、池田 伸一^1,2、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.ミニマルファブ技術研究組合、2.産総研、3.坂口電熱)

キーワード：レーザ加熱、ミニマルファブ

高速で昇降温ができるレーザ加熱装置において、ウェハ表面にパターンが形成されていると、ウェハ温度がパターンの影響を受け放射温度計で正確に測定できないなどの問題点がある。この問題を解決するため、ウェハ裏面からレーザ照射しウェハ温度を測定できる装置を開発した。今回、ウェハ裏面からのレーザ照射で熱酸化膜を形成して評価し、ウェハ表面(照射面と反対側)でも裏面と同様な加熱が得られることを確認した。