[21p-P17-1~26] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /MEMS/Integration technology

△ [21p-P17-3] Effect of channel doping on poly-Si TFTs with Multi-Line-Beam CLC

〇Mitsuhisa Hiraiwa¹, Tatsuaki Hirata¹, NguyenThi Thuy¹, Koji Kotani², Shin-Ichiro Kuroki¹ (1.Hiroshima Univ., 2.Touhoku Univ)

Keywords:Thin Film Transistor,Poly Si

Multi-Line-Beam CLC (MLB-CLC)を用いることで結晶面方位と成長方向が均一なpoly-Si薄膜を得ることができる 。作製した低温poly-Si TFTのON電流は高い値が得られているが、OFF電流も高い電流値を示しており、ON/OFF比の改善が求められる。この原因として結晶化領域でDonor型欠陥が発生し、N-type化していることが考えられる。本研究ではチャネル部に不純物注入を行い、欠陥を補償することでOFFリーク電流改善を行ったので報告する。