一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術
09:00 〜 09:15
〇畠中 駿介1、高 洪ミョウ2、杉野 貴之2、佐々木 雅也2、宮尾 正信2、佐道 泰造2 (1.九大工、2.九大システム情報)
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09:15 〜 09:30
〇八木 和樹1、高 洪ミョウ2、杉野 貴之2、宮尾 正信2、佐道 泰造2 (1.九大工、2.九大システム情報)
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09:30 〜 09:45
〇吉峯 遼太1、都甲 薫1、末益 崇1 (1.筑波大院)
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09:45 〜 10:00
〇高原 大地1、都甲 薫1、吉峯 遼太1、末益 崇1 (1.筑波大院 数理物質)
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10:00 〜 10:15
〇鈴木 貴博1、横川 凌1,4、三野 伸晃1、高橋 和也2、小森 克彦2、森本 保3、澤本 直美1、小椋 厚志1 (1.明治大理工、2.東京エレクトロン東北(株)、3.東京エレクトロン(株)、4.学振特別研究員DC)
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10:15 〜 10:30
〇高石 理一郎1、佐久間 究1、浅野 孝典1、齋藤 真澄1、田中 洋毅1、太期 由貴子2、福嶌 豊2 (1.東芝、2.東芝ナノアナリシス)
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10:30 〜 10:45
〇岡本 裕二1,2、堤 大耀3、石垣 隆正3、Fatima Zohra Dahmani4、角谷 正友1 (1.物材機構、2.筑波大、3.法政大、4.USTO-MB)
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11:00 〜 11:15
〇岡田 竜弥1、我喜屋 風太1、伊敷 優哉1、野口 隆1 (1.琉大工)
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11:15 〜 11:30
〇稗田 竜己1、花房 宏明1、東 清一郎1 (1.広大院先端研)
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11:30 〜 11:45
〇中野 航1、花房 宏明1、東 清一郎1 (1.広大院先端研)
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11:45 〜 12:00
〇佐々木 伸夫1,2、浦岡 行治2、Muhammad Arif2 (1.Sasaki Consulting、2.奈良先端大)
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12:00 〜 12:15
〇(DC)Thuy Thi Nguyen1、Mitsuhisa Hiraiwa1、Tomoyuki Koganezawa2、Satoshi Yasuno2、Shin-Ichiro Kuroki1 (1.Hiroshima Univ.、2.SPring-8)
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12:15 〜 12:30
〇谷地田 剛介1、井上 航大1、星野 靖1、中田 穣治1 (1.神奈川大院理)
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