[8a-C21-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[8a-C21-5] Sol-Gel膜とFLAを用いた極浅領域のコンフォーマルドーピング技術

〇布施 和彦¹、谷村 英昭¹、青山 敬幸¹、加藤 慎一¹、小林 一平¹ (1.SCREEN)

キーワード：フラッシュランプアニール、コンフォーマルドーピング、接合形成

FinFETにおけるソース/ドレイン(S/D)領域の接合形成では、極めて浅い領域に無欠陥で高濃度かつコンフォーマルにドーピングできる技術が求められる。本研究では、ヒ素ドープしたSol-Gel Coating (SGC)膜とFlash Lamp Annealing (FLA)を組み合わせることで良好な接合形成を実現した。本手法は、3DデバイスのS/Dエクステンション形成に有効なひとつの手段であると考える。