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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[17a-E206-1~14] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2017年3月17日(金) 09:00 〜 12:45 E206 (E206)

角嶋邦之(東工大)、岡田竜弥(琉球大)

09:45 〜 10:00

▲ [17a-E206-4] Schottky diode characteristics at metal/surface-damaged Ge

〇(M1)Luo Xuan¹、西村知紀¹、矢嶋赳彬¹、鳥海明¹ (1.東大院工)

キーワード：Germanium, Schottky barrier