一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術
2018年3月17日(土) 09:00 〜 12:30 F206 (61-206)
△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし
09:00 〜 09:15
〇(M1)南家 健志1、蓮沼 隆1 (1.筑波大学)
スケジュール
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09:15 〜 09:30
〇中澤 優斗1、蓮沼 隆1 (1.筑波大学)
スケジュール
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09:30 〜 09:45
〇小澤 航大1、蓮沼 隆1 (1.筑波大)
スケジュール
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09:45 〜 10:00
〇大田 晃生1、今川 拓哉1、池田 弥央1、牧原 克典1、宮崎 誠一1 (1.名大院工)
スケジュール
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10:00 〜 10:15
〇矢島 雄司1、白石 賢二2,4、遠藤 哲郎3,4、影島 博之1,4 (1.島根大、2.名古屋大、3.東北大、4.JST-ACCEL)
スケジュール
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10:15 〜 10:30
〇宝玉 充1、泉田 貴士1、谷本 弘吉1、青木 伸俊1、尾上 誠司1 (1.東芝メモリ（株）)
スケジュール
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10:30 〜 10:45
〇(M2)市川 辰哉1、松本 健俊1、小林 光1 (1.阪大産研)
スケジュール
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10:45 〜 11:00
〇Yoshito Hirokawa1、Masahiko Hasumi1、Toshiyuki Samesima1、Tomohisa Mizuno2 (1.TUAT、2.Kanagawa Univ.)
スケジュール
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11:15 〜 11:30
〇濱口 高志1、喜多 浩之1 (1.東大院工)
スケジュール
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11:30 〜 11:45
〇(M1)Marc Perea1、Okuto Takahashi1、Koki Nakane1、Nobuhiro Nagasawa1、Takanobu Watanabe1 (1.Waseda University)
スケジュール
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11:45 〜 12:00
〇堀川 清貴1、平岩 篤2,4、大久保 智1、蔭浦 泰資1、川原田 洋1,2,3 (1.早大理工、2.早大ナノ・ライフ、3.早大材研、4.名大未来研)
スケジュール
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12:00 〜 12:15
〇(M1)横山 千晶1、張 志宇1、加藤 公彦1、竹中 充1、高木 信一1 (1.東京大院工)
スケジュール
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12:15 〜 12:30
〇根笹 良太1、黒川 康良1、宇佐美 徳隆1 (1.名大院工)
スケジュール
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