[18p-B301-1~10] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2018年3月18日(日) 13:00 〜 15:45 B301 (53-301)

嵯峨幸一郎(ソニー)、蓮沼隆(筑波大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

13:00 〜 13:15

[18p-B301-1] チャージポンピング法によるSi/SiO₂界面近傍酸化膜トラップの評価

〇土屋敏章¹、堀匡寛¹、小野行徳¹ (1.静岡大電研)

13:15 〜 13:30

〇今川拓哉¹、大田晃生¹、田岡紀之²、藤村信幸¹、池田弥央¹、牧原克典¹、宮崎誠一¹ (1.名大院工、2.産総研 GaN-OIL)

13:30 〜 13:45

〇(B)牛丸晃太^1,2、張江貴大^1,2、小林大輔²、山本知之¹、廣瀬和之^1,2 (1.早大理工、2.宇宙研)

13:45 〜 14:00

〇武田さくら¹、森田一帆¹、大門寛¹ (1.奈良先端大)

14:15 〜 14:30

〇(M1)葛川翔太郎¹、小野貴寛¹、川野達郎¹、松山浩輝¹、小林一博¹、久保田弘¹、橋新剛¹、吉岡昌雄²、宮下守也³、前田貴弘³ (1.熊大院自、2.熊大工、3.グローバルウェーハズ・ジャパン)

14:30 〜 14:45

〇小野貴寛¹、川野達郎¹、葛川翔太郎¹、松山浩輝¹、村上大和²、山本卓也²、柏木海人²、小林一博²、吉岡昌雄²、橋新剛²、久保田弘² (1.熊大院自、2.熊大工)

14:45 〜 15:00

〇大野力一¹ (1.ソニーセミコンダクタソリューションズ)

15:00 〜 15:15

〇米澤周平¹、土橋和也¹、岩井繁幸¹、一之瀬達也²、坂口隆志² (1.東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ、2.イアス)

15:15 〜 15:30

〇平川雅章¹、平林英明²、長嶋裕次³ (1.東芝、2.東芝マテリアル、3.芝浦メカトロニクス)

15:30 〜 15:45

〇清家善之¹、渡辺隼人¹、宮川将吾¹、森竜雄¹、瀬川大司²、小林義典²、宮地計ニ²、甘利昌彦² (1.愛知工大、2.旭サナック)