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一般セッション(口頭講演)

[17p-C103-1~13] 6.4 薄膜新材料

2018年3月17日(土) 13:45 〜 18:00 C103 (52-103)

中村吉伸(東大)、鈴木基史(京大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:45 〜 14:30

[17p-C103-1] [6. 薄膜・表面　分科内招待講演] 2次元単原子層物質の創成と現状ーシリセンを中心にー

〇高木紀明¹ (1.東大新領域)

14:30 〜 15:00

[17p-C103-2] [6. 薄膜・表面　分科内招待講演] 機能性薄膜の汎用的微細化プロセスとデバイス開発

〇原田尚之¹、 Woltmann Carsten²、 Wittlich Pascal²、 Mannhart Jochen²、塚﨑敦¹ (1.東北大金研、2.マックスプランク研)

15:00 〜 15:15

[17p-C103-3] 液体プロセスを用いた酸化物TFTのフレキシブル基板上への低温形成

〇乾京介¹、芳本裕樹¹、李金望¹、林真一朗¹、下田達也¹ (1.北陸先端大)

15:15 〜 15:30

[17p-C103-4] 新規摩擦励起成膜法によるMoS₂/Geヘテロ構造の形成

〇伊藤孝郁¹、田邉匡生¹、小山裕¹ (1.東北大院工)

15:30 〜 15:45

[17p-C103-5] 超臨界流体堆積法による酸化ハフニウム薄膜の低温合成と段差被覆成膜

〇川島広明¹、内田寛¹ (1.上智大)

15:45 〜 16:00

[17p-C103-6] TiO₂/SiO₂/Al構造を用いた光吸収率の増強による光触媒の高効率化

〇角木亮介¹、名村今日子¹、陳佳瑋²、闕郁倫²、鈴木基史¹ (1.京大院・工、2.國立清華大・材料)

16:15 〜 16:30

[17p-C103-7] [講演奨励賞受賞記念講演] NbH_x (0 ≤ x < 1)エピタキシャル薄膜の構造相転移と電子伝導特性

〇笹原悠輝¹、清水亮太^1,2、小倉正平³、西尾和記¹、杉山一生¹、大口裕之⁴、福谷克之³、折茂慎一^4,5、一杉太郎¹ (1.東工大物質理工、2.JSTさきがけ、3.東大生産研、4.東北大AIMR、5.東北大金研)

16:30 〜 16:45

△ [17p-C103-8] 水素ラジカル支援パルスレーザ堆積法を用いたZrH₂薄膜の作製

〇西暁登¹、吉松公平¹、大友明^1,2 (1.東工大物質理工、2.元素戦略)

16:45 〜 17:00

△ [17p-C103-9] 反応性マグネトロンスパッタ法を用いたYH₂エピタキシャル薄膜の配向制御

〇(B)小松遊矢¹、清水亮太^1,2、笹原悠輝¹、西尾和記¹、大口裕之³、折茂慎一^3,4、一杉太郎¹ (1.東工大物質理工、2.JSTさきがけ、3.東北大AIMR、4.東北大金研)

17:00 〜 17:15

△ [17p-C103-10] Gd並びにMg-Y薄膜のスイッチングミラー特性の高性能化

〇下柳勇次¹、賈軍軍¹、中村新一¹、伊村正明²、金井敏正²、重里有三¹ (1.青学大理工、2.日本電気硝子)

17:15 〜 17:30

△ [17p-C103-11] 一酸化スズとリン酸を用いた導電性材料

〇松崎礼依未¹、後藤英雄¹、田橋正浩¹、高橋誠¹ (1.中部大工)

17:30 〜 17:45

△ [17p-C103-12] 無極性AlN薄膜成長のためのスパッタ法を用いたMnSバッファー層作製条件の検討

〇(M1)立島滉大^1,2、長田貴弘²、石橋啓次³、高橋健一郎³、鈴木摂³、小椋厚志¹、知京豊裕² (1.明治大学、2.物材研、3.（株）コメット)

17:45 〜 18:00

△ [17p-C103-13] 原子ステップ型超平坦ポリマー基板上でのフレキシブル酸化物p/n薄膜の作製と特性評価

〇岩佐健¹、木下太一郎¹、中村稀星¹、金子智^2,1、松田晃史¹、吉本護¹ (1.東工大物質理工、2.神奈川県産総研)

一般セッション(口頭講演)

[19a-C103-1~12] 6.4 薄膜新材料

2018年3月19日(月) 09:00 〜 12:15 C103 (52-103)

遠藤民生(さがみはら表面研)、鈴木宗泰(産総研)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

▲ [19a-C103-1] UV-assisted sol-gel processing of zinc oxide thin films for OLED encapsulation

〇Lina Sun¹、 Yuu Kurosawa¹、 Yoshiyuki Suzuri¹、 Naoko Okimoto²、 Hiroki Maeda² (1.Yamagata Univ. INOEL、2.Dai Nippon Printing)

09:15 〜 09:30

▲ [19a-C103-2] Growth and gas sensing properties of TiO₂nanostructures by MOD method

〇(PC)Leila Alipour¹、 Tohru Sugahara¹、 Jun-ichi Nakamura²、 Hironobu Ono²、 Nobuyuki Harada²、 Katsuaki Suganuma¹ (1.Osaka Univ.、2.Nihon Shokubai)

09:30 〜 09:45

▲ [19a-C103-3] Effects of strain on thermal conductivity of Fe₂VAl-based superlattice thin film

〇(PC)Seongho Choi¹、 Satoshi Hiroi²、 Shunsuke Nishino¹、 Manabu Inukai³、 Dogyun Byeon¹、 Masashi MiKami⁴、 Tsunehiro Takeuchi¹ (1.Toyota Tech. Inst.、2.NIMS、3.Nagoya Inst. Tech.、4.AIST Chubu)

09:45 〜 10:00

[19a-C103-4] The Band Structure of The Quasi-One-Dimensional Layered Semiconductor TiS₃(001)

〇Takashi Komesu¹、 Hemian Yi²、 Simeon Gilbert¹、 Guanhua Hao¹、 Andrew Yost¹、 Alexey Lipatov³、 Alexander Sinitskii³、 Jose Avila²、 Chaoyu Chen²、 Maria Asensio²、 Peter Dowben¹ (1.U. of Nebraska Phsy.、2.SOLEIL、3.U. of Nebraska Chem.)

10:00 〜 10:15

▼ [19a-C103-5] Room Temperature Mineralization of Cyclosiloxane Supramolecule Monolayers toward Ultrathin Silica Films

〇Huie Zhu¹、 Buket Akkus¹、 Shunsuke Yamamoto¹、 Jun Matsui²、 Tokuji Miyashita¹、 Masaya Mitsuishi¹ (1.Tohoku University、2.Yamagata University)

10:15 〜 10:30

▼ [19a-C103-6] Improved crystallinity of BaTaO₂N epitaxial thin films by BaSnO₃ buffer layer

〇(D)Vitchaphol Motaneeyachart¹、 Yasushi Hirose¹、 Tetsuya Hasegawa¹ (1.Univ. of Tokyo)

10:45 〜 11:00

[19a-C103-7] XPSによるGaGdAs:Si多層膜の電子状態分析2

〇佐野翼¹、加藤昇¹、宮川勇人¹、高橋尚志¹ (1.香川大)

11:00 〜 11:15

[19a-C103-8] 第一原理計算による遷移金属ダイカルコゲナイドのゲージファクタ解析

〇中村康一^1,2 (1.京大学際セ、2.エジプト日本科技大)

11:15 〜 11:30

[19a-C103-9] 近藤半導体SmSeの純良薄膜作製と電界効果

〇迫田將仁¹、生田昂¹ (1.農工大工)

11:30 〜 11:45

[19a-C103-10] 擬似III-V族窒化物ZnSnN₂薄膜の電子輸送機構

曹祥¹、川村史朗²、谷口尚²、〇山田直臣¹ (1.中部大工、2.物質･材料研究機構)

11:45 〜 12:00

[19a-C103-11] 高速度鋼基板上へ形成したAlN硬質被膜の構造解析

〇吉田智博¹、村澤功基²、工藤昌輝³、鳥山誉亮³、内田聖也⁴、福井康雄²、櫻井正俊²、吉武剛⁴ (1.福岡県工技セ機電研、2.オーエスジー株式会社、3.九大超顕微セ、4.九大院総理工)

12:00 〜 12:15

[19a-C103-12] ダイナミックオーロラPLD法を用いたMn₃CuNエピタキシャル薄膜の成長と評価

〇川口昂彦¹、鈴木淳平¹、坂元尚紀¹、鈴木久男¹、脇谷尚樹¹ (1.静大工)

一般セッション(口頭講演)

[20a-C103-1~11] 6.4 薄膜新材料

2018年3月20日(火) 09:00 〜 12:00 C103 (52-103)

松田晃史(東工大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
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09:00 〜 09:15

[20a-C103-1] CNPを被覆したガラス基板上への結晶化YSZ薄膜の室温堆積

〇堀田將¹、柳生瞳²、能木雅也² (1.北陸先端大、2.阪大産研)

09:15 〜 09:30

[20a-C103-2] トライオード法による帯電ミストの輸送・付着過程の診断

〇黒木宇紀¹、石川良¹、白井肇¹ (1.埼玉大理工)

09:30 〜 09:45

[20a-C103-3] TiO₂-VO₂系配向膜におけるスピノーダル分解

〇村岡祐治¹、松浦由佳²、真部侑司²、鈴木雄基²、荒木稜²、門脇賢司²、竹元嘉利²、寺嶋健成¹、脇田高徳¹、横谷尚睦¹ (1.岡山大基礎研、2.岡山大院自然)

09:45 〜 10:00

[20a-C103-4] Al₂O₃ (001)基板上(011)配向VO₂薄膜の成長とM2相を経由する構造相転移

〇松岡耕平¹、沖村邦雄¹ (1.東海大院工)

10:00 〜 10:15

[20a-C103-5] 複合成膜により成膜された低屈折率MgF₂光学薄膜 (Ⅲ)

〇都野義樹¹、増山賢二¹、室谷裕志¹、松本繁治² (1.東海大院工、2.(株)シンクロン)

10:15 〜 10:30

[20a-C103-6] 赤外線領域用Ce化合物光学薄膜の成膜手法の検討

〇馬場拓朗¹、成田彩希¹、室谷裕志¹ (1.東海大学院工)

10:30 〜 10:45

[20a-C103-7] 複合成膜装置によって成膜されたSiO₂光学薄膜の機械的特性

〇増山賢二¹、井原鈴歌¹、都野義樹¹、室谷裕志¹ (1.東海大院工)

11:00 〜 11:15

[20a-C103-8] スパッタ成膜MoS2の酸化により形成される酸化Moの評価

〇小林進大¹、武田さくら¹、米田允俊¹、大門寛¹、若林整² (1.奈良先端大、2.東工大)

11:15 〜 11:30

[20a-C103-9] スパッタリング法による金属薄膜成膜時のRHEED振動の観察

〇小島泰介¹、柳原英人¹ (1.筑波大)

11:30 〜 11:45

[20a-C103-10] レーザ焼結による金属薄膜の作製とガルバニック置換反応による構造制御

〇徳久英雄¹、山本典孝¹、森田智子¹ (1.産総研FLEC)

11:45 〜 12:00

[20a-C103-11] 積層型FTO膜におけるヘイズ率の制御と色素増感太陽電池への応用

〇采女敬史¹、佐藤純¹、奥谷昌之¹ (1.静岡大院工)

一般セッション(ポスター講演)

[19p-P6-1~17] 6.4 薄膜新材料

2018年3月19日(月) 13:30 〜 15:30 P6 (ベルサール高田馬場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
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13:30 〜 15:30

[19p-P6-1] ボンバード蒸着源による低欠陥・低光学吸収フッ化物蒸着

〇上岡昌典¹、菅原康司¹、谷口明¹、高島徹¹ (1.日本電子株式会社)

13:30 〜 15:30

[19p-P6-2] マイクロバブルを用いた電解ニッケルめっき被膜の熱処理効果

〇伊美志峰¹、古橋貴洋²、山田吉康²、臼井博明¹、市原祥次¹ (1.農工大院工、2.(株)山田)

13:30 〜 15:30

[19p-P6-3] SrTiO₃基板上へのVO₂薄膜のエピタキシャル成長

〇楠森毅¹、中尾節男¹ (1.産総研中部)

13:30 〜 15:30

[19p-P6-4] RFマグネトロンスパッタで成膜したMoSi₂-Si複合体薄膜の電気的特性と結晶構造

〇谷本峻吾¹、佐藤祐喜¹、大鉢忠¹、吉門進三¹ (1.同志社大院理工)

13:30 〜 15:30

[19p-P6-5] AlN圧電薄膜の結晶構造における種々の元素添加の影響

田中早紀²、〇上原雅人^1,2、 Anggraini Sri Ayu¹、奥山哲也³、山田浩志^1,2、秋山守人¹ (1.産総研、2.九大総理工、3.久留米高専)

13:30 〜 15:30

[19p-P6-6] 第一原理計算による窒化物圧電体Sc_xAl_1-xN合金の構造評価

〇江藤和也¹、山田浩志^1,2、上原雅人^1,2、秋山守人² (1.九大総理工、2.産総研)

13:30 〜 15:30

[19p-P6-7] 一軸加圧下熱処理によるBi₂VO₅₊_δ薄膜の配向性固相結晶化と特性評価

〇(M1)伊藤翔陽¹、難波諒太郎¹、三村和仙¹、金子智^2,1、舟窪浩¹、松田晃史¹、吉本護¹ (1.東工大物質理工、2.神奈川県産総研)

13:30 〜 15:30

[19p-P6-8] マイクロ波プラズマCVD法による低温での直接グラフェン成長

〇土屋遥紀¹、アディカリスディーブ¹、安林幹翁¹、梅野正義¹ (1.中部大学工学部)

13:30 〜 15:30

[19p-P6-9] 油滑落性コーティング

〇久保田夏実¹、吉田育弘¹、寺井護¹ (1.三菱電機（株）)

13:30 〜 15:30

[19p-P6-10] プラスチック用防汚コーティングの評価

〇片岸恵子¹、広瀬悦子¹、山本義則¹、森岡怜司¹ (1.三菱電機（株）)

13:30 〜 15:30

[19p-P6-11] 天然膨張黒鉛シート上に作製したAlNの評価

〇村川星斗¹、山口晃生¹、井上崇²、岡野寛¹ (1.香川高専、2.東洋炭素)

13:30 〜 15:30

▲ [19p-P6-12] The influence of Si doping on inversing the polarity of aluminum nitride thin films

〇Sri Ayu Anggraini¹、 Masato Uehara¹、 Hiroshi Yamada¹、 Morito Akiyama¹ (1.AIST)

13:30 〜 15:30

[19p-P6-13] サファイアr面上に成長したScN薄膜の構造と電子移動度

〇大垣武¹、坂口勲¹、大橋直樹¹、羽田肇¹ (1.物材機構)

13:30 〜 15:30

[19p-P6-14] LaドープSrSnO₃をバッファー層としたSrNbO₂N薄膜の光電気化学特性

〇増子尚徳¹、菊地諒介¹、金子泰¹、羽藤一仁¹ (1.パナソニック株式会社)

13:30 〜 15:30

[19p-P6-15] 磁気中性線放電プラズマによるオイルレス圧力センサ用ストレインゲージ薄膜のドライエッチング

〇佐藤和郎¹、筧芳治¹、金岡祐介¹、小栗泰造¹、近藤裕佑¹、山田義春¹ (1.大阪技術研)

13:30 〜 15:30

[19p-P6-16] 触媒反応支援CVD 法による非極性ZnO 結晶膜の光学特性

〇(M1)齋藤太朗¹、池田宗謙¹、加藤有行¹、大石耕一郎²、片桐裕則²、安井寛治¹ (1.長岡技科大、2.長岡工業高専)

13:30 〜 15:30

[19p-P6-17] MOCVD法で作製した固体電解質向けLiPON膜の特性

〇浮島禎之¹、塚原尚希¹ (1.アルバック未来研)

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