一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術
2019年9月18日(水) 09:30 〜 11:45 E304 (E304)
△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし
09:30 〜 09:45
〇佐々木 伸夫1,2,3、Muhammad Arif2、浦岡 行治2、後藤 順3、杉本 重人3 (1.Sasaki Consulting、2.奈良先端大、3.ブイ・テクノロジー)
スケジュール
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09:45 〜 10:00
〇妹川 要1,2、濱野 史暢1、中村 大輔1、齋藤 香織3、後藤 順3、後藤 哲也4、池上 浩1,2 (1.九大、2.九大ギガフォトン共同部門、3.ブイ・テクノロジー、4.東北大未来研)
スケジュール
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10:00 〜 10:15
〇(M1)濱野 史暢1、妹川 要1,2、中村 大輔1、後藤 哲也3、池上 浩1,2 (1.九大、2.九大ギガフォトン共同部門、3.東北大未来研)
スケジュール
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10:15 〜 10:30
〇西口 尚希1、原 明人1 (1.東北学院大工)
スケジュール
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10:30 〜 10:45
〇水川 友里1、亀田 朝輝1、花房 宏明1、東 清一郎1 (1.広大院先端研)
スケジュール
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10:45 〜 11:00
〇葉 文昌1、平末 充紀1、土屋 敏章1 (1.島根大総理工)
スケジュール
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11:00 〜 11:15
〇野口 隆1、岡田 竜弥1 (1.琉大工)
スケジュール
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11:15 〜 11:30
〇斎藤 聖也1、茂藤 健太1、西田 竹志1、末益 崇1、都甲 薫1 (1.筑波大院)
スケジュール
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11:30 〜 11:45
〇今城 利文1,2、茂藤 健太1,2、末益 崇1、都甲 薫1 (1.筑波大学 数理物質、2.学振特別研究員)
スケジュール
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