一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術
2019年9月18日(水) 13:45 〜 16:15 E304 (E304)
△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし
13:45 〜 14:00
〇(B)倉重 貴行1、妹川 要1,2、諏訪 輝1、中村 大輔1、後藤 哲也3、池上 浩1,2 (1.九大、2.九大ギガフォトン共同部門、3.東北大未来研)
スケジュール
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14:00 〜 14:15
〇木我 亮太郎1、植松 真司1、伊藤 公平1 (1.慶大理工)
スケジュール
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14:15 〜 14:30
〇谷村 英昭1、河原崎 光1、青山 敬幸1、加藤 慎一1、野崎 仁秀1、和田 涼太2、樋口 隆弘2、永山 勉2、黒井 隆2 (1.SCREENｾﾐｺﾝﾀﾞｸﾀｰｿﾘｭｰｼｮﾝｽﾞ、2.日新イオン機器)
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14:30 〜 14:45
〇室井 光子1、山田 彩未1、齋藤 あゆ美1、羽深 等1 (1.横国大院工)
スケジュール
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14:45 〜 15:00
渡部 亨1、〇堀 健太1、羽深 等1 (1.横国大院理工)
スケジュール
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15:00 〜 15:15
〇大谷 真奈1、高橋 俊範1、室井 光子1、羽深 等1、池田 伸一2,3、石田 有起2,3、原 史朗2,3 (1.横国大院工、2.ミニマルファブ推進機構、3.産総研)
スケジュール
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15:15 〜 15:30
〇(M1)小原田 賢聖1、横川 凌1,2、澤本 直美1、吉岡 和俊1、小椋 厚志1 (1.明治大理工、2.学振特別研究員DC)
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15:30 〜 15:45
〇増田 貴史1、臼井 友輝2、岸岡 高広2 (1.北陸先端大、2.日産化学株式会社)
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15:45 〜 16:00
〇金澤 力斗1、青木 孝1、鮫島 俊之2、水野 智久1 (1.神奈川大学理、2.東京農工大工)
スケジュール
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16:00 〜 16:15
〇岡田 直也1、内田 紀行1、小川 真一1、金山 敏彦1 (1.産総研)
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