一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術
14:00 〜 14:15
〇前田 拓也1、成田 哲生2、上田 博之2、兼近 将一2、上杉 勉2、加地 徹3、木本 恒暢1、堀田 昌宏1,3,4、須田 淳1,3,4 (1.京大院工、2.豊田中研、3.名大 未来材料・システム研究所、4.名大院工)
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14:15 〜 14:30
〇前田 拓也1、成田 哲生2、上田 博之2、兼近 将一2、上杉 勉2、加地 徹3、木本 恒暢1、堀田 昌宏1,3,4、須田 淳1,3,4 (1.京大院工、2.豊田中研、3.名大 未来材料・システム研究所、4.名大院工)
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14:30 〜 14:45
〇太田 博1、浅井 直美1、堀切 文正2、成田 好伸2、吉田 丈洋2、三島 友義1 (1.法政大、2.サイオクス)
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14:45 〜 15:00
〇太田 博1、浅井 直美1、堀切 文正2、成田 好伸2、吉田 丈洋2、三島 友義1 (1.法政大、2.サイオクス)
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15:00 〜 15:15
〇鳥居 直生1、Debaleen Biswas1、山本 圭司1、江川 孝志1 (1.名古屋工業大学)
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15:15 〜 15:30
〇上野 勝典1、松山 秀昭1、田中 亮1、高島 信也1、江戸 雅晴1、堀田 昌宏2、須田 淳2、中川 清和3 (1.富士電機（株）、2.名大院工、3.山梨大)
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15:30 〜 15:45
〇田中 亮1、高島 信也1、上野 勝典1、松山 秀昭1、江戸 雅晴1、中川 清和2 (1.富士電機、2.山梨大)
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16:00 〜 16:15
〇吉野 理貴1、安藤 悠人2、出来 真斗3、鳥谷部 達4、栗山 一男1、本田 善央3、西村 智朗1、天野 浩2,3、加地 徹3、中村 徹1,3 (1.法政大、2.名大院工、3.名大IMaSS、4.東洋大)
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16:15 〜 16:30
〇安藤 悠人1、中村 徹2、出来 真斗2、宇佐美 茂佳1、田中 敦之2,3、渡邉 浩崇2、久志本 真希1、新田 州吾2、本田 善央2、天野 浩2,3,4,5 (1.名大院工、2.名大未来研、3.物質・材料研究機構、4.名大ARC、5.名大VBL)
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16:30 〜 16:45
〇(M1C)西谷 高至1、山口 良太1、アスバル ジョエル1、徳田 博邦1、葛原 正明1 (1.福井大院工)
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16:45 〜 17:00
〇(M1C)小澤 渉至1、アスバル ジョエル1、徳田 博邦1、八木下 洋平2、川野 陽一2、葛原 正明1 (1.福井大院工、2.富士通研)
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17:00 〜 17:15
〇金木 奨太1、安藤 祐次1、橋詰 保1 (1.北大量集セ)
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17:15 〜 17:30
〇早坂 明泰1、青沼 遼介1、堀田 航史1、眞壁 勇夫2、吉田 成輝2、宮本 恭幸1 (1.東工大工、2.住友電気工業)
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17:30 〜 17:45
〇大石 敏之1 (1.佐賀大理工学部)
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