〇(D)SeungJoo Lee¹、 Jaeyeon Kim¹、 Tomohiro Tsuda²、 Ryo Shintani²、 Kyoko Nozaki³、 Yutaka Majima¹ (1.Tokyo Institute of Technology、2.Osaka University、3.University of Tokyo)

14:00 〜 14:15

[12p-W934-4] 一般的なπ共役分子を用いた分子トランジスタ

〇(B)大勝賢樹¹、辻勇人²、真島豊¹ (1.東京工業大学、2.神奈川大学)

14:15 〜 14:30

[12p-W934-5] 電極金属原子の電界移動を用いた能動的な分子架橋法の検証

〇内藤泰久¹、谷洋介²、小山恵美子¹、中村徹¹、角谷透¹、小川琢治² (1.産総研、2.阪大)

14:30 〜 14:45

[12p-W934-6] Auナノギャップ狭窄化における通電手法の検討と単一電子帯電特性

〇谷創貴¹、南浩二¹、坂井奎太¹、佐藤友美¹、島田萌絵¹、伊藤光樹¹、八木麻実子²、白樫淳一¹ (1.東京農工大院工、2.一関高専)

15:00 〜 15:15

△ [12p-W934-7] 単層Fe-MgF₂グラニュラー薄膜単電子トランジスタにおける
等周期クーロン振動特性の解析

〇瘧師貴幸¹、浅井佑基¹、福地厚¹、有田正志¹、高橋庸夫¹ (1.北大院情報)

15:15 〜 15:30

△ [12p-W934-8] HPPMSを用いたSpindt型エミッタ作製におけるキャビティ構造の影響

〇谷口日向¹、中野武雄¹、大家渓¹、長尾昌善²、大崎壽²、村上勝久² (1.成蹊大理工、2.産総研)

15:30 〜 15:45

[12p-W934-9] ナノ人工物メトリクスのためレジスト倒壊ランダムパターン形成と評価

〇呂任鵬¹、清水克真¹、殷翔¹、上羽陽介²、石川幹雄²、北村満²、葛西誠也¹ (1.北大　量子集積センター、2.大日本印刷)

15:45 〜 16:00

▲ [12p-W934-10] Short-term and long-term memory of random aggregation device using Ag-Ag₂S nanoparticles

〇(D)Hadiyawarman Hadiyawarman¹、 Masanori Eguchi²、 Hirofumi Tanaka¹ (1.Kyushu Inst. of Tech.、2.Kure Nat. Col. of Tech.)

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9 応用物性 » 9.3 ナノエレクトロニクス

[11p-PA8-1~5] 9.3 ナノエレクトロニクス

[11p-PA8-1] 共通ゲート型と非共通ゲート型の単電子ターンスタイルの消費エネルギーの比較

[11p-PA8-2] ゲート容量が不均一な共通ゲート三重ドット単電子デバイスの安定領域の解析

[11p-PA8-3] シャボン膜の挙動を模倣した単電子デバイスの設計

[11p-PA8-4] 単一電子素子応用を目指した誘電泳動による金ナノ粒子整列の統計調査

▼ [11p-PA8-5] Modulation of the resistance switching behavior of Ag₂S-based switches using graphene oxide layer

[12a-W934-1~9] 9.3 ナノエレクトロニクス

[12a-W934-1] 単電子トランジスタの超短パルス応答に関する検討

[12a-W934-2] 非対称性が大きい共通ゲート三重ドット単電子デバイスがポンプ動作する条件の周期性

[12a-W934-3] 魚群に学ぶ単電子情報処理

[12a-W934-4] 学習機能を実装した単電子ニューラルネットワーク

[12a-W934-5] 熱雑音を利用する単電子メモリ対回路の設計と多数決論理ゲート応用

[12a-W934-6] 2Dイジングマシンの演算特性にかかるSimulated Quantum Annealingの効果

[12a-W934-7] ビット間結合が高階調化された論理ゲートイジング計算機による組合せ最適化問題の検討

[12a-W934-8] FPGAに実装されたイジングマシンでの実験パラメータ決定システムの構築とAu原子接合の自動作製

[12a-W934-9] FPGA上の遺伝的アルゴリズムを用いた実験パラメータ進化手法によるAu原子接合の作製

[12p-W934-1~10] 9.3 ナノエレクトロニクス

[12p-W934-1] 化学的手法により組み立てた金ナノ粒子単電子トランジスタにおける配位子構造依存性

[12p-W934-2] 炭素架橋オリゴフェニレンビニレン6(COPV6)単分子共鳴トンネルトランジスタ

▼ [12p-W934-3] Single Molecular Resonant-Tunneling Transistor (SMRT²) based on Quinoidal Fused Oligosilole Derivative (Si-2*2) bridged between H-ELGP Pt-based Nanogap Electrodes

[12p-W934-4] 一般的なπ共役分子を用いた分子トランジスタ

[12p-W934-5] 電極金属原子の電界移動を用いた能動的な分子架橋法の検証

[12p-W934-6] Auナノギャップ狭窄化における通電手法の検討と単一電子帯電特性

△ [12p-W934-7] 単層Fe-MgF₂グラニュラー薄膜単電子トランジスタにおける
等周期クーロン振動特性の解析

△ [12p-W934-8] HPPMSを用いたSpindt型エミッタ作製におけるキャビティ構造の影響

[12p-W934-9] ナノ人工物メトリクスのためレジスト倒壊ランダムパターン形成と評価

▲ [12p-W934-10] Short-term and long-term memory of random aggregation device using Ag-Ag₂S nanoparticles

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9 応用物性 » 9.3 ナノエレクトロニクス

[11p-PA8-1~5] 9.3 ナノエレクトロニクス

▼ [11p-PA8-5] Modulation of the resistance switching behavior of Ag2S-based switches using graphene oxide layer

[12a-W934-1~9] 9.3 ナノエレクトロニクス

[12p-W934-1~10] 9.3 ナノエレクトロニクス

▼ [12p-W934-3] Single Molecular Resonant-Tunneling Transistor (SMRT2) based on Quinoidal Fused Oligosilole Derivative (Si-2*2) bridged between H-ELGP Pt-based Nanogap Electrodes

△ [12p-W934-7] 単層Fe-MgF2グラニュラー薄膜単電子トランジスタにおける等周期クーロン振動特性の解析

△ [12p-W934-8] HPPMSを用いたSpindt型エミッタ作製におけるキャビティ構造の影響

▲ [12p-W934-10] Short-term and long-term memory of random aggregation device using Ag-Ag2S nanoparticles

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▼ [11p-PA8-5] Modulation of the resistance switching behavior of Ag₂S-based switches using graphene oxide layer

▼ [12p-W934-3] Single Molecular Resonant-Tunneling Transistor (SMRT²) based on Quinoidal Fused Oligosilole Derivative (Si-2*2) bridged between H-ELGP Pt-based Nanogap Electrodes

△ [12p-W934-7] 単層Fe-MgF₂グラニュラー薄膜単電子トランジスタにおける
等周期クーロン振動特性の解析

▲ [12p-W934-10] Short-term and long-term memory of random aggregation device using Ag-Ag₂S nanoparticles